微电子装置及相关存储器装置以及电子系统制造方法及图纸

一种微电子装置包括第一数字线、第二数字线及多路复用器装置。所述第一数字线耦合到存储器单元串。所述第二数字线耦合到额外存储器单元串。所述第二数字线在第一水平方向上从所述第一数字线偏移且在正交于所述第一水平方向的第二水平方向上与所述第一数字线基本上对准。所述多路复用器装置在所述第一水平方向上水平插入于所述第一数字线与所述第二数字线之间。所述多路复用器装置与所述第一数字线、所述第二数字线及页面缓冲器装置电连通。还描述额外微电子装置、存储器装置及电子系统。统。统。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】微电子装置及相关存储器装置以及电子系统
[0001]优先权主张
[0002]本申请主张2020年8月28日申请的“微电子装置及相关存储器装置以及电子系统(MICROELECTRONIC DEVICES，AND RELATED MEMORY DEVICES AND ELECTRONIC SYSTEMS)”的序列号为17/006,364的美国专利申请的申请日权益。


[0003]在各个实施例中，本公开大体上涉及微电子装置设计及制造领域。更明确来说，本公开涉及形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置及电子系统。

技术介绍

[0004]微电子装置设计者通常希望通过减小个别特征的尺寸及通过减小相邻特征之间的间隔距离来提高微电子装置内特征的集成度或密度。另外，微电子装置设计者通常希望设计不仅小型而且提供性能优点及制造设计简化、更容易且更便宜的架构。
[0005]微电子装置的一个实例是存储器装置。存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部集成电路。存在许多类型的存储器装置，其包含(但不限于)非易失性存储器装置(例如NAND本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种微电子装置，其包括：第一数字线，其耦合到存储器单元串；第二数字线，其耦合到额外存储器单元串，所述第二数字线在第一水平方向上从所述第一数字线偏移且在正交于所述第一水平方向的第二水平方向上与所述第一数字线基本上对准；及多路复用器装置，其在所述第一水平方向上水平插入于所述第一数字线与所述第二数字线之间，所述多路复用器装置与所述第一数字线、所述第二数字线及页面缓冲器装置电连通。2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述多路复用器装置中的每一者个别地耦合到所述第一数字线中的一者及在所述第二水平方向上与所述第一数字线中的所述一者基本上对准的所述第二数字线中的一者。3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述多路复用器装置中的每一者个别地包括：第一晶体管，其耦合到所述第一数字线中的一者；及第二晶体管，其耦合到所述第二数字线中的一者。4.根据权利要求3所述的微电子装置，其中所述多路复用器装置中的每一者的所述第一晶体管及所述第二晶体管包括经配置以在处于非有效状态时基本上阻挡大于或等于18伏特的外加电压的高压隔离晶体管。5.根据权利要求3所述的微电子装置，其中所述多路复用器装置中的每一者的所述第一晶体管及所述第二晶体管包括经配置以在处于非有效状态时基本上阻挡小于18伏特的外加电压的低压晶体管。6.根据权利要求5所述的微电子装置，其进一步包括插入于所述多路复用器装置与所述页面缓冲器装置之间且与所述多路复用器装置及所述页面缓冲器装置电连通的高压隔离晶体管，所述高压隔离晶体管经配置以在处于非有效状态时基本上阻挡大于或等于18伏特的外加电压。7.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述多路复用器装置中的每一者基本上局限于在所述第一水平方向上水平插入于所述存储器单元串与所述额外存储器单元串之间的数字线出口区的水平区域内。8.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述第一数字线在所述第一水平方向上的长度等于所述第二数字线在所述第一水平方向上的长度。9.一种微电子装置，其包括：第一存储器阵列区，其包括包含第一垂直延伸存储器单元串的第一存储器阵列；第一数字线，其耦合到所述第一存储器阵列的所述第一垂直延伸存储器单元串；第二存储器阵列区，其包括包含第二垂直延伸存储器单元串的第二存储器阵列；第二数字线，其耦合到所述第二存储器阵列的所述第二垂直延伸存储器单元串；及存储器高速缓存区，其水平插入所述存储器阵列区，所述存储器高速缓存区包括：多路复用器装置，其耦合到所述第一数字线及所述第二数字线；及页面缓冲器装置，其耦合到所述多路复用器装置。10.根据权利要求9所述的微电子装置，其中所述第一数字线及所述第二数字线各自终
止于水平居中于所述存储器高速缓存区内的数字线出口区内。11.根据权利要求10所述的微电子装置，其中所述多路复用器装置基本上局限于所述数字线出口区的水平区域内。12.根据权利要求9所述的微电子装置，其中所述多路复用器装置包括耦合到所述第一数字线及所述第二数字线的高压隔离晶体管，所述高压隔离晶体管各自经配置以在处于关断状态时基本上阻挡在从约18伏特到约25伏特的范围内的外加电压。13.根据权利要求9所述的微电子装置，其中所述多路复用器装置包括耦合到所述第一数字线及所述第二数字线的低压晶体管，所述低压晶体管各自经配置以在处于关断状态时基本上阻挡小于约18伏特的电压。14.根据权利要求13所述的微电子装置，其中所述存储器高速缓存区进一步包括插入于所述多路复用器装置与所述页面缓冲器装置之间且耦合到所述多路复用器装置及所述页面缓冲器装置的高压隔离晶体管，所述高压隔离晶体管各自经配置以在处于关断状态时基本上阻挡在从约18伏特到约25伏特的范围内的外加电压。15....

【专利技术属性】
技术研发人员：河合鉱一，鎌田义彦，福住嘉晃，村越有，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：