套刻误差的量测方法、其装置及光刻系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种套刻误差的量测方法、其装置及光刻系统。该量测方法包括：获取半导体器件中第一材料层的第一图像和第二材料层的第二图像，其中，第一材料层和第二材料层中分别具有对位标记，第一图像中具有预设图形以及与第一材料层中对位标记对应的第一图形，第二图像中具有与第二材料层中对位标记对应的第二图形；确定第一图形在第一图像中的第一目标位置；根据第一目标位置与第一图像中的第一预设位置，得到第一距离，其中，第一预设位置处具有预设图形；确定第二图形在第二图像中的第二目标位置；根据第二目标位置与第一目标位置，得到第二距离；根据第一距离和第二距离，确定第二目标位置与第一预设位置之间的目标距离。第二目标位置与第一预设位置之间的目标距离。第二目标位置与第一预设位置之间的目标距离。

【技术实现步骤摘要】
套刻误差的量测方法、其装置及光刻系统


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种套刻误差的量测方法、套刻误差的量测装置、光刻系统及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]在光刻的工艺中，对准和曝光工艺代表了现代光刻中的主要设备系统，硅片首先被定位在光学系统的聚焦范围内，硅片的对准标记与掩模上相似匹配的标记对准后，紫外光就通过光学系统和掩模板图形投影。其中，对准过程开始于投影掩模板与步进式光刻机或步进式扫描光刻机机身上固定的参照标记的正确对准，该对准必须快速、重复和精确。对准就是确定硅片上的图形的位置、方向和变形的过程，然后利用这些数据与投影掩模图形建立起正确的关系。对准过程的结果，或者每个连续的图形与先前层匹配的精度，被称作套准。
[0003]目前使用的套准方法通常会在光学系统量测点有偏差而找不到内外匡对准标记的情况下，光学系统的镜头会在硅片周围做小范围寻找盒内盒（Box In Box），当往正确方向寻找时则有较大机会找回来，若不小心往不正确的方向移时，系统则很有机会把另一块地的外匡误认为当层的内匡，最外边的底匡则本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种套刻误差的量测方法，其特征在于，包括：获取半导体器件中第一材料层的第一图像和第二材料层的第二图像，其中，所述第一材料层和所述第二材料层中分别具有对位标记，所述第一图像中具有预设图形以及与所述第一材料层中对位标记对应的第一图形，所述第二图像中具有与所述第二材料层中对位标记对应的第二图形，所述预设图形用于判断所述第二图形是否对准；确定第一图形在所述第一图像中的第一目标位置；根据所述第一目标位置与所述第一图像中的第一预设位置，得到第一距离，其中，所述第一预设位置处具有所述预设图形；确定第二图形在所述第二图像中的第二目标位置；根据所述第二目标位置与所述第一目标位置，得到第二距离；根据所述第一距离和所述第二距离，确定所述第二目标位置与所述第一预设位置之间的目标距离。2.根据权利要求1所述的量测方法，其特征在于，所述根据所述第一目标位置与所述第一图像中的第一预设位置，得到第一距离，包括：确定所述第一图形的第一几何中心；获取所述预设图形的预设几何中心；根据第一几何中心和所述预设几何中心，计算得到所述第一距离。3.根据权利要求2所述的量测方法，其特征在于，所述根据所述第二目标位置与所述第一目标位置，得到第二距离，包括：确定所述第二图形的第二几何中心；根据所述第一几何中心和所述第二几何中心，计算得到所述第二距离。4.根据权利要求3所述的量测方法，其特征在于，所述根据所述第一距离和所述第二距离，确定所述第二目标位置与所述第一预设位置之间的目标距离，包括：计算所述第一距离和所述第二距离的差值，得到所述目标距离。5.根据权利要求1所述的量测方法，其特征在于，还包括：判断所述第二图像中的目标区域中是否具有所述第二图形，输出第一判断结果，所述第二图形位于与所述第一预设位置对应的第二预设位置；在第一判断结果指示为否的情况下，输出第一控制信号至光刻设备，以使得所述光刻设备的镜头视窗移动，以定位所述第二图形。6.根据权利要求5所述的量测方法，其特征在于，所述判断所述第二图像中的目标区域是否具有所述第二图形，包括：判断所述目标区域中是否具有预存图形，输出第二判断结果；在所述第二判断结果指示为否的情况下，输出第二控制信号至所述光刻设备，以使得所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨学人，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：