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本发明提供了一种套刻误差的量测方法、其装置及光刻系统。该量测方法包括：获取半导体器件中第一材料层的第一图像和第二材料层的第二图像，其中，第一材料层和第二材料层中分别具有对位标记，第一图像中具有预设图形以及与第一材料层中对位标记对应的第一图形...该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。
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