基于多孔介质的磁流变阻尼器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于多孔介质的磁流变阻尼器，包括缸筒、活塞组件和多孔介质，所述活塞组件包括活塞本体、活塞左端盖和活塞右端盖，所述活塞本体以可沿轴向滑动的方式设置于所述缸筒内，活塞本体设置有沿轴向贯通的流体腔，所述多孔介质填充于所述流体腔，所述活塞左端盖安装于活塞本体轴向的左端，所述活塞右端盖安装于活塞本体轴向的右端，活塞左端盖和活塞右端盖将所述多孔介质限位于所述流体腔；本发明专利技术公开的基于多孔介质的磁流变阻尼器，通过填充多孔介质的方式，使得活塞本体内形成多道蜿蜒的磁流变流道，极大地增加了磁流变流体的接触面积，也增加了流道数量，延长了流道长度，进而提高了输出阻尼力的大小，使得阻尼器的动态范围更宽。的动态范围更宽。的动态范围更宽。

【技术实现步骤摘要】
基于多孔介质的磁流变阻尼器


[0001]本专利技术属于设备振动抑制
，涉及一种基于多孔介质的磁流变阻尼器。

技术介绍

[0002]运动部件在工作过程会产生振动，振动无法避免且会影响到设备的正常工作，严重的还会造成相关安全问题。磁流变阻尼器是一种以磁流变液为基本工作介质，可以产生连续可控阻尼的减振装置。现有磁流变阻尼器中的工作流道为直线或者是简单几何通道，并且设置成垂直于磁场，同时励磁线圈通常浸泡在流体中，这会减少线圈寿命并导致加热，此外线圈的体积还会减少流道的有效长度，并且流道会受到饱和磁场间隙宽度的影响，以上问题限制了磁流变技术的在阻尼器结构小型化的应用。
[0003]为解决以上问题，需要对现有的磁流变阻尼器的工作流道进行重新设计，使得活塞在有效行程的限制下具有较大的阻尼输出，输出阻尼力大，动态范围宽，结构紧凑，有利于磁流变技术的进一步推广应用。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供了一种基于多孔介质的磁流变阻尼器，在磁流变阻尼器中填充多孔介质，使得流体腔内形成多道蜿蜒流道，提高磁流变流体与多孔介质接触面积，增加了流道数量，延长了流道长度，进而提高了输出阻尼力的大小，使得阻尼器的动态范围更宽，结构更为紧凑，有利于磁流变技术的进一步推广应用。
[0005]一种基于多孔介质的磁流变阻尼器，包括缸筒、活塞组件和多孔介质，所述活塞组件包括活塞本体、活塞左端盖和活塞右端盖，所述活塞本体以可沿轴向滑动的方式设置于所述缸筒内，活塞本体设置有沿轴向贯通的流体腔，所述多孔介质填充于所述流体腔，所述活塞左端盖安装于活塞本体轴向的左端，所述活塞右端盖安装于活塞本体轴向的右端，活塞左端盖和活塞右端盖将所述多孔介质限位于所述流体腔。
[0006]进一步，所述缸筒内填充有磁流变液，所述活塞左端盖和活塞右端盖均开设有供磁流变液流入或流出流体腔的流通口，所述活塞本体滑动以使得磁流变液经活塞左端盖的流通口或活塞右端盖的流通口流入流体腔后再由活塞右端盖的流通口或活塞左端盖的流通口流出流体腔。
[0007]进一步，还包括励磁线圈，所述励磁线圈沿所述活塞本体的周向绕设于所述活塞本体的径向外表面。
[0008]进一步，所述活塞组件还包括沿轴向设置的活塞杆，活塞杆一端连接于活塞右端盖，另一端沿轴向向外延伸至所述缸筒的外部。
[0009]进一步，所述活塞组件还包括活塞套筒，所述活塞套筒外套设置于所述活塞本体，所述活塞左端盖的周缘沿径向向外延伸形成左限位部，活塞右端盖的周缘沿径向向外延伸形成右限位部，所述活塞套筒在轴向被左限位部和右限位部限位于所述活塞本体。
[0010]进一步，还包括缸底、阻尼器端盖和浮动活塞，所述缸筒具有沿轴向贯通的腔体，
所述缸底安装于所述缸筒的轴向的左端，阻尼器端盖安装于所述缸筒的轴向的右端，缸底和阻尼器端盖用于封闭所述腔体，所述浮动活塞滑动设置于所述腔体内并将所述腔体分隔为工作腔和补偿腔，所述活塞组件和磁流变液均设置于所述工作腔。
[0011]进一步，所述活塞组件还包括挡板，所述挡板设置于所述活塞本体与活塞右端盖之间的位置处，所述挡板开设有供磁流变液流入或流出流体腔的流通孔，所述流通孔对应所述活塞右端盖的流通口的位置开设于所述挡板。
[0012]进一步，所述励磁线圈至少设置有一个，所述活塞本体设置有用以安装励磁线圈的线圈槽，所述线圈槽的数量与所述励磁线圈相同。
[0013]进一步，还包括密封组件，密封组件包括密封环和密封圈，所述密封环安装于所述工作腔并位于靠近阻尼器端盖的位置处，密封环的中心位置沿轴向开有通孔，密封圈设置于所述通孔内，所述活塞杆依次穿过密封环和阻尼器端盖并延伸至缸筒外。
[0014]本专利技术的有益效果：
[0015]本专利技术公开了一种基于多孔介质的磁流变阻尼器，通过填充多孔介质的方式，使得活塞本体内形成多道蜿蜒的磁流变流道，极大地增加了磁流变流体的接触面积，也增加了流道数量，延长了流道长度，进而提高了输出阻尼力的大小，使得阻尼器的动态范围更宽；多孔介质填充于活塞本体内，工作区域实际落于活塞的中部，基于多孔介质的结构特点，使得在更小的填充体积下，实际工作区域的体积更大，也就让有效工作间隙变宽，同时使励磁线圈体积也能变得更大，并且线圈与流体隔开，减少磁流变温度上升；本专利技术的结构更为紧凑，拆装也更为方便，同时耗能也更小。
附图说明
[0016]图1为本专利技术实施例的结构一的整体结构示意图；
[0017]图2为本专利技术实施例的结构二的整体结构示意图；
[0018]图3为本专利技术实施例的结构一的磁场走向示意图；
[0019]图4为本专利技术实施例的结构二的磁场走向示意图。
具体实施方式
[0020]图1为本专利技术实施例的结构一的整体结构示意图；图2为本专利技术实施例的结构二的整体结构示意图；图3为本专利技术实施例的结构一的磁场走向示意图；图4为本专利技术实施例的结构二的磁场走向示意图。需要说明的是，在本说明书的描述中，术语“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。在本实施例中，轴向为沿缸筒的轴向方向，径向为缸筒的直径方向，也就是垂直于轴向的方向。
[0021]如图所示，一种基于多孔介质14的磁流变阻尼器，包括缸筒2、活塞组件和多孔介质14，所述活塞组件包括活塞本体5、活塞左端盖4和活塞右端盖7，所述活塞本体5以可沿轴向滑动的方式设置于所述缸筒2内，活塞本体5设置有沿轴向贯通的流体腔，所述多孔介质14填充于所述流体腔，所述活塞左端盖4安装于活塞本体5轴向的左端，所述活塞右端盖7安装于活塞本体5轴向的右端，活塞左端盖4和活塞右端盖7将所述多孔介质14限位于所述流
体腔。在本实施例中的多孔介质14形状可以为球形、圆柱体形、不规则圆柱体、不规则柱体、空心圆柱体形等；多孔介质14材料可以为导磁材料或非导磁材料，使用多个形状相同的多孔介质14填充满流体腔，多孔介质14之间的间隙便形成了蜿蜒的流道，在活塞本体5的整体体积相同的情况下，填充多孔介质14所形成的流道数量更多，长度更长，接触面积更大；而在流道数量相同，或是长度相同的情况下，填充多孔介质14的阻尼器体积更小。阻尼器的输出阻尼力大小与填充的多孔介质14的形状、直径和数目相关，故具有较高的输出阻尼力和动态范围。
[0022]本实施例中，所述缸筒2内填充有磁流变液，所述活塞左端盖4和活塞右端盖7均开设有供磁流变液流入或流出流体腔的流通口，所述活塞本体5滑动以使得磁流变液经活塞左端盖4的流通口或活塞右端盖7的流通口流入流体腔后再由活塞右端盖7的流通口或活塞左端盖4的流通口流出流体腔。本实施例中在活塞右端盖7端面设计腰型的流通口，以减小流体进出活塞的节流效应。磁流变液在活塞往复运用的推动下，由活塞左端盖4的流通口流入流体腔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于多孔介质的磁流变阻尼器，其特征在于：包括缸筒、活塞组件和多孔介质，所述活塞组件包括活塞本体、活塞左端盖和活塞右端盖，所述活塞本体以可沿轴向滑动的方式设置于所述缸筒内，活塞本体设置有沿轴向贯通的流体腔，所述多孔介质填充于所述流体腔，所述活塞左端盖安装于活塞本体轴向的左端，所述活塞右端盖安装于活塞本体轴向的右端，活塞左端盖和活塞右端盖将所述多孔介质限位于所述流体腔。2.根据权利要求1所述的基于多孔介质的磁流变阻尼器，其特征在于：所述缸筒内填充有磁流变液，所述活塞左端盖和活塞右端盖均开设有供磁流变液流入或流出流体腔的流通口，所述活塞本体滑动以使得磁流变液经活塞左端盖的流通口或活塞右端盖的流通口流入流体腔后再由活塞右端盖的流通口或活塞左端盖的流通口流出流体腔。3.根据权利要求2所述的基于多孔介质的磁流变阻尼器，其特征在于：还包括励磁线圈，所述励磁线圈沿所述活塞本体的周向绕设于所述活塞本体的径向外表面。4.根据权利要求1所述的基于多孔介质的磁流变阻尼器，其特征在于：所述活塞组件还包括沿轴向设置的活塞杆，活塞杆一端连接于活塞右端盖，另一端沿轴向向外延伸至所述缸筒的外部。5.根据权利要求1所述的基于多孔介质的磁流变阻尼器，其特征在于：所述活塞组件还包括活塞套筒，所述活塞套筒外套设置于所述活塞本体，所述活塞左端盖的周缘沿径向向外延伸形成左限位...

【专利技术属性】
技术研发人员：董小闵，欧阳健国，刘青林，吴昊，赵军鑫，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：发明
国别省市：