【技术实现步骤摘要】
碳化硅洁净车间及碳化硅生产厂房
[0001]本技术涉及碳化硅生产领域,具体而言,涉及一种碳化硅洁净车间及碳化硅生产厂房。
技术介绍
[0002]作为第三代半导体材料的代表,碳化硅(SiC)具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高饱和电子迁移率等特点,因此采用碳化硅材料制备的半导体器件适用于高电压、大电流、高温、高频等场景,前景十分广阔。
[0003]经专利技术人研究发现,现有的碳化硅洁净车间对空气的洁净度要求很高,相应地对新风的需求量很大,导致新风系统能耗较高。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种碳化硅洁净车间和碳化硅生产厂房,其能够有效减少新风系统的能耗,降低碳化硅生产的成本。
[0005]本技术的实施例是这样实现的:
[0006]第一方面,本技术提供一种碳化硅洁净车间,包括:
[0007]车间本体,所述车间本体设置有进风口和排风口,所述进风口处设置有第一过滤单元;
[0008]回气管路,所述回气管路的两端分别与所述进风口和所述排风口连通;
[0009 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅洁净车间(20),其特征在于,包括:车间本体(100),所述车间本体(100)设置有进风口(110)和排风口(120),所述进风口(110)处设置有第一过滤单元(112);回气管路(300),所述回气管路(300)的两端分别与所述进风口(110)和所述排风口(120)连通;空气处理机组(400),所述空气处理机组(400)设置于所述回气管路(300);空气冷却结构(500),所述空气冷却结构(500)设置于所述回气管路(300)。2.根据权利要求1所述的碳化硅洁净车间(20),其特征在于,所述空气处理机组(400)包括依次设置的进风段(410)、化学过滤段(420)、中效过滤段(430)、均流段(440)、风机段(450)、高效过滤段(460)以及出风段(470)。3.根据权利要求1所述的碳化硅洁净车间(20),其特征在于,所述第一过滤单元(112)为FFU。4.根据权利要求1所述的碳化硅洁净车间(20),其特征在于,所述空气冷却结构(500)为DCC。5.根据权利要求1所述的碳化硅洁净车间(20),其特征在于,所述进风口(110)位于所述车间本体(100)的顶部,所述排风口(120)位于所述车间本体(100)的底部。6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:张哲,卫元元,吕芳栋,罗鸿,叶水全,徐江,简征程,李建,李书文,王奇缘,张建,张旭,卿成,
申请(专利权)人:通威微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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