【技术实现步骤摘要】
分布式随机行走寄生电容提取方法、装置、设备及介质
[0001]本申请涉及寄生参数提取和仿真分析
，特别涉及一种分布式随机行走寄生电容提取方法、装置、设备及介质。
技术介绍
[0002]在集成电路设计和验证阶段，需要使用计算机数值程序对所设计的电路的实际运行进行模拟，以检验电路设计是否正确地实现了预期功能、是否达到预期的电器性能，同时也会依据该模拟结果对集成电路的原始设计进行相应调整以排除错误或优化性能，该类数值模拟被称为集成电路仿真。
[0003]集成电路仿真分为前仿真和后仿真两类。其中前仿真仅对电路的运行逻辑进行模拟，以检验电路的逻辑功能是否正确；而后仿真则需综合半导体制造工艺，构造集成电路的物理构型，提取其中的寄生参数（寄生电容与寄生电阻），进而使用该寄生参数网表对电路的运行时波形进行仿真，以分析电路的延时特征、电器特征等。
[0004]目前，主要使用以下三类方法进行电路寄生电容的提取：（1）直接对集成电路物理构型求解静电场方程以计算寄生电容的方法。该类方法包括的静电场解算算法有：FDM（Finit...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种分布式随机行走寄生电容提取方法，其特征在于，包括以下步骤：对目标全电路版图进行切割，得到多个等尺寸的正方形区域，获取每个正方形区域对应的寄生电容提取的RWCAP计算子任务；将所述每个正方形区域对应的所述RWCAP计算子任务输入至预设RWCAP计算引擎，得到每个RWCAP计算子任务对应的寄生电容独立结果；以及基于预设电容值合并规则，合并所述每个RWCAP计算子任务对应的寄生电容独立结果，得到所述全电路版图的最终寄生电容结果。2.根据权利要求1所述的分布式随机行走寄生电容提取方法，其特征在于，所述对目标全电路版图进行切割，得到多个等尺寸的正方形区域，包括：获取所述每个正方形区域对应的分片窗口、分片窗口扩展尺寸和扩展窗口。3.根据权利要求2所述的分布式随机行走寄生电容提取方法，其特征在于，所述获取每个正方形区域对应的寄生电容提取的RWCAP计算子任务，包括：获取所述每个正方形区域对应的第一计算区域和第二计算区域；根据所述第一计算区域和第二计算区域确定所述每个正方形区域对应的所述RWCAP计算子任务的三维计算空间范围；基于每个所述三维计算空间范围的所有平层介质、所述每个正方形区域内的导体块、与所述每个正方形区域对应的扩展窗口存在交集的环境导体块和介质块生成所述每个正方形区域对应的所述RWCAP计算子任务。4.根据权利要求3所述的分布式随机行走寄生电容提取方法，其特征在于，所述将所述每个正方形区域对应的所述RWCAP计算子任务输入至预设RWCAP计算引擎，得到每个RWCAP计算子任务对应的寄生电容独立结果，包括：利用所述预设RWCAP计算引擎对所述每个正方形区域对应的所述RWCAP计算子任务进行解算，以得到所述每个RWCAP计算子任务对应的每个线网对电容值、所述每个线网对电容值对应的第一电容标准差值以及每对导体块耦合电容；根据所述每个RWCAP计算子任务对应的每个线网对电容值、所述每个线网对电容值对应的第一电容标准差值以及每对导体块耦合电容得到所述每个RWCAP计算子任务对应的寄生电容独立结果。5.根据权利要求4所述的分布式随机行走寄生电容提取方法，其特征在于，所述基于预设电容值合并规则，合并所述每个RWCAP计算子任务对应的寄生电容独立结果，得到所述全电路版图的最终寄生电容结果，包括：基于每个寄生电容独立结果中所述每对导体块耦合电容的起始导体块的类型，对所述每对导体块耦合电容进行筛选，并将满足第一预设条件的导体块耦合电容归于电容统计总集合中；将所述每个所述寄生电容独立结果中所述每个线网对电容值和所述对应的第一电容标准差值放入所述电容统计总集合，并基于所述每个线网对电容值在所述电容统计总集合中出现的次数，确定所述每个线网对电容值对应的第二电容标准差值；将所述电容统计总集合中所述每对导体块耦合电容的电容值累加至每对导体块所属的线网对电容总值上；对满足第二预设条件的所有线网对通过预设计算策略得到每个线网对最终电容值；
将所述每个线网对最终电容值累加至对应线网的集总电容值上，得到所有线网的集总电容值，以得到所述最终寄生电容结果。6.一种分布式随机行走寄生电容提取装置，其特征在于，包括：获取模块，用于对目标全电路版图进行切割，得到多个等尺寸的正方形区域，获取每个正方形区域对应的寄生...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏翃，刘帅龙，胡超，喻文健，
申请(专利权)人：北京超逸达科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。