一种输入缓冲型抗辐照光控MOS继电器制造技术

本发明专利技术提供了一种输入缓冲型抗辐照光控MOS继电器，通过设计输入缓冲单元、光伏隔离单元和功率驱动输出单元，输入缓冲单元连接光伏隔离单元，输入缓冲单元对输入信号信号缓冲，输入缓冲单元将控制信号提供的电流进行了缓冲降低，大大提高控制信号的驱动能力，将缓冲后的信号发送给所述光伏隔离单元，光伏隔离单元根据缓冲后的信号产生输出电压满足电路的开关速度要求，光伏隔离单元和功率驱动输出单元连接，功率驱动输出单元接收输出电压，根据输出电压产生输出功率满足了航天用继电器基础功能的同时，只采用三个单元减小了电路体积，同时提高了驱动信号的能力。同时提高了驱动信号的能力。同时提高了驱动信号的能力。

【技术实现步骤摘要】
一种输入缓冲型抗辐照光控MOS继电器


[0001]本专利技术涉及半导体混合集成电路设计
，具体为一种输入缓冲型抗辐照光控MOS继电器。

技术介绍

[0002]航天用继电器作为航天系统和国防系统中一种电控制的基础元器件,通过对输入信号的控制实现低电压控制功率开关输出的功能,是不可或缺的带隔离功能的控制器件。
[0003]随着空间电子信息系统中对航天用继电器的需求进一步增大，固态继电器在小型化、抗辐照等方面都有了更高的要求，但是现有的航天用继电器整体体积大，驱动信号的能力弱。

技术实现思路

[0004]本专利技术目的在于提供一种输入缓冲型抗辐照光控MOS继电器，以克服现有技术中航天用继电器整体体积大，驱动信号的能力弱的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]一种输入缓冲型抗辐照光控MOS继电器，包括输入缓冲单元S101、光伏隔离单元S102和功率驱动输出单元S103；
[0007]输入缓冲单元S101连接所述光伏隔离单元S102，所述输入缓冲单元S101对输本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种输入缓冲型抗辐照光控MOS继电器，其特征在于，包括输入缓冲单元(S101)、光伏隔离单元(S102)和功率驱动输出单元(S103)；所述输入缓冲单元(S101)连接所述光伏隔离单元(S102)，所述输入缓冲单元(S101)对输入信号缓冲，将缓冲后的信号发送给所述光伏隔离单元(S102)，所述光伏隔离单元(S102)根据缓冲后的信号产生输出电压；所述光伏隔离单元(S102)和所述功率驱动输出单元(S103)连接，所述功率驱动输出单元(S103)接收输出电压，根据输出电压产生输出功率。2.根据权利要求1所述的一种输入缓冲型抗辐照光控MOS继电器，其特征在于，所述输入缓冲单元(S101)包括一端连接在信号输入上的电阻R1，所述电阻R1的另一端分别连接有MOS管T1和稳压管D1，所述电阻R1的另一端分别连接MOS管T1的栅极和稳压管D1的正极，稳压管D1的负极与MOS管T1的源极连接，所述MOS管T1的漏极连接有电阻R2。3.根据权利要求2所述的一种输入缓冲型抗辐照光控MOS继电器，其特征在于，所述MOS管T1采用VDMOS管。4.根据权利要求3所述的一种输入缓冲型抗辐照光控MOS继电器...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴悦，刘建红，李晨源，苏斌，王俊峰，郑东飞，王云，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：