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本发明提供了一种输入缓冲型抗辐照光控MOS继电器，通过设计输入缓冲单元、光伏隔离单元和功率驱动输出单元，输入缓冲单元连接光伏隔离单元，输入缓冲单元对输入信号信号缓冲，输入缓冲单元将控制信号提供的电流进行了缓冲降低，大大提高控制信号的驱动能力...
该专利属于西安微电子技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过西安微电子技术研究所授权不得商用。

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