一种晶片双面除液部件及其使用方法技术

本发明专利技术涉及一种晶片双面除液部件及其使用方法，包括配合使用的除液部件和支撑部件；除液部件包括位于晶片上方的上喷嘴和位于晶片下方的下喷嘴；上喷嘴和下喷嘴的喷口均朝向晶片；上喷嘴通过上气流臂与气源连接，下喷嘴通过下气流臂与气源连接；上气流臂和下气流臂通过连杆连接；支撑部件包括底板和若干垂直设置在底板上方的中空立柱；底板侧面开有真空连接口，真空连接口在底板内部独立的与各中空立柱连通，真空连接口外接真空泵。本发明专利技术支撑部件真空吸附固定晶片，清洁气体通过置于晶片上下表面的两喷嘴及其气流臂喷出，在晶片上下表面形成喷射气流，两喷射气流持续作用于晶片上下两表面，从而达到去除两表面残液之目的。从而达到去除两表面残液之目的。从而达到去除两表面残液之目的。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片双面除液部件及其使用方法


[0001]本专利技术涉及一种晶片双面除液部件及其使用方法，属于晶片清洗


技术介绍

[0002]晶片清洗工艺是半导体制程重要步骤，在每道清洗工艺的最后，晶片都要经过除液处理，除液处理成为清洗工艺最后也是最重要的一步，决定了清洗工艺的品质。
[0003]标准晶圆的表面除液方法及相应设备已相对完备并在批量工艺中被成熟应用，而在光电材料领域，一些新材料需要结合半导体工艺制程进行材料改性后生产应用，如磷酸氧钛钾(简称KTP)铁电晶片的极化反转工艺就是重要一例。KTP晶片上极化用金属电极的制作，涉及清洗、镀膜、曝光、显影、湿法蚀刻、清洗等一系列半导体工艺制程。
[0004]这些材料往往是幅面尺寸非标的晶片，如KTP晶片，幅面尺寸很小，划切整形后幅面尺寸小于20mm，属典型的非标晶片，同时容易解理报废。此类晶片材料在生产上需要考虑其自身物理特性，清洗过程无法套用标准晶圆行业设备。在清洗除液环节，常规离心甩干等机械操作容易解理报废，因而此类晶片的清洗流转操作主要依赖于镊子等手工夹具，其表面除水过程也本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片双面除液部件，其特征在于，包括配合使用的除液部件和支撑部件；所述除液部件包括位于晶片(103)上方的上喷嘴(104)和位于晶片(103)下方的下喷嘴(102)；所述上喷嘴(104)和所述下喷嘴(102)的喷口均朝向所述晶片(103)；所述上喷嘴(104)通过上气流臂(105)与气源连接，所述下喷嘴(102)通过下气流臂(101)与气源连接；所述上气流臂(105)和所述下气流臂(101)通过连杆(106)连接；所述支撑部件包括底板(206)和若干垂直设置在所述底板上方的中空立柱(202)；所述底板(206)侧面开有真空连接口(201)，所述真空连接口(201)在所述底板(206)内部独立的与各所述中空立柱(202)连通，所述真空连接口(201)外接真空泵。2.根据权利要求1所述晶片双面除液部件，其特征在于，所述上喷嘴(104)与所述下喷嘴(105)的连线垂直于所述晶片(103)，所述上喷嘴(104)与所述下喷嘴(102)喷出的气流在所述晶片(103)的同一位置。3.根据权利要求2所述晶片双面除液部件，其特征在于，所述上喷嘴(104)与所述下喷嘴(102)的出气口为由里到外逐步扩大的一字型，且出气口最外侧平行于所述晶片(103)，喷出的气流为呈一定张角的一字型，且喷出的气流与所述晶片(103)的夹角在15～30
°
之间。4.根据权利要求3所述晶片双面除液部件，其特征在于，所述上喷嘴(104)和所述下喷嘴(102)的数量为复数个，且并排在一条直线上，各所述上喷嘴(104)的出气口在一条直线上，各所述下喷嘴(102)的出气口在一条直线上。5.根据权利要求1所述晶片双面除液部件，其特征在于，所述上气流臂(105)和所述下气流臂(101)与不同的气源连接，所述上喷嘴(104)连接的气源压强大于所述下喷嘴(102)连接的气源压强。6.根据权利要求5所述晶片双面除液部件，其特征在于，所述上气流臂(105)连接的气源压强比所述下气流臂(101)连接的气源压强...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁桂荣，梁万国，陈怀熹，冯新凯，陈家颖，
申请(专利权)人：闽都创新实验室，
类型：发明
国别省市：