一种介质谐振器天线及通信设备制造技术

本发明专利技术实施例涉及通信技术领域,尤其公开了一种介质谐振器天线及通信设备，包括第一介质基板、第二介质基板和多个去耦合结构，所述第一介质基板设置有多个谐振器，多个所述谐振器间隔阵列，任意相邻两个所述谐振器的中心间距为0.45λ，所述第二介质基板与所述第一介质基板叠置，所述第二介质基板包括多个馈电片，一所述馈电片与一所述谐振器对应，多个所述去耦合结构固定于所述第一介质基板，并且一所述去耦合结构位于任意相邻两个所述谐振器之间。通过上述方式，本发明专利技术实施例能够使得介质谐振器天线的电子扫描角为

【技术实现步骤摘要】
一种介质谐振器天线及通信设备


[0001]本专利技术实施例涉及通信
，特别是涉及一种介质谐振器天线及通信设备。

技术介绍

[0002]随着无线通信的技术的不断发展，无线通信技术步入5G通信时代，5G通信是采用毫米波通信，5G毫米波通信具有大带宽、大容量、低时延等优点，通信设备也随之配有5G通信模块和5G天线，以实现5G通信。由于介质谐振器天线具有更低的损耗和更高的辐射效率，现在通信设备的天线通常采用介质谐振器天线。
[0003]然而，在实现本专利技术实施例的过程中，专利技术人发现：目前，介质谐振器天线的电子扫描角为
‑
50
°
至50
°
，以致介质谐振器天线的覆盖范围低。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例主要解决的技术问题是提供一种介质谐振器天线，使得介质谐振器天线的电子扫描角为
‑
60
°
至60
°
，扩大介质谐振器天线的覆盖范围。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种介质谐振器天线，包括第一介质基板、第二介质基板和多个去耦合结构，所述第一介质基板设置有多个谐振器，多个所述谐振器间隔阵列，任意相邻两个所述谐振器的中心间距为0.45λ，所述第二介质基板与所述第一介质基板叠置，所述第二介质基板包括多个馈电片，一所述馈电片与一所述谐振器对应，多个所述去耦合结构固定于所述第一介质基板，并且一所述去耦合结构位于任意相邻两个所述谐振器之间。<br/>[0006]可选的，所述第一介质基板包括第一接地板、第一介质层和第二接地板，所述第一接地板、所述第一介质层和所述第二接地板叠置，并且所述第一介质层位于所述第一接地板和所述第二接地板之间，所述第一介质层设置有多个所述谐振器。
[0007]可选的，所述第一介质层设置有多个空气孔和多个圆柱部，多个所述空气孔环绕多个所述圆柱部的圆周边缘，并且将多个所述圆柱部间隔阵列，一所述圆柱部与环绕圆柱部的圆周边缘的所述空气孔形成一所述谐振器，所述第一接地板设置有开口，多个所述谐振器暴露于所述开口。
[0008]可选的，所述第一介质基板包括多个金属柱，多个所述金属柱固定于所述第一介质层，多个所述金属柱环绕多个所述谐振器的周缘，所述金属柱的一端与所述第一接地板连接，所述金属柱的另一端与所述第二接地板连接。
[0009]可选的，所述去耦合结构包括第一去耦合组件和第二去耦合组件，所述第一去耦合组件和所述第二去耦合组件呈镜像对称固定于所述第一介质层，并且所述第一去耦合组件和所述第二去耦合组件位于相邻两个所述谐振器之间，所述第一去耦合组件和所述第二去耦合组件均暴露于所述开口。
[0010]可选的，所述第一介质层设置有多个第一安装孔和多个第二安装孔，一所述第一安装孔和一所述第二安装孔呈镜像对称设置于相邻两个所述圆柱部之间，所述第二接地板
设置有多个第一暴露孔和多个第二暴露孔，一所述第一暴露孔与一所述第一安装孔连通；一所述第二暴露孔与一所述第二安装孔连通；
[0011]所述第一去耦合组件包括第一固定柱和第一去耦合片，一所述第一固定柱固定于一所述第一安装孔，一所述第一固定柱的一端暴露于一所述第一暴露孔，一所述第一去耦合片与一所述第一固定柱的另一端连接；
[0012]所述第二去耦合组件包括第二固定柱和第二去耦合片，一所述第二固定柱固定于一所述第二安装孔，一所述第二固定柱的一端暴露于一所述第二暴露孔，一所述第二去耦合片与一所述第二固定柱的另一端连接。
[0013]可选的，所述第二介质基板包括馈电板和第二介质层，所述第二介质层与所述第二接地板叠置，所述馈电板与所述第二介质层叠置。
[0014]可选的，所述第二接地板设置有多个耦合馈电缝隙，多个所述馈电片固定于所述馈电板背离所述第二介质层的表面，沿着所述第一接地板层往所述馈电板的方向，一所述耦合馈电缝隙与一所述馈电片重置。
[0015]可选的，所述第一接地板、所述第二接地板和所述馈电板均由金属制作而成的。
[0016]为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是：提供一种通信设备，包括上述的介质谐振器天线。
[0017]本专利技术实施例中，介质谐振器天线包括第一介质基板、第二介质基板和多个去耦合结构，所述第一介质基板设置有多个谐振器，多个所述谐振器间隔阵列，任意相邻两个所述谐振器的中心间距为0.45λ，所述第二介质基板与所述第一介质基板叠置，所述第二介质基板包括多个馈电片，一所述馈电片与一所述谐振器对应，多个所述去耦合结构固定于所述第一介质基板，并且一所述去耦合结构位于任意相邻两个所述谐振器之间。通过任意相邻两个谐振器的中心间距为0.45λ，使得介质谐振器天线的电子扫描角为
‑
60
°
至60
°
，扩大介质谐振器天线的覆盖范围。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据附图获得其他的附图。
[0019]图1是本专利技术实施例提供的介质谐振器天线的结构示意图；
[0020]图2是本专利技术实施例提供的介质谐振器天线的结构爆炸示意图；
[0021]图3是本专利技术实施例提供的介质谐振器天线有无多个去耦合结构的隔离度图；
[0022]图4是本专利技术实施例提供的介质谐振器天线有无多个去耦合结构的方向图；
[0023]图5是本专利技术实施例提供的介质谐振器天线的散射参数图；
[0024]图6是本专利技术实施例提供的介质谐振器天线的扫描角度图。
[0025]附图标记说明：
[0026]100、介质谐振器天线；1、第一介质基板；11、第一接地板；111、开口；12、第一介质层；121、空气孔；122、圆柱部；123、第一安装孔；124、第二安装孔；125、固定孔；126、谐振器；13、第二接地板；131、第一暴露孔；132、第二暴露孔；133、耦合馈电缝隙；14、金属柱；2、第二
介质基板；21、第二介质层；22、馈电板；23、馈电片；3、去耦合结构；31、第一去耦合组件；311、第一固定柱；312、第一去耦合片；32、第二去耦合组件；321、第二固定柱；322、第二去耦合片。
具体实施方式
[0027]为了便于理解本专利技术，下面结合附图和具体实施例，对本专利技术进行更详细的说明。需要说明的是，当元件被表述“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上、或者其间可以存在一个或多个居中的元件。当一个元件被表述“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件、或者其间可以存在一个或多个居中的元件。本说明书所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0028]除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种介质谐振器天线，其特征在于，包括：第一介质基板，设置有多个谐振器，多个所述谐振器间隔阵列，任意相邻两个所述谐振器的中心间距为0.45λ；第二介质基板，与所述第一介质基板叠置，所述第二介质基板包括多个馈电片，一所述馈电片与一所述谐振器对应；多个去耦合结构，多个所述去耦合结构固定于所述第一介质基板，并且一所述去耦合结构位于任意相邻两个所述谐振器之间。2.根据权利要求1所述的介质谐振器天线，其特征在于，所述第一介质基板包括第一接地板、第一介质层和第二接地板，所述第一接地板、所述第一介质层和所述第二接地板叠置，并且所述第一介质层位于所述第一接地板和所述第二接地板之间，所述第一介质层设置有所述多个谐振器。3.根据权利要求2所述的介质谐振器天线，其特征在于，所述第一介质层设置有多个空气孔和多个圆柱部，多个所述空气孔环绕多个所述圆柱部的圆周边缘，并且将多个所述圆柱部间隔阵列，一所述圆柱部与环绕圆柱部的圆周边缘的所述空气孔形成一所述谐振器，所述第一接地板设置有开口，多个所述谐振器暴露于所述开口。4.根据权利要求3所述的介质谐振器天线，其特征在于，所述第一介质基板包括多个金属柱，多个所述金属柱固定于所述第一介质层，多个所述金属柱环绕多个所述谐振器的周缘，所述金属柱的一端与所述第一接地板连接，所述金属柱的另一端与所述第二接地板连接。5.根据权利要求3所述的介质谐振器天线，其特征在于，所述去耦合结构包括第一去耦合组件和第二去耦合组件，所述第一去耦合组件和所述第二去耦合组件呈镜像对称固定于所述第一介质层，并且所述第一去耦合组件和所述第二去耦合组件位于相邻两个所述谐振器之...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵伟，
申请(专利权)人：深圳市信维通信股份有限公司，
类型：发明
国别省市：