一种双层膜丝气液混合装置及双层膜丝制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种双层膜丝气液混合装置及双层膜丝制备方法，其中，双层膜丝气液混合装置包括壳体，壳体长度方向两端开设进液孔和出液孔，壳体侧壁开设进气孔，壳体连接渗透效率不同的第一渗透膜和第二渗透膜，第二渗透膜呈管状设置且两端分别与进液孔和出液孔连通，纯水由进液孔进入壳体后流入第二渗透膜内，二氧化碳由进气孔进入壳体后依次透过第一渗透膜和第二渗透膜溶入第二渗透膜内的纯水中，气液混合完成的碳酸水通过第二渗透膜和出液孔由壳体内排出。本发明专利技术用以解决现有技术中二氧化碳溶入纯水的速率过快而超出期望溶入速率的问题，以及碳酸水的电导率分布不均匀，难以满足后端半导体设备清洗晶圆对碳酸水电导率的要求。的要求。的要求。

【技术实现步骤摘要】
一种双层膜丝气液混合装置及双层膜丝制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体清洗设备领域，尤其涉及一种双层膜丝气液混合装置及双层膜丝制备方法。

技术介绍

[0002]半导体制程中需要应用气体，以纯水防静电装置为例，其原理为向高电阻率的纯水中添加高纯度二氧化碳，在水中产生适量的离子增强纯水的导电性，从而降低纯水的电阻率，以防止在晶圆划片制程加工过程中产生静电积聚，有效消除硅屑、陶瓷屑的静电吸附，便于超声波清洗干净。烘干后二氧化碳挥发，被清洗的物体表面不残留任何杂质，具有不存在二次污染的优势，在半导体制程中多应用于芯片的切割、晶圆的划片和清洗，以及光掩模清洗等步骤。
[0003]纯水防静电装置中设有用于混合二氧化碳和纯水的气液混合装置，气液混合装置中设置膜丝，分别向气液混合装置中膜丝的两侧通入二氧化碳和纯水，二氧化碳渗透至纯水中以达到气液混合的目的。现有技术中由于二氧化碳通入气液混合装置后直接与膜丝接触并渗透混合至纯水中，二氧化碳与膜丝之间不存在缓冲结构，从而导致二氧化碳溶入纯水的速率过快而超出期望溶入速率的问题，并且，由于二氧化碳与膜丝之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双层膜丝气液混合装置，其特征在于，包括：壳体，所述壳体长度方向两端开设进液孔和出液孔，所述壳体侧壁开设进气孔，所述壳体连接渗透效率不同的第一渗透膜和第二渗透膜，所述第二渗透膜呈管状设置且两端分别与进液孔和出液孔连通，纯水由所述进液孔进入壳体后流入所述第二渗透膜内，二氧化碳由所述进气孔进入壳体后依次透过第一渗透膜和第二渗透膜溶入第二渗透膜内的纯水中，气液混合完成的碳酸水通过第二渗透膜和出液孔由所述壳体内排出。2.根据权利要求1所述的双层膜丝气液混合装置，其特征在于，所述第一渗透膜围绕壳体内壁设置，呈管状设置的所述第二渗透膜设置为若干个且均匀分布所述第一渗透膜远离壳体一侧，多个所述第二渗透膜的轴线与所述第一渗透膜的轴线之间的直线距离均相等。3.根据权利要求1所述的双层膜丝气液混合装置，其特征在于，所述进气孔连接膜架组件，所述膜架组件包括第一架体和第二架体，所述第一架体与进气孔固定连接，所述第二架体与所述第一架体可拆卸连接，所述第一渗透膜夹持于所述第一架体和第二架体之间；呈管状设置的所述第二渗透膜设置为若干个且围绕所述壳体内径均匀分布，多个所述第二渗透膜的轴线与所述壳体的轴线之间的直线距离均相等。4.根据权利要求2或3所述的双层膜丝气液混合装置，其特征在于，所述壳体包括第一盖体、第二盖体以及混合管道，所述第一盖体和第二盖体扣合于所述混合管道长度方向两端，所述第一盖体开设进液孔，所述第二盖体开设出液孔，所述进气孔开设于所述混合管道的侧壁。5.根据权利要求4所述的双层膜丝气液混合装置，其特征在于，所述第一盖体连接第一分液块，所述第一分液块均匀分布若干与进液孔连通的第一分液孔，每个所述第一分液孔对应连通一个所述第二渗...

【专利技术属性】
技术研发人员：华斌，孙先淼，周训丙，
申请(专利权)人：苏州智程半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：