【技术实现步骤摘要】
一种二维种子诱导生长的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
[0001]本专利技术涉及太阳能电池
,具体涉及一种二维种子诱导生长的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
[0002]近年来,随着有机/无机杂化钙钛矿太阳电池的能量转化效率快速提升,稳定性和大面积器件的制备技术正在成为钙钛矿太阳电池电池领域所关注的重点。从钙钛矿太阳能电池的结构角度来看,钙钛矿太阳能电池本质上是一个具有多层结构的异质结器件,由钙钛矿光吸收层、载流子传输层和电极组成。当太阳光照射器件时,钙钛矿接受光照激发后吸收能量产生载流子(电子
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空穴对),随后电子和空穴分离,电子从钙钛矿传输到电子传输层,后传导至导电玻璃,空穴从钙钛矿层迁移至空穴传输层,随后传输至对电极,最终空穴和电子通过外电路形成电流。
[0003]尽管钙钛矿太阳能电池制备过程简单,但在薄膜的形成过程中很容易引入大量的缺陷。光生载流子迁移过程会因为这种缺陷阻碍载流子传输通道,从而发生载流子产生复合,损失大量载流子,不利于制备高效率的钙钛矿太阳能电池,同时也会影响钙钛矿电池工作的长期稳定性,加速材料的降解,阻碍了钙钛矿太阳能电池进一步商业化发展。因此有效地抑制缺陷产生,对制备高性能长寿命器件至关重要。
[0004]现有技术中,一般是通过在钙钛矿/载体选择界面处引入合适的材料进行表面钝化,可以修复界面处的深层缺陷,有效提高钙钛矿太阳能电池的性能,但是表面钝化处理可能诱发钙钛矿表面功函数的转变,从而激活卤化物迁移,加剧钙钛矿太阳能电池的不稳定性,而且由于钝 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种二维种子诱导生长的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、制备导电玻璃基底:对氧化铟锡玻璃基板进行超声清洗,清洗结束后,使用氮气气流进行干燥,进行紫外臭氧处理,形成导电玻璃基底;步骤二、制备电子传输层:在导电玻璃表面上表面旋涂铺满二氧化锡胶体稀释液后,于80
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150℃的温度条件中退火处理0.5
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30min,形成电子传输层;步骤三、制备三维钙钛矿薄膜层:将二维种子溶液滴在电子传输层上表面,旋涂铺满,置于60
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80℃的温度条件中,进行退火处理10
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15s,形成二维种子层,将有机盐溶液滴在二维种子层上表面,旋涂铺匀后,在湿度为30
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40%、温度为120
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150℃的条件中,进行退火处理10
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20min,形成三维钙钛矿薄膜层;步骤四、制备空穴传输层:将2,2',7,7'
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四[N,N
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二(4
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甲氧基苯基)氨基]
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9,9'
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螺二芴与氯苯混合,搅拌至完全溶解,再加入4
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叔丁基吡啶和双三氟甲烷磺酰亚胺锂乙腈溶液,搅拌混匀后,将其滴在三维钙钛矿薄膜层上表面,2000
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3000rmp旋涂20
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40s后,使用干燥空气氧化12
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24h,形成空穴传输层;步骤五、制备银电极:在空穴传输层上表面蒸镀银电极。2.根据权利要求1所述的一种二维种子诱导生长的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤二中,所述二氧化锡胶体稀释液的质量浓度为2.5%。3.根据权利要求1所述的一种二维种子诱导生长的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤三中,所述二维种子溶液的制备方法具体为:向N,N
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二甲基甲酰胺和二甲基亚砜混合...
【专利技术属性】
技术研发人员:侯山月,黄跃龙,马鑫浩,刘建波,贾炜宽,黄雪峰,
申请(专利权)人:湖州市鹑火光电有限公司,
类型:发明
国别省市:
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