一种用于硅片涂布的载具及其使用方法技术

本申请提供了一种用于硅片涂布的载具及其使用方法，本申请通过在凹槽侧壁设置开孔，使得硅片边缘空间联通载具外的常压空间，进而使得硅片边缘空间在涂布过程中保持常压，避免了涂覆在硅片表面的溶液被吸入真空吸附平台及硅片底部，提高了涂布均匀性；通过调控凹槽的侧壁与硅片边缘的间距为0.01mm至2mm，使得狭缝涂布装置的刀头到达凹槽与硅片之间的缝隙时，溶液因自身表面张力而不会掉落于该缝隙中，进而实现充分覆盖硅片上表面；通过调控硅片边缘超出真空吸附平台的边缘的距离为大于0至30mm，使得硅片边缘形成常压腔的同时，避免了硅片边缘下垂或翘曲，提高了涂布均匀性和产品合格率。品合格率。品合格率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于硅片涂布的载具及其使用方法


[0001]本申请涉及涂布
，特别是涉及一种用于硅片涂布的载具及其使用方法。

技术介绍

[0002]狭缝涂布，是一种在一定压力下，将涂液沿着模具缝隙压出并转移到移动基材上的一种涂布技术，它以其涂布速度快、涂膜均匀性好、涂布窗口宽等特点，代表了湿法涂布未来发展方向。在进行高精度涂布时，因为硅片会有形变，故一定需要进行真空吸附，以保证平整度；但是，在硅片表面进行精密涂布时，底下的真空吸附平台与硅片之间的狭缝将形成极强的毛细管力，在实施全面涂布时，溶液被毛细管力作用，被吸入真空平台及硅片底部，导致全面涂布失败。因此，如何提高硅片涂布的覆盖面积及涂布均匀性，是现有硅片涂布工艺中一个亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于提供一种用于硅片涂布的载具及其使用方法，以提高硅片涂布的覆盖面积及涂布的均匀性。具体技术方案如下：
[0004]本申请第一方面提供了一种用于硅片涂布的载具，其中，所述载具包括：凹槽和真空吸附平台，
[0005]所述凹槽具有侧壁和底壁，所述侧壁中具有开孔；
[0006]所述真空吸附平台位于所述凹槽内，所述真空吸附平台的高度为10mm至50mm；
[0007]硅片放置在所述凹槽内的真空吸附平台上，所述开孔的位置低于所述硅片的下表面，所述开孔使硅片与凹槽内外呈常压状态；
[0008]所述硅片边缘与所述凹槽的侧壁的间距为0.01mm至2mm，
[0009]所述硅片边缘超出所述真空吸附平台的边缘的距离为大于0至30mm。
[0010]本申请第二方面提供了一种本申请第一方面所述的载具的使用方法，其中，所述方法包括：
[0011]制备涂布溶液；
[0012]通过真空吸附平台吸附制绒处理后的硅片；
[0013]从凹槽的侧壁开始，将所述涂布溶液通过狭缝涂布装置的刀头涂覆于硅片的表面并干燥，制得涂布层。
[0014]本申请提供了一种用于硅片涂布的载具及其使用方法，本申请通过在凹槽侧壁设置开孔，使得硅片边缘空间联通载具外的常压空间，进而使得硅片边缘空间在涂布过程中保持常压，避免了涂覆在硅片表面的溶液被吸入真空吸附平台及硅片底部，提高了涂布均匀性；通过调控凹槽的侧壁与硅片边缘的间距为0.01mm至2mm，使得狭缝涂布装置的刀头到达凹槽与硅片之间的缝隙时，溶液因自身表面张力而不会掉落于该缝隙中，进而实现充分覆盖硅片上表面；通过调控硅片边缘超出真空吸附平台的边缘的距离为大于0至30mm，使得硅片边缘形成常压腔的同时，避免了硅片边缘下垂或翘曲，提高了涂布均匀性和产品合格
率。
[0015]当然，实施本申请的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的实施例。
[0017]图1为本申请载具的结构示意图；图中，1.凹槽，1a.侧壁，1b.底壁，2.真空吸附平台，3.硅片。
具体实施方式
[0018]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。本领域技术人员基于本申请所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0019]本申请第一方面提供了一种用于硅片涂布的载具，其中，所述载具包括：凹槽和真空吸附平台，
[0020]所述凹槽具有侧壁和底壁，所述侧壁中具有开孔；
[0021]所述真空吸附平台位于所述凹槽内，所述真空吸附平台的高度为10mm至50mm；
[0022]硅片放置在所述凹槽内的真空吸附平台上，所述开孔的位置低于所述硅片的下表面，所述开孔使硅片与凹槽内外呈常压状态；
[0023]所述硅片边缘与所述凹槽的侧壁的间距为0.01mm至2mm，
[0024]所述硅片边缘超出所述真空吸附平台的边缘的距离为大于0至30mm。
[0025]在本申请第一方面的一些实施方式中，如图1所示，所述载具包括：凹槽1和真空吸附平台2，
[0026]凹槽1具有侧壁1a和底壁1b，侧壁1a中具有开孔；
[0027]真空吸附平台2位于凹槽1内，真空吸附平台2的高度为10mm至50mm；
[0028]硅片3放置在凹槽1内的真空吸附平台2上，开孔的位置低于硅片3的下表面，开孔使硅片3与凹槽1内外呈常压状态；
[0029]硅片3边缘与凹槽1的侧壁1a的间距为0.01mm至2mm，
[0030]硅片3边缘超出真空吸附平台2的边缘的距离为大于0至30mm。
[0031]本申请通过在凹槽侧壁设置开孔，且开孔的位置低于硅片的下表面，使得硅片边缘空间联通载具外的常压空间，进而使得硅片边缘空间在涂布过程中保持常压，从而避免涂覆在硅片表面的涂布溶液被吸入真空吸附平台及硅片底部，并能够提高涂布的均匀性；通过调控凹槽的侧壁与硅片边缘的间距为0.01mm至2mm，使得狭缝涂布装置的刀头到达凹槽与硅片之间的缝隙时，溶液因自身表面张力而不会掉落于该缝隙中，进而实现充分覆盖硅片上表面；通过调控硅片边缘超出真空吸附平台的边缘的距离为大于0至30mm，使得硅片边缘形成常压腔，同时能够避免距离过大导致硅片边缘下垂或翘曲，从而提高了涂布的均
匀性和产品的合格率。本申请中，所述常压状态是指一个大气压。
[0032]本申请对所述凹槽的材料没有特别的限定，只要能够实现本申请的目的即可；示例性地，所述凹槽的材料选自不锈钢、铝板、玻璃。
[0033]本申请中，所述侧壁中的开孔为凹槽内外贯通的开孔，对所述开孔的高度没有特别的限定，只要能够实现本申请的目的即可；优选地，所述开孔的高度为0.5
‑
2mm。
[0034]优选地，所述硅片边缘与所述凹槽的侧壁的间距为0.5mm至1mm。
[0035]优选地，所述硅片边缘超出所述真空吸附平台的边缘的距离为0.3mm至25mm，更优选地，所述硅片边缘超出所述真空吸附平台的边缘的距离为0.3mm至15mm。
[0036]本申请对所述凹槽的形状没有特别的限定，只要能够实现本申请的目的即可；在本申请第一方面的一些实施方式中，所述凹槽的形状选自圆形、矩形、正方形或转角方形。
[0037]在本申请第一方面的一些实施方式中，所述真空吸附平台设置有小孔，所述小孔的直径为0.05mm至2mm，所述真空吸附平台的小孔面密度为10个/cm2至300个/cm2。
[0038]在本申请第一方面的一些实施方式中，所述真空吸附平台的平面度小于20μm，所述真空吸附平台的吸附力为0.1N至50N。本申请通过调控真空吸附平台的平面度小于20μm，有利于提高涂布层的平整程度，提高涂布精度；通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于硅片涂布的载具，其中，所述载具包括：凹槽和真空吸附平台，所述凹槽具有侧壁和底壁，所述侧壁中具有开孔；所述真空吸附平台位于所述凹槽内，所述真空吸附平台的高度为10mm至50mm；硅片放置在所述凹槽内的真空吸附平台上，所述开孔的位置低于所述硅片的下表面，所述开孔使硅片与凹槽内外呈常压状态；所述硅片边缘与所述凹槽的侧壁的间距为0.01mm至2mm，所述硅片边缘超出所述真空吸附平台的边缘的距离为大于0至30mm。2.根据权利要求1所述的载具，其中，所述硅片边缘与所述凹槽的侧壁的间距为0.5mm至1mm。3.根据权利要求1所述的载具，其中，所述硅片边缘超出所述真空吸附平台的边缘的距离为0.3mm至25mm。4.根据权利要求1所述的载具，其中，所述凹槽的形状选自圆形、矩形、正方形或转角方形。5.根据权利要求1所述的载具，其中，所述真空吸附平台设置有小孔，所述小孔的直径为0.05mm至2mm，所述真空吸附平台的小孔面密度为10个/cm2至300个/cm2。6.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：虞旺，马晨，
申请(专利权)人：大正江苏微纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：