一种无孔化基片集成同轴线制造技术

本发明专利技术提供一种无孔化基片集成同轴线，包括两个接头段、两个渐变段和传输段，两个所述渐变段设置在传输段两端，两个所述接头段分别连接在两个接头段两端；两个接头段、两个渐变段和传输段均包括底层金属基板、底层介质基板、中心导体带和两个边缘导体带，底层介质基板设置在底层金属基板上，中心导体带和两个边缘导体带均设置在底层介质基板上，两个边缘导体带设置在中心导体带两侧，两个所述边缘导体带均设置有连接带和与连接带相连接的多个枝节，相邻枝节之间设置有间隔；两个渐变段和传输段还包括上层介质基板和上层金属基板，上层介质基板设置在中心导体带和两个边缘导体带上方，上层金属基板设置在上层介质基板上方。上层金属基板设置在上层介质基板上方。上层金属基板设置在上层介质基板上方。

【技术实现步骤摘要】
一种无孔化基片集成同轴线


[0001]本专利技术涉及5G通信
，尤其涉及一种无孔化基片集成同轴线。

技术介绍

[0002]随着5G通信系统的快速发展，目前Sub
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6GHz频段已经商用，毫米波频段到太赫兹频段具有非常大的发展潜力。毫米波(mmW)通信技术由于其支持多个高速数据链路传输的能力而引起了极大的关注。传输线作为微波电路的前端系统，是一切微波射频电路的基础，其性能极大地影响传输系统。随着集成电路的发展，在大规模集成电路和器件逐渐小型化的应用需求下，电路的集成化格外重要，此时需考虑的在高密度电路中相邻线路之间的干扰。因此，应优先选择屏蔽型传输线结构。
[0003]目前，常用的屏蔽型传输线分为基片集成波导(Substrateintegratedwaveguide,SIW)，同轴线，带状线和基片集成同轴线(substrate
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integratedcoaxiallines，SICL)结构。同轴线具有很好的屏蔽效应，但是由于是三维圆柱形结构不容易与其他平面型设计集成，不易于集成。带状线则存在侧向泄本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无孔化基片集成同轴线，其特征在于，所述无孔化基片集成同轴线包括两个接头段(5)、两个渐变段(6)和传输段(7)，两个所述渐变段(6)设置在传输段(7)两端，两个所述接头段(5)分别连接在两个接头段(5)两端；两个接头段(5)、两个渐变段(6)和传输段(7)均包括底层金属基板(9)、底层介质基板(8)、中心导体带(3)和两个边缘导体带(4)，所述底层介质基板(8)设置在底层金属基板(9)上方，所述中心导体带(3)和两个边缘导体带(4)均设置在底层介质基板(8)上方，所述中心导体带(3)沿底层介质基板(8)的长度方向由底层介质基板(8)的一端延伸至另一端，两个所述边缘导体带(4)设置在中心导体带(3)两侧，两个所述边缘导体带(4)均设置有连接带(41)和与连接带(41)相连接的多个枝节(42)，所述枝节(42)向背离中心导体带(3)的方向延伸，相邻枝节(42)之间设置有间隔；两个渐变段(6)和传输段(7)还包括上层介质基板(2)和上层金属基板(1)，所述上层介质基板(2)设置在所述中心导体带(3)和两个边缘导体带(4)上方，所述上层金属基板(1)设置在所述上层介质基板(2)上方。2.根据权利要求1所述的无孔化基片集成同轴线，其特征在于，所述枝节(42)设置有多个，多个所述枝节(42)在所述连接带(41)的边缘处均匀排布。3.根据权利要求1所述的无孔化基片集成同轴线，其特征在于，处于所述渐变段(6)的所述上层金属基板(1)设置有缺口(11)，所述缺口(11)设置在所述上层金属基板(1)远离所述传输段(7)一侧。4.根据权利要求3所述的无孔化基片集成同轴线，其特征在于，处于所述渐变段(6)的所述缺口(11)在靠近相邻的所述接头段(5)的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚远，程潇鹤，谢停停，
申请(专利权)人：北京邮电大学，
类型：发明
国别省市：