一种低成本50-75欧姆低PIM同轴线阻抗转接段制造技术

本发明专利技术公开了一种低成本50

【技术实现步骤摘要】
一种低成本50
‑
75欧姆低PIM同轴线阻抗转接段


[0001]本专利技术涉及一种转接段，具体涉及一种低成本50
‑
75欧姆低PIM同轴线阻抗转接段。

技术介绍

[0002]目前，公知的同轴电缆50
‑
75欧姆转换需要首先使用专门的匹配压接结构实现转接头到电缆的连接，再使用50欧姆至75欧姆的转接器实现两段电缆连接。压接结构会与电缆内外导体物理压接从而导致接触不确定性，从而导致PIM指标的不稳定性。与此同时，面向不同的电缆直径需要需用不同类型的压接转接头，增加了转接成本和结构复杂性。由此迫切需要一种快速转换的低成本方案可针对常见不同阻抗的电缆实现低PIM的转接。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供了一种低成本50
‑
75欧姆低PIM同轴线阻抗转接段，该转接段具有结构简单以及成本低的特点。
[0004]为达到上述目的，本专利技术公开了一种低成本50
‑
75欧姆低PIM同轴线阻抗转接段包括转换段外导体金属槽；
[0005]转换段外导体金属槽内部依次镶嵌有介质填充层及转换段内导体金属槽，转换段外导体金属槽的两端、介质填充层的两端及转换段内导体金属槽的两端均设置有通孔，待测同轴线内导体穿过转换段外导体金属槽端部的通孔及介质填充层端部的通孔插入于转换段内导体金属槽端部的通孔内，待测同轴线外导体焊接于转换段外导体金属槽的外壁上；待测同轴线内导体采用过孔焊接的方式焊接于转换段内导体金属槽上。
[0006]所述转换段的长边长度为使用频段中心频点的四分之一波长。
[0007]所述波长由转换段外导体金属槽及转换段内导体金属槽的形状与介质填充层的介质介电常数共同决定。
[0008]转换段外导体金属槽、介质填充层及转换段内导体金属槽构成边缘卷起的微带线结构。
[0009]转换段外导体金属槽等效为微带传输线的地平面导体。
[0010]介质填充层等效为微带传输线的介质层。
[0011]转换段内导体金属槽等效为微带传输线的上导体信号线。
[0012]介质填充层的厚度及尺寸决定所述转换段的尺寸。
[0013]本专利技术具有以下有益效果：
[0014]本专利技术所述的低成本50
‑
75欧姆低PIM同轴线阻抗转接段在具体操作时，待测同轴线内导体穿过转换段外导体金属槽端部的通孔及介质填充层端部的通孔插入于转换段内导体金属槽端部的通孔内，待测同轴线外导体焊接于转换段外导体金属槽的外壁上；待测同轴线内导体采用过孔焊接的方式焊接于转换段内导体金属槽上，结构简单，可以显著降低通信基站以及测试应用中的50
‑
75欧姆电缆转换成本，增加转换的可靠性。
附图说明
[0015]图1为本专利技术的剖视图；
[0016]图2为本专利技术的结构图。
[0017]其中，1为转换段外导体金属槽、2为介质填充层、3为转换段内导体金属槽、4为待测同轴线外导体、5为待测同轴线内导体。
具体实施方式
[0018]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，不是全部的实施例，而并非要限制本专利技术公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要的混淆本专利技术公开的概念。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0019]在附图中示出了根据本专利技术公开实施例的结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
[0020]参考图1及图2，本专利技术所述的低成本50
‑
75欧姆低PIM同轴线阻抗转接段包括转换段外导体金属槽1、介质填充层2及转换段内导体金属槽3；
[0021]转换段外导体金属槽1内部依次镶嵌有介质填充层2及转换段内导体金属槽3，转换段外导体金属槽1的两端、介质填充层2的两端及转换段内导体金属槽3的两端均设置有通孔，待测同轴线内导体5穿过转换段外导体金属槽1端部的通孔及介质填充层2端部的通孔插入于转换段内导体金属槽3端部的通孔内，待测同轴线外导体4焊接于转换段外导体金属槽1的端部，待测同轴线内导体5采用过孔焊接的方式焊接于转换段内导体金属槽3上，优选的，所述通孔为圆孔。
[0022]参考图2，本专利技术所述转换段的长边长度为使用频段中心频点的四分之一波长，该波长由转换段外导体金属槽1及转换段内导体金属槽3的形状与介质填充层2的介质介电常数共同决定。
[0023]本实施例中，所述转换段外导体金属槽1、介质填充层2及转换段内导体金属槽3构成边缘卷起的微带线结构，转换段外导体金属槽1、介质填充层2及转换段内导体金属槽3分别等效为微带传输线的地平面导体、介质层及上导体信号线，介质填充层2的厚度及尺寸决定转换段的尺寸。
[0024]需要说明的是，本专利技术通过在转换段外导体金属槽1与转换段内导体金属槽3之间设置介质填充层2，实现传输线信号线与地线的隔离，通过纯银以及三元合金镀层工艺，实现金属镀层的低PIM控制。同时针对不同的频段应用，可以通过控制转换段外导体金属槽1与转换段内导体金属槽3的尺寸和间距以及介质填充层2的厚度，实现转接段的阻抗调节。使用中，需要将两端转换的50欧姆及75欧姆电缆线剥皮露出内外导体，外导体焊接于转换段外导体金属槽1上，内导体焊接于转换段内导体金属槽3上的通孔内。使用中，通过适量的
焊锡填充电缆与通孔之间的间隙，实现低PIM连接。
[0025]本专利技术所述的转接段不仅适用于75欧姆电缆测试需求，也可针对具体应用场景，实现电缆线的阻抗转换连接。
[0026]需要说明的是，本专利技术利用内嵌式的低PIM金属传输线通过过孔焊接，快速实现低成本小型化的电缆阻抗转换效果，可以显著降低通信基站以及测试应用中的50
‑
75欧姆电缆转换成本，增加转换的可靠性。
[0027]最后应当说明的是：以上实施例仅用以说明本专利技术的技术方案而非对其限制，尽管参照上述实施例对本专利技术进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本专利技术的具体实施方式进行修改或者等同替换，而未脱离本专利技术精神和范围的任何修改或者等同替换，其均应涵盖在本专利技术的权利要求保护范围之内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低成本50
‑
75欧姆低PIM同轴线阻抗转接段，其特征在于，包括转换段外导体金属槽(1)；转换段外导体金属槽(1)内部依次镶嵌有介质填充层(2)及转换段内导体金属槽(3)，转换段外导体金属槽(1)的两端、介质填充层(2)的两端及转换段内导体金属槽(3)的两端均设置有通孔，待测同轴线内导体(5)穿过转换段外导体金属槽(1)端部的通孔及介质填充层(2)端部的通孔插入于转换段内导体金属槽(3)端部的通孔内，待测同轴线外导体(4)焊接于转换段外导体金属槽(1)的外壁上；待测同轴线内导体(5)采用过孔焊接的方式焊接于转换段内导体金属槽(3)上。2.根据权利要求1所述的低成本50
‑
75欧姆低PIM同轴线阻抗转接段，其特征在于，所述转换段的长边长度为使用频段中心频点的四分之一波长。3.根据权利要求2所述的低成本50
‑
75欧姆低PIM同轴线阻抗转接段，其特征在于，所述波长由转换段外导体金属槽(1)及转换段内导体金属槽(3)...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建军，陈雄，寿皓，
申请(专利权)人：珠海汉胜科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：