一种硅片的清洗工艺制造技术

本发明专利技术公开的一种硅片的清洗工艺，喷淋时设置两个喷嘴，所述两个喷嘴同时对硅片两面进行喷淋清洗，每个喷嘴的水压为0.01～0.1Mpa，流量为0.5～1L/min,喷嘴与硅片间隔为5～10cm，去离子水温为20～40℃，喷淋时间为30～60s。所述喷淋包括如下步骤：步骤一，利用去离子水喷淋清洗硅片表面；步骤二，利用含有表面活性剂、螯合剂的清洗液配合超声对硅片表面进行清洗；步骤三，利用电化学清洗法对硅片表面进行清洗；步骤四，利用去离子水浸泡清洗硅片表面。本发明专利技术采用电化学法清洗硅片，电解液中大量的

【技术实现步骤摘要】
一种硅片的清洗工艺


[0001]本专利技术公开一种硅片的清洗工艺，涉及硅片清洗


技术介绍

[0002]具有众多优点的太阳能在解决能源和环境问题上起着不可替代的作用，而利用太阳能最直接的方式就是光伏发电，晶硅太阳能电池因其无毒无害、寿命长等优点成为光伏市场的主力军。
[0003]硅片是晶硅太阳能电池核心部件，在制备硅片时，加工设备、辅材、操作人员的疏忽都会给硅片表面带来沾污。同时，硅片大尺寸、薄片化的发展趋势使得钨丝金刚石线使用量逐渐增加，这就导致了难处理的钨金属附着在硅片表面。这些沾污会严重影响制绒、扩散等工艺，引起太阳能电池性能衰退，甚至使电池报废等问题，所以硅片清洗是制备太阳能电池至关重要的工艺环节。
[0004]针对现有清洗工艺中大量使用化学试剂造成的成本过高以及对环境不友好等问题，因此我们提出一种新型清洗工艺来解决上述问题。
[0005]本
技术实现思路

[0006]本专利技术目的在于，提供一种硅片的清洗工艺，实现减少化学试剂使用量的清洗工艺，并且有效去除硅片表面的有机物、金属钨、微粒等沾污的功能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片的清洗工艺，其特征在于，喷淋时设置两个喷嘴，所述两个喷嘴同时对硅片两面进行喷淋清洗，每个喷嘴的水压为0.01～0.1Mpa，流量为0.5～1L/min,喷嘴与硅片间隔为5～10cm，去离子水温为20～40℃，喷淋时间为30～60s。2.根据权利要求1所述的硅片的清洗工艺，其特征在于，所述喷淋包括如下步骤：步骤一，利用去离子水喷淋清洗硅片表面；步骤二，利用含有表面活性剂、螯合剂的清洗液配合超声对硅片表面进行清洗；步骤三，利用电化学清洗法对硅片表面进行清洗；步骤四，利用去离子水浸泡清洗硅片表面。3.根据权利要求2所述的硅片的清洗工艺，其特征在于，所述步骤二中，超声频率30～80kHz，超声功率100～500W；所述清洗...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈秀华，李绍元，马文会，席风硕，吕国强，万小涵，魏奎先，伍继君，
申请(专利权)人：云南大学，
类型：发明
国别省市：