一种半导体器件测试设备及方法技术

本申请提出一种半导体器件测试设备及方法，测试设备中第一连接单元的第一端连接于第一电流源的第一端，第二连接单元的第一端连接于第一电流源的第二端，第三连接单元的第一端连接于第一状态切换单元的第一端，第一状态切换单元的第二端连接于第二连接单元的第一端；第一电压测试单元的第一端连接于第一连接单元的第一端，第一电压测试单元的第二端接地；第一连接单元的第二端用于连接测试对象的漏端的载片台，第二连接单元的第二端用于连接测试对象的源端，第三连接单元的第二端用于连接测试对象的栅端。由于测试对象的漏端真空吸附紧密与载片台接触，并与空气无接触，通过载片台进行电压采样时可以避免尖端放电。台进行电压采样时可以避免尖端放电。台进行电压采样时可以避免尖端放电。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件测试设备及方法


[0001]本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种半导体器件测试设备及方法。

技术介绍

[0002]随着科技的发展，半导体器件使用频率越来越高。半导体器件包括MOSFET(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor，MOSFET，金氧半场效晶体管) 和IGBT(绝缘栅双极型晶体管)。IGBT是一种是由BJT(Bipolar Junction Transistor，双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
[0003]在半导体器件的测试过程中，一个重要的测试项目为器件的漏源间的击穿电压（又称为，雪崩电压）测试。如何安全准确地完成该测试，成为了本领域技术人员持续关注的难题。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种半导体器件测试设备及方法，以至少部分改善上述问题。
[0005]为了实现上述目的，本申请实施例采用的技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件测试设备，其特征在于，所述测试设备包括：第一连接单元、第二连接单元、第三连接单元、第一状态切换单元、第一电流源以及第一电压测试单元；所述第一连接单元的第一端连接于所述第一电流源的第一端，所述第二连接单元的第一端连接于所述第一电流源的第二端，所述第三连接单元的第一端连接于所述第一状态切换单元的第一端，所述第一状态切换单元的第二端连接于所述第二连接单元的第一端；所述第一电压测试单元的第一端连接于所述第一连接单元的第一端，所述第一电压测试单元的第二端接地；所述第一连接单元的第二端用于连接测试对象的漏端的载片台，所述第二连接单元的第二端用于连接测试对象的源端，所述第三连接单元的第二端用于连接测试对象的栅端，所述测试对象为IGBT管或MOSFET管。2.如权利要求1所述的半导体器件测试设备，其特征在于，所述测试对象的漏端和源端之间施加有外部额定电压；所述第一电流源用于在所述测试对象的源端施加反向电流；所述第一电压测试单元用于在所述测试对象的漏端电流和所述测试对象的源端电流相等时，测量所述测试对象的漏端到地之间的电压，作为所述测试对象的漏端到源端之间的击穿电压。3.如权利要求1所述的半导体器件测试设备，其特征在于，所述第一状态切换单元用于切换所述测试对象的栅端和源端之间的连接状态。4.如权利要求3所述的半导体器件测试设备，其特征在于，所述第一状态切换单元包括反向偏压电源、第一开关管、第二开关管；所述反向偏压电源的负极与所述第一开关管的第一端的连接处，引出第一接线端子作为所述第一状态切换单元的第一端；所述反向偏压电源的正极连接于所述第二开关管的第一端，所述第二开关管的第二端与所述第一开关管的第二端的连接处，引出第二接线端子作为所述第一状态切换单元的第二端。5.如权利要求1所述的半导体器件测试设备，其特征在于，所述第一连接单元、所述第二连接单元、所述第三连接单元为测试探针。6.一种半导体器件测试方法，其特征在于，应用于权利要求1所述的测试设备，所述方法包括：将第一连接单元的第二端连接于测试对象的漏端的载片台，第二连接单元的第二端连接于所述测试对象的源端，第三连接单元的第二端连接于所述测试对象的栅端，所述测试对象为IGBT管或MOSFET管；在所述测试对象的漏端和源端之间施加外部额定电压，控制所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡傲雪，蒋兴莉，黄庆波，封明辉，
申请(专利权)人：成都高投芯未半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：