用于供给清洗液的方法、装置和清洗设备制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了用于供给清洗液的方法、装置和清洗设备，所述方法包括：监测将流入清洗腔的清洗液的第一温度以及流出所述清洗腔的清洗液的第二温度；根据所述第一温度和所述第二温度的监测值，调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度和流量中的至少一者，以使所述第一温度与所述第二温度的温度差在预定范围内。定范围内。定范围内。

【技术实现步骤摘要】
用于供给清洗液的方法、装置和清洗设备


[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及用于供给清洗液的方法、装置和清洗设备。

技术介绍

[0002]用于制造半导体元件的单晶硅棒主要通过切克劳斯基(Czochralski)法制造，又或被称之为直拉法。当使用直拉法制造单晶硅棒时，首先将多晶硅作为原料在坩埚中进行熔解，再将籽晶浸入所得的硅熔体中，在转动籽晶及坩埚的同时提拉籽晶，以在籽晶末端依次进行引晶、放肩、转肩、等径及收尾等工艺操作，从而获得单晶硅棒。为了获得良好品质的单晶硅，要求附着在多晶硅原料的表面的杂质量尽可能少。
[0003]因此，在将多晶硅原料放入坩埚进行熔解之前，需要用试剂对多晶硅原料进行清洗以除去附着于其表面的杂质。
[0004]在使用试剂对多晶硅进行清洗的过程中，可能会产生大量的热，过量的热会导致清洗效率降低并且会导致清洗后的多晶硅的品质不稳定。
[0005]鉴于上述情况，在对多晶硅进行清洗的过程中，需要对清洗液的温度进行控制，进而改善清洗的效果，提升清洗的效率。

技术实现思路

[0006]有鉴于此，本专利技术实施例期望提供用于供给清洗液的方法、装置和清洗设备；能够通过调节将流入清洗腔的清洗液的温度和流量中的至少一者控制清洗操作的温度，以使清洗操作在预定的温度范围内进行，改善了清洗效果，提升了清洗效率。
[0007]本专利技术实施例的技术方案是这样实现的：
[0008]第一方面，本专利技术实施例提供了一种用于供给清洗液的方法，所述方法包括：<br/>[0009]监测将流入清洗腔的清洗液的第一温度以及流出所述清洗腔的清洗液的第二温度；
[0010]根据所述第一温度和所述第二温度的监测值，调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度和流量中的至少一者，以使所述第一温度与所述第二温度的温度差在预定范围内。
[0011]在一些示例中，所述根据所述第一温度和所述第二温度的监测值，调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度和流量中的至少一者包括：根据所述第一温度和所述第二温度的监测值，同时调节或依次调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度和流量。
[0012]在一些示例中，所述根据所述第一温度和所述第二温度的监测值，调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度包括：根据所述第一温度和所述第二温度的监测值，调节对所述将流入清洗腔的清洗液进行冷却的冷却剂的流量。
[0013]在一些示例中，所述方法还包括：
[0014]使所述流出所述清洗腔的清洗液重新流入所述清洗腔。
[0015]第二方面，本专利技术实施例提出了一种用于供给清洗液的装置，所述装置包括：
[0016]温度监测模块，所述温度监测模块用于监测将流入清洗腔的清洗液的第一温度以及流出所述清洗腔的清洗液的第二温度；
[0017]温度控制模块，所述温度控制模块用于根据所述第一温度和所述第二温度的监测值，调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度和流量中的至少一者，以使所述第一温度与所述第二温度的温度差在预定范围内。
[0018]在一些示例中，所述温度控制模块设置成根据所述第一温度和所述第二温度的监测值，同时调节或依次调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度和流量。
[0019]在一些示例中，所述装置还包括冷却模块，所述冷却模块用于调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度。
[0020]在一些示例中，所述温度控制模块设置成根据所述第一温度和所述第二温度的监测值，通过调节通过所述冷却模块的冷却液的流量来调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度。
[0021]在一些示例中，所述装置还包括回收模块，所述回收模块用于使所述流出所述清洗腔的清洗液重新流入所述清洗腔。
[0022]第三方面，本专利技术实施例提供了一种清洗设备，所述清洗设备包括：
[0023]具有清洗腔的清洗装置；
[0024]根据第二方面的用于供给清洗液的装置。
[0025]本专利技术实施例提出了用于供给清洗液的方法、装置和清洗设备；所述方法包括：根据监测将流入清洗腔的清洗液的温度值以及流出所述清洗腔的清洗液的温度值，调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度和流量中的至少一者，以使将流入清洗腔的清洗液与流出所述清洗腔的清洗液的温度差在预定范围内，进而确保清洗操作能够在预定的温度范围内进行，改善了清洗效果，提升了清洗效率。
附图说明
[0026]图1为本专利技术实施例提供的一种单晶炉结构示意图；
[0027]图2为本专利技术实施例提供的用于供给清洗液的方法的流程图；
[0028]图3为本专利技术实施例提供的用于供给清洗液的装置和清洗设备的结构示意图。
具体实施方式
[0029]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0030]参见图1，其示出了能够实现本专利技术实施例技术方案的单晶炉1，该单晶炉1可以包括：炉体10，炉体10中设有加热系统和提拉系统。
[0031]加热系统包括石墨坩埚20、石英坩埚30以及加热器40等，其中，石英坩埚30用于盛放硅原料，例如多晶硅。硅原料在石英坩埚30中被加热熔化为熔体MS，石墨坩埚20包裹在石英坩埚30的外侧，用于在加热过程中对石英坩埚30提供支撑，加热器40设置在石墨坩埚20的外侧。石英坩埚30上方设置有沿竖向方向设置的呈圆筒状的水冷套50和沿水平方向设置
的保温盖板60，其中，水冷套50穿过保温盖板60，用于改变拉制出的硅棒的纵向和横向温度梯度，提高了硅棒的冷却速率。
[0032]提拉系统包括竖直设置的坩埚轴70和籽晶缆80，籽晶缆80设置在石英坩埚30的上方，坩埚轴70设置在石墨坩埚20的底部，籽晶缆80的底部通过夹具安装有籽晶，其顶部连接籽晶驱动装置，使其能够一边旋转一边向上缓慢提拉籽晶；坩埚轴70的底部设有坩埚轴驱动装置(图中未示出)，使坩埚轴70能够带动石英坩埚30进行旋转。
[0033]需要说明的是，图1所示的拉晶炉1结构并非具体限定，为了清楚地阐述本专利技术实施例的技术方案从而省略地没有示出用于实施直拉法制备单晶硅棒所需要的其他部件。
[0034]通常，单晶硅制造商是从专业的多晶硅原料供应商处购得合格的多晶硅原料，另外，也可以利用回收的单晶硅物料以用于后续拉制单晶硅棒为了使多晶硅和单晶硅原料能够在坩埚中快速充分熔解，多晶硅和单晶硅原料例如可以以块状或棒状的形式放入坩埚中。并且，为了获得良好品质的单晶硅，要求附着在块状或棒状多晶硅的表面的杂质量极少。因此，在使用多晶硅和单晶硅原料之前，需要对其进行预先破碎，然后再将破碎后的多晶硅和单晶硅送往清洗机进行充分的清洗。
[0035]在清洗过程中，通常会采用清洗液以除去附着于被破碎后的多晶硅或单晶硅原料表面的杂质。可以采用的清洗液包括：氢氟酸、过氧化氢水溶液和水的混合物，纯水，硝酸与氢氟酸的混合液等。
[0036]为了从多晶硅和单晶硅原料表面除去较多的杂质，可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于供给清洗液的方法，其特征在于，所述方法包括：监测将流入清洗腔的清洗液的第一温度以及流出所述清洗腔的清洗液的第二温度；根据所述第一温度和所述第二温度的监测值，调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度和流量中的至少一者，以使所述第一温度与所述第二温度的温度差在预定范围内。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一温度和所述第二温度的监测值，调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度和流量中的至少一者包括：根据所述第一温度和所述第二温度的监测值，同时调节或依次调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度和流量。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一温度和所述第二温度的监测值，调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度包括：根据所述第一温度和所述第二温度的监测值，调节对所述将流入清洗腔的清洗液进行冷却的冷却剂的流量。4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：使所述流出所述清洗腔的清洗液重新流入所述清洗腔。5.一种用于供给清洗液的装置，其特征在于，所述装置包括：温度监测模块，所述温度监测模块用于监测将流入清洗腔的清洗液的...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘浩，全铉国，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：