本发明专利技术提供一种本发明专利技术提供一种有机化合物、有机电致发光材料及其应用。所述有机化合物具有如下式I所示结构。本发明专利技术提供的有机化合物可以作为空穴传输层和/或发光辅助层材料，可以有效地传输空穴及阻挡电子，提高激子利用率；具有合适的空穴迁移率，较高的Tg，热稳定性好，且分子具备适当的扭曲及空间位阻，使材料不易结晶；可用于有机发光器件的空穴传输层和/或发光辅助层中，降低器件驱动电压，提高器件发光效率和寿命。器件发光效率和寿命。器件发光效率和寿命。
【技术实现步骤摘要】
一种有机化合物、有机电致发光材料及其应用
[0001]本专利技术属于有机光电材料
，具体涉及一种有机化合物、有机电致发光材料及其应用。
技术介绍
[0002]有机电致发光元件(所谓的有机EL元件)是具有在阳极与阴极之间作为发光层插入至少1层的发光性有机层的结构的发光元件。对于这样的发光元件，通过在阴极与阳极之间施加电场，将电子从阴极侧注入发光层，并且将空穴从阳极侧注入发光层，在发光层中电子和空穴再结合而生产激子，该激子返回基态时，其能量部分以光的形式被释放。
[0003]OLED器件除含有必须的发光层外，空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、发光层、空穴阻挡层、电子缓冲层、电子传输层、电子缓冲层或电子注入层中的任意一种或至少两种的组合，用于调节电子和空穴的注入和传输。
[0004]目前空穴传输材料存在几个技术问题：第一，材料溶解性不好，会导致量产时的蒸镀膜清洗效果不好；第二，材料的迁移率太慢，会导致器件的整体电压太高；第三，材料的迁移率过快，尤其是材料横向迁移率过快，会导致相邻像素的串扰；第四，材料的LUMO能级太深，不能有效地阻挡可能越过发光层的电子迁移；第五，材料的三线态能级较低，不能有效阻挡发光层的激子，器件发光效率低。
[0005]为了解决在空穴传输层的发光问题，一直在研究着在空穴传输层与发光层之间使用发光辅助层的方法，辅助有机层有助于提高载流子(空穴和电子)在各层界面间的注入效率，平衡载流子在各层之间的传输，从而提高器件的亮度和效率。
[0006]有机电致发光材料的研究已经在学术界和工业界广泛开展，但目前为止还未充分开发出稳定又高效的有机电气元件用的有机物层材料，而且该技术的产业化进程仍面临许多关键问题，所以开发新的材料，一直是本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
[0007]针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种有机化合物、有机电致发光材料及其应用，本专利技术提供的有机化合物作为一种有机电致发光化合物，可以作为空穴传输层和/或发光辅助层材料，可以降低器件驱动电压，提高器件发光效率和寿命。
[0008]为达到此专利技术目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0009]第一方面，本专利技术提供一种有机化合物，所述有机化合物具有如下式I所示结构：
[0010][0011]其中，L1、L2、L3、L4各自独立地选自单键、取代或未取代的C6
‑
C30(例如可以是C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18、C19、C20、C21、C22、C23、C24、C25、C26、C27、C28、C29、C30等)亚芳基、取代或未取代的C3
‑
C30(例如可以是C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18、C19、C20、C21、C22、C23、C24、C25、C26、C27、C28、C29、C30等)亚杂芳基中的任意一种；
[0012]R1、R2各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1
‑
C30(例如可以是C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18、C19、C20、C21、C22、C23、C24、C25、C26、C27、C28、C29、C30等)直链或支链烷基、取代或未取代的C3
‑
C30(例如可以是C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18、C19、C20、C21、C22、C23、C24、C25、C26、C27、C28、C29、C30等)环烷基、取代或未取代的C6
‑
C60(例如可以是C6、C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C22、C24、C26、C28、C30、C32、C34、C36、C38、C40、C42、C44、C46、C48、C50、C52、C54、C56、C58、C60等)芳基、取代或未取代的C3
‑
C60(例如可以是C3、C6、C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C22、C24、C26、C28、C30、C32、C34、C36、C38、C40、C42、C44、C46、C48、C50、C52、C54、C56、C58、C60等)杂芳基中的任意一种；
[0013]n选自1或2。
[0014]本专利技术提供的有机化合物可以作为空穴传输层和/或发光辅助层材料，可以有效地传输空穴及阻挡电子，提高激子利用率；具有合适的空穴迁移率，较高的Tg，热稳定性好，且分子具备适当的扭曲及空间位阻，使材料不易结晶；可用于有机发光器件的空穴传输层和/或发光辅助层中，降低器件驱动电压，提高器件发光效率和寿命。
[0015]在本专利技术中，所述取代的亚芳基、取代的亚杂芳基、取代的直链或支链烷基、取代的环烷基、取代的芳基、取代的杂芳基中的取代基各自独立地选自氘、卤素、氰基、C1
‑
C30(例如可以是C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18、C19、C20、C21、C22、C23、C24、C25、C26、C27、C28、C29、C30等)直链或支链烷基、C3
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C30(例如可以是C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18、C19、C20、C21、C22、C23、C24、C25、C26、C27、C28、C29、C30等)环烷基、C6
‑
C60(例如可以是C6、C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C22、C24、C26、C28、C30、C32、C34、C36、C38、C40、C42、C44、C46、C48、C50、C52、C54、C56、C58、C60等)芳基或C3
‑
C60(例如可以是C3、C6、C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C22、C24、C26、C28、C30、C32、C34、C36、C38、C40、C42、C44、C46、C48、C50、C52、C54、C56、C58、C60等)杂芳基中的任意一种或至少两种的组合。
[0016]优选地，所述取代的亚芳基、取代的亚杂芳基、取代的直链或支链烷基、取代的环烷基、取代的芳基、取代的杂芳基中的取代基各自独立地选自氘、卤素、氰基、甲基、苯基、萘基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或二甲基芴基中的任意一种或至少两种的组合。
[0017]在本专利技术中，所述有机化合物选自如下式I
‑
1～式I
‑
4中的任意一种：
[0018][0019]其中，所述L1、L2、L3、L4、R1、R2具有如上式I所述相同的限定范围。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种有机化合物，其特征在于，所述有机化合物具有如下式I所示结构：其中，L1、L2、L3、L4各自独立地选自单键、取代或未取代的C6
‑
C30亚芳基、取代或未取代的C3
‑
C30亚杂芳基中的任意一种；R1、R2各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1
‑
C30直链或支链烷基、取代或未取代的C3
‑
C30环烷基、取代或未取代的C6
‑
C60芳基、取代或未取代的C3
‑
C60杂芳基中的任意一种；n选自1或2。2.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于，所述取代的亚芳基、取代的亚杂芳基、取代的直链或支链烷基、取代的环烷基、取代的芳基、取代的杂芳基中的取代基各自独立地选自氘、卤素、氰基、C1
‑
C30直链或支链烷基、C3
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C30环烷基、C6
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C60芳基或C3
‑
C60杂芳基中的任意一种或至少两种的组合；优选地，所述取代的亚芳基、取代的亚杂芳基、取代的直链或支链烷基、取代的环烷基、取代的芳基、取代的杂芳基中的取代基各自独立地选自氘、卤素、氰基、甲基、苯基、萘基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或二甲基芴基中的任意一种或至少两种的组合。3.根据权利要求1或2所述的有机化合物，其特征在于，所述有机化合物选自如下式I
‑
1～式I
‑
4中的任意一种：其中，所述L1、L2、L3、L4、R1、R2具有如权利要求1所述相同的限定范围。
4.根据权利要求1
‑
3中任一项所述的有机化合物，其特征在于，所述L1、L2、L3、L4各自独立地选自单键、亚苯基或亚联苯基中的任意一种。5.根据权利要求1
‑
4中任一项所述的有机化合物，其特征在于，所述R1选自氢、氘、卤素、苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二甲基芴基、取代或未取代的二苯基芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的苯并咔唑基、取...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏定纬，蔡烨，陈志宽，
申请(专利权)人：宁波卢米蓝新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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