发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；多量子阱层包括势阱层和势垒层；每个势垒层均包括依次层叠的第一三元掺杂GaN层、SiGaN层和第二三元掺杂GaN层；所述第一三元掺杂GaN层的掺杂元素为Be、Mg和O，所述第二三元掺杂GaN层的掺杂元素为Be、Mg和O；所述第一三元掺杂GaN层的掺杂浓度与第二三元掺杂GaN层的掺杂浓度相同或不同。实施本发明专利技术，可提升发光二极管的发光效率、抗静电能力，降低其工作电压。降低其工作电压。降低其工作电压。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管


[0001]本专利技术涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。

技术介绍

[0002]常见的GaN基发光二极管外延片包括：衬底，以及在所述衬底上依次生长的形核层、本征GaN层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层。其中，多量子阱一般为InGaN势垒层和GaN势垒层形成的周期性结构。由于电子迁移率很高，往往存在还来不及在势阱层发生复合就发生逃逸的状况，从而影响发光效率；传统结构存在载流子在多量子阱层扩展能力差的问题，导致影响发光二极管发光效率，并且引起工作电压高的问题，还容易导致抗静电能力差。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延片及其制备方法，其可提升发光二极管的发光效率、抗静电能力，降低其工作电压。
[0004]本专利技术还要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管，其发光效率高，抗静电能力强，工作电压低。
[0005]为了解决上述问题，本专利技术公开了一种发光二极管外延片，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片，包括衬底和依次设于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述多量子阱层为周期性结构，周期数为2～15，每个周期均包括依次层叠的势阱层和势垒层；其特征在于，每个势垒层均包括依次层叠的第一三元掺杂GaN层、SiGaN层和第二三元掺杂GaN层；所述第一三元掺杂GaN层的掺杂元素为Be、Mg和O，所述第二三元掺杂GaN层的掺杂元素为Be、Mg和O；所述第一三元掺杂GaN层的掺杂浓度与第二三元掺杂GaN层的掺杂浓度相同或不同。2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一三元掺杂GaN层中Be的掺杂浓度为1
×
10
15
cm
‑3～1
×
10
17
cm
‑3，O的掺杂浓度为1
×
10
17
cm
‑3～1
×
10
19
cm
‑3，Mg的掺杂浓度为1
×
10
14
cm
‑3～1
×
10
16
cm
‑3。3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二三元掺杂GaN层中Be的掺杂浓度为1
×
10
15
cm
‑3～1
×
10
17
cm
‑3，O的掺杂浓度为1
×
10
17
cm
‑3～1
×
10
19
cm
‑3，Mg的掺杂浓度为1
×
10
14
cm
‑3～1

【专利技术属性】
技术研发人员：张彩霞，印从飞，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：