提供了一种发光元件和包括该发光元件的显示装置。发光元件包括：第一半导体层，掺杂有第一类型掺杂剂；第二半导体层，掺杂有第二类型掺杂剂；以及发光层，设置在第一半导体层与第二半导体层之间。发光层包括至少一个第一材料层和至少一个第二材料层，其中，至少一个第一材料层包括氧化锌(ZnO)基材料，并且至少一个第二材料层包括氮化镓(GaN)基材料。个第二材料层包括氮化镓(GaN)基材料。个第二材料层包括氮化镓(GaN)基材料。
【技术实现步骤摘要】
发光元件和包括该发光元件的显示装置
[0001]公开涉及一种发光元件和包括该发光元件的显示装置。
技术介绍
[0002]显示装置随着多媒体技术的发展变得越来越重要。因此，已经使用了诸如有机发光二极管(OLED)显示装置、液晶显示(LCD)装置等的各种显示装置。
[0003]通常，显示图像的显示装置包括诸如OLED显示面板或LCD面板的显示面板。显示面板可以包括发光元件，并且发光元件可以是发光二极管(LED)。LED的示例包括使用有机材料作为发光材料的有机LED(OLED)和使用无机材料作为发光材料的无机LED。
[0004]将理解的是，本技术部分的背景部分地意图为理解技术提供有用的背景。然而，本技术部分的背景还可以包括不作为在这里公开的主题的相应有效申请日之前被相关领域技术人员已知或意识到的部分的想法、构思或认知。
技术实现思路
[0005]公开的方面提供了一种具有拥有改善的量子效率的发光层的发光元件和包括该发光元件的显示装置。
[0006]然而，公开的方面不限于在这里阐述的方面。通过参照下文给出的公开的详细描述，公开的上述和其它方面对于公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加明显。
[0007]根据公开的方面，发光元件可以包括：第一半导体层，掺杂有第一类型掺杂剂；第二半导体层，掺杂有第二类型掺杂剂；以及发光层，设置在第一半导体层与第二半导体层之间，其中，发光层可以包括至少一个第一材料层和至少一个第二材料层。至少一个第一材料层可以包括氧化锌(ZnO)基材料，并且至少一个第二材料层可以包括氮化镓(GaN)基材料。
[0008]在实施例中，发光层可以是其中多个第一材料层和多个第二材料层可以交替堆叠的多层。
[0009]在实施例中，至少一个第一材料层的能带隙可以小于至少一个第二材料层的能带隙。
[0010]在实施例中，发光层可以包括(GaN)1‑
x
(ZnO)
x
，并且x可以在约0.22至约0.75的范围内。
[0011]在实施例中，从发光层发射的光的波长可以在约450nm至约495nm的范围内。
[0012]在实施例中，发光层可以包括(GaN)1‑
x
(ZnO)
x
，并且x可以等于或小于约0.22。
[0013]在实施例中，从发光层发射的光的波长可以在约495nm至约550nm的范围内。
[0014]在实施例中，发光层的能带隙可以在约2.2eV至约2.7eV的范围内。
[0015]在实施例中，从发光层发射的光可以具有等于或大于约79％的量子效率。
[0016]在实施例中，至少一个第一材料层与至少一个第二材料层之间的晶格失配率可以等于或小于约1.8％。
[0017]在实施例中，至少一个第一材料层还可以包括铟(In)。
[0018]在实施例中，从发光层发射的光的波长可以在约550nm至约690nm的范围内。
[0019]在实施例中，发光层的能带隙可以在约1.8eV至约2.2eV的范围内。
[0020]在实施例中，第一材料层的In含量可以等于或小于约10％。
[0021]在实施例中，发光元件可以具有长宽比在约1.2:1至约100:1的范围内的杆状。
[0022]在实施例中，发光元件还可以包括：器件电极层，设置在第二半导体层上；以及绝缘膜，围绕第一半导体层、发光层和第二半导体层中的每个的外表面。
[0023]根据公开的一个方面，显示装置可以包括：第一电极和第二电极，均设置在基底上，并且彼此间隔开；发光元件，设置在第一电极与第二电极之间，发光元件具有第一端部和第二端部；第一连接电极，接触发光元件的第一端部；以及第二连接电极，接触发光元件的第二端部。发光元件可以包括：第一半导体层；第二半导体层；以及发光层，可以设置在第一半导体层与第二半导体层之间。发光层可以包括：至少一个第一材料层，可以包括氧化锌(ZnO)基材料；以及至少一个第二材料层，可以包括氮化镓(GaN)基材料。
[0024]在实施例中，至少一个第一材料层和至少一个第二材料层可以在平行于基底的一个表面的方向上交替布置。
[0025]在实施例中，发光层可以包括(GaN)1‑
x
(ZnO)
x
，并且x可以在约0.22至约0.75的范围内。
[0026]在实施例中，至少一个第一材料层还可以包括等于或小于约10％的量的铟(In)。
[0027]根据公开的上述和其他实施例，发光元件可以包括包含氧化锌(ZnO)基材料和氮化镓(GaN)基材料的发光层。因此，发光元件和包括该发光元件的显示装置可以具有改善的量子效率地发射在可见波段中的可见光。
[0028]将理解的是，上面的实施例仅在一般的和说明性含义上描述，而不是为了限制的目的，并且公开不限于上述实施例。
附图说明
[0029]通过参照附图对公开的实施例进行详细描述，公开的上述和其他方面及特征将变得更加明显，在附图中：
[0030]图1是根据公开的实施例的发光元件的示意性透视图；
[0031]图2是图1的发光元件的示意性剖视图；
[0032]图3是根据公开的另一实施例的发光元件的发光层的示意性剖视图；
[0033]图4是示出图1的发光元件的第一材料层的氧化锌(ZnO)含量和能带隙的图；
[0034]图5示出了图1的发光元件的发光层的能级和根据对比示例的发光元件的发光层的能级；
[0035]图6是根据公开的另一实施例的发光元件的示意性剖视图；
[0036]图7至图12是示出根据公开的实施例的制造发光元件的方法的示意性剖视图；
[0037]图13是根据公开的实施例的显示装置的示意性平面图；
[0038]图14是图13的显示装置的像素的示意性布局图；
[0039]图15是沿着图14的线I
‑
I'截取的示意性剖视图；
[0040]图16是图15的区域A的放大示意性剖视图；
[0041]图17是图15的区域A的放大示意性剖视图；以及
[0042]图18是图15的区域A的放大示意性剖视图。
具体实施方式
[0043]现在，将在下文中参照其中示出了实施例的附图更充分地描述公开。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达公开的范围。
[0044]在附图中，为了易于描述并且为了清楚，可以夸大元件的大小、厚度、比例和尺寸。同样的附图标记始终表示同样的元件。
[0045]在描述中，将理解的是，当元件(或区域、层、部分等)被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时，该元件可以直接在所述另一元件上、直接连接到或直接结合到所述另一元件，或者在它们之间可以存在一个或更多个中间元件。同样地，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光元件，所述发光元件包括：第一半导体层，掺杂有第一类型掺杂剂；第二半导体层，掺杂有第二类型掺杂剂；以及发光层，设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，其中，所述发光层包括：至少一个第一材料层；以及至少一个第二材料层，所述至少一个第一材料层包括ZnO基材料，并且所述至少一个第二材料层包括GaN基材料。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述发光层是其中多个第一材料层和多个第二材料层交替堆叠的多层。3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述至少一个第一材料层的能带隙小于所述至少一个第二材料层的能带隙。4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述发光层包括(GaN)1‑
x
(ZnO)
x
，并且x在0.22至0.75的范围内。5.根据权利要求4所述的发光元件，其中，从所述发光层发射的光的波长在495nm至550nm的范围内。6.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述发光层包括(GaN)1‑
x
(ZnO)
x
，并且x等于或小于0.22。7.根据权利要求6所述的发光元件，其中，从所述发光层发射的光的波长在450nm至495nm的范围内。8.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述发光层的能带隙在2.2eV至2.7eV的范围内。9.根据权利要求8所述的发光元件，其中，从所述发光层发射的光具有等于或大于79％的量子效率。10.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述至少一个第一材料层与所述至少一个第二材料层之间的晶格失配率等于或小于1.8％。11.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述至少一个第一材料层还包括In。12.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：全翔镐，蔡知松，李相勳，张振赫，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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