天线和电子设备制造技术

提供一种天线，包括反射器、引向器；第一锥形微带线、过渡结构、第二锥形微带线和偶极子辐射器；其中，所述过渡结构具有主体；所述主体为平行四边形；所述主体的第一边连接到所述第一锥形微带线，第二边与所述第一边相对设置且连接到所述第二锥形微带线，第三边将所述第一边和所述第二边连接在一起，且第四边将所述第一边和所述第二边连接在一起，所述第三边与所述第四边相对设置；以及所述过渡结构包括多个齿状结构，所述多个齿状结构连接到所述主体的至少所述第四边并向远离所述主体的至少所述第四边的方向延伸。第四边的方向延伸。第四边的方向延伸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】天线和电子设备


[0001]本专利技术涉及一种天线和电子设备。

技术介绍

[0002]八木(Yagi)天线是一种呈端射阵列的定向天线，其由两个或更多个平行谐振天线元件组成。八木天线通常包括连接到无线电发射器的从动元件、反射器和引向器。

技术实现思路

[0003]在本公开的第一方面，提供一种天线，包括反射器、引向器；第一锥形微带线、过渡结构、第二锥形微带线和偶极子辐射器；其中，所述过渡结构具有主体；所述主体为平行四边形；所述主体的第一边连接到所述第一锥形微带线，第二边与所述第一边相对设置且连接到所述第二锥形微带线，第三边将所述第一边和所述第二边连接在一起，且第四边将所述第一边和所述第二边连接在一起，所述第三边与所述第四边相对设置；以及所述过渡结构包括多个齿状结构，所述多个齿状结构连接到所述主体的至少所述第四边并向远离所述主体的至少所述第四边的方向延伸。
[0004]在本公开的一个实施例中，所述天线包括：包括所述反射器和所述引向器的第一导电层；在所述第一导电层上的介质层；第二导电层，所述第二导电层位于所述介质层远离所述第一导电层的一侧，所述第二导电层包括所述第一锥形微带线、所述过渡结构、以及所述第二锥形微带线，所述过渡结构将所述第一锥形微带线与所述第二锥形微带线连接在一起。
[0005]在本公开的一个实施例中，所述偶极子辐射器包括位于所述第一导电层中的第一辐射器部分和位于所述第二导电层中的第二辐射器部分，所述第二辐射器部分通过延伸穿过所述介质层的过孔连接到所述第一辐射器部分。
[0006]在本公开的一个实施例中，反射器在介质层上的正投影与所述过渡结构、所述第一锥形微带线和所述第二锥形微带线在所述介质层上的正投影至少部分重叠。
[0007]在本公开的一个实施例中，反射器在所述介质层上的正投影覆盖所述过渡结构、所述第一锥形微带线和所述第二锥形微带线在所述介质层上的正投影。
[0008]在本公开的一个实施例中，过渡结构包括多个齿状结构，所述多个齿状结构分别连接至所述主体的所述第三边和所述第四边并向远离所述主体的所述第三边和所述第四边的方向延伸。
[0009]在本公开的一个实施例中，包括所述第一锥形微带线、所述过渡结构和所述第二锥形微带线的整体结构关于垂直于所述过渡结构的平面镜像对称设置。
[0010]在本公开的一个实施例中，第一锥形微带线、所述过渡结构、所述第二锥形微带线、所述反射器和所述引向器的组合关于垂直于所述过渡结构和所述反射器的平面镜像对称设置。
[0011]在本公开的一个实施例中，过渡结构包括多个齿状结构，所述多个齿状结构连接
至所述主体的所述第四边并向远离所述主体的所述第四边的方向延伸；所述第一锥形微带线在所述第一边与所述第三边之间的隅角处连接到所述第一边；以及所述第二锥形微带线在所述第二边与所述第三边之间的隅角处连接至所述第二边。
[0012]在本公开的一个实施例中，反射器和所述引向器的组合关于垂直于所述反射器和所述引向器的平面镜像对称设置。
[0013]在本公开的一个实施例中，第一锥形微带线、所述过渡结构和所述第二锥形微带线仅被限制在所述平面的一侧，所述反射器和所述引向器关于所述平面镜像对称设置。
[0014]在本公开的一个实施例中，在所述主体的具有多个齿状结构的每一边，所述多个齿状结构分别由多个狭缝间隔开；所述多个齿状结构等间隔设置；以及所述多个狭缝等间隔设置。
[0015]在本公开的一个实施例中，引向器包括平行布置且等间隔设置的多个杆；以及所述多个杆的长度相同。
[0016]在本公开的一个实施例中，引向器包括平行布置且等间隔设置的多个杆；以及所述多个杆的长度沿着远离所述反射器的方向逐渐减小。
[0017]在本公开的一个实施例中，在所述第一边，所述第一锥形微带线将所述第二辐射器部分与所述过渡结构连接在一起；以及所述第一辐射器部分与所述反射器连接。
[0018]在本公开的一个实施例中，反射器包括锥形线部分和矩形部分；所述锥形线部分将所述第一辐射器部分与所述矩形部分连接在一起；以及所述锥形线部分的线宽沿着从所述矩形部分到所述第一辐射器部分的方向逐渐减小。
[0019]在本公开的一个实施例中，矩形部分、所述锥形线部分和所述引向器的组合关于垂直于所述反射器和所述引向器的平面镜像对称设置。
[0020]在本公开的一个实施例中，锥形线部分在介质层上的正投影与所述第一锥形微带线在所述介质层上的正投影完全重叠。
[0021]在本公开的一个实施例中，第一辐射器部分包括第一分支；所述第二辐射器部分包括第二分支；所述第一分支与所述第二分支彼此平行，且沿着两个相反方向远离对应于所述过孔的位置延伸。
[0022]在本公开的第二方面，提供一种电子设备，包括所述天线。
附图说明
[0023]根据各种公开的实施例，以下附图仅是用于说明目的的示例，并且不旨在限制本专利技术的范围。
[0024]图1A是根据本公开的一些实施例中的天线的平面图。
[0025]图1B示出了图1A中所示的天线中的第一导电层的结构。
[0026]图1C示出了图1A中所示的天线中的介质层的结构。
[0027]图1D示出了图1A中所示的天线中的第二导电层的结构。
[0028]图1E示出了图1A中所示的天线中的反射器的结构。
[0029]图2A是沿图1A中的A
‑
A
’
线的天线的截面图。
[0030]图2B是沿图1A中的B
‑
B
’
线的天线的截面图。
[0031]图3A示出图1A所示天线的S11图。
[0032]图3B示出了图1A中所示的天线中的电流分布。
[0033]图3C示出了图1A中所示的天线在谐振频率点处的E平面和H平面中的天线辐射图。
[0034]图3D示出了图1A中所示的天线在谐振频率点处的天线辐射三维图的正视图。
[0035]图4A是根据本公开的一些实施例中的天线的平面图。
[0036]图4B示出了图4A中所示的天线中的第一导电层的结构。
[0037]图4C示出了图4A中所示的天线中的介质层的结构。
[0038]图4D示出了图4A中所示的天线中的第二导电层的结构。
[0039]图5A示出图4A所示天线的S11图。
[0040]图5B示出了图4A中所示的天线中的电流分布。
[0041]图5C示出了图4A中所示的天线在谐振频率点处的E平面和H平面中的天线辐射图。
[0042]图5D示出了图4A中所示的天线在谐振频率点处的天线辐射三维图的正视图。
[0043]图6A是根据本公开的一些实施例中的天线的平面图。
[0044]图6B示出了图6A中所示的天线中的第一导电层的结构。
[0045]图6C示出了图6A中所示的天线中的介质层的结构。
[0046]图6D示出了图6A中所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种天线，包括反射器、引向器；第一锥形微带线、过渡结构、第二锥形微带线和偶极子辐射器；其中，所述过渡结构具有主体；所述主体为平行四边形；所述主体的第一边连接到所述第一锥形微带线，第二边与所述第一边相对设置且连接到所述第二锥形微带线，第三边将所述第一边和所述第二边连接在一起，且第四边将所述第一边和所述第二边连接在一起，所述第三边与所述第四边相对设置；以及所述过渡结构包括多个齿状结构，所述多个齿状结构连接到所述主体的至少所述第四边并向远离所述主体的至少所述第四边的方向延伸。2.根据权利要求1所述的天线，包括：包括所述反射器和所述引向器的第一导电层；在所述第一导电层上的介质层；第二导电层，所述第二导电层位于所述介质层远离所述第一导电层的一侧，所述第二导电层包括所述第一锥形微带线、所述过渡结构、以及所述第二锥形微带线，所述过渡结构将所述第一锥形微带线与所述第二锥形微带线连接在一起。3.根据权利要求2所述的天线，其中，所述偶极子辐射器包括位于所述第一导电层中的第一辐射器部分和位于所述第二导电层中的第二辐射器部分，所述第二辐射器部分通过延伸穿过所述介质层的过孔连接到所述第一辐射器部分。4.根据权利要求1至3中任一项所述的天线，其中，所述反射器在介质层上的正投影与所述过渡结构、所述第一锥形微带线和所述第二锥形微带线在所述介质层上的正投影至少部分重叠。5.根据权利要求4所述的天线，其中，所述反射器在所述介质层上的正投影覆盖所述过渡结构、所述第一锥形微带线和所述第二锥形微带线在所述介质层上的正投影。6.根据权利要求1至5中任一项所述的天线，其中，所述过渡结构包括多个齿状结构，所述多个齿状结构分别连接至所述主体的所述第三边和所述第四边并向远离所述主体的所述第三边和所述第四边的方向延伸。7.根据权利要求1至6中任一项所述的天线，其中，包括所述第一锥形微带线、所述过渡结构和所述第二锥形微带线的整体结构关于垂直于所述过渡结构的平面镜像对称设置。8.根据权利要求7所述的天线，其中，所述第一锥形微带线、所述过渡结构、所述第二锥形微带线、所述反射器和所述引向器的组合关于垂直于所述过渡结构和所述反射器的平面镜像对称设置。9.根据权利要求1至5中任一项所述的天线，其中，所述过渡结构包括多个齿状结...

【专利技术属性】
技术研发人员：王亚丽，范西超，曲峰，
申请(专利权)人：北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：