MEMS器件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种MEMS器件的制造方法，包括：提供一半导体晶片，半导体晶片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的牺牲层、结构薄膜层和金属层；在半导体晶片上形成包覆金属层的抗腐蚀绝缘层；将半导体晶片浸没到腐蚀溶液中，以去除牺牲层，在衬底和结构薄膜层之间形成空腔；去除抗腐蚀绝缘层。在该制造方法无需减少牺牲层的释放时间，保证了结构薄膜层能够完全释放。且通过在半导体晶片上形成包覆金属层的抗腐蚀绝缘层，当将半导体晶片浸没到腐蚀溶液中后，抗腐蚀绝缘层可以抵抗住腐蚀溶液的腐蚀。同时由于抗腐蚀绝缘层不导电，可以阻止电化学腐蚀回路的产生，从根本上阻断电化学腐蚀，提高了MEMS器件的产品良率和可靠性。高了MEMS器件的产品良率和可靠性。高了MEMS器件的产品良率和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
MEMS器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及微机电系统制造
，尤其涉及一种MEMS器件的制造方法。

技术介绍

[0002]MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微机电系统)器件(如麦克风、扬声器、加速度计、陀螺仪、微镜等)在加工制造过程中通常采用薄膜空腔结构，很多MEMS薄膜空腔结构在形成过程中都会用到释放工艺。释放工艺指的是，在衬底上形成有依次层叠的牺牲层、结构性薄膜层和金属层后，从衬底背面将衬底刻蚀出一个个的释放孔，然后采用腐蚀液体把牺牲层的材料腐蚀掉，以将结构性薄膜释放出来，在结构性薄膜层和衬底之间形成空腔结构的技术。但是在释放工艺过程中，由于刻蚀衬底的时候会残留一些电荷，导致在释放过程中，金属层、结构性薄膜层以及腐蚀液体会形成原电池结构，造成结构性薄膜层的腐蚀(即电化学腐蚀)。而结构性薄膜层的腐蚀，尤其是与金属层连接处的结构性薄膜的腐蚀，会造成产品的电连接不良、可靠性不通过等问题。因此减少MEMS释放过程中电化学腐蚀非常的重要和迫切。
[0003]相关技术中为了减缓电化学腐蚀效应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一半导体晶片，所述半导体晶片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的牺牲层、结构薄膜层和金属层，所述衬底上具有沿层叠方向贯穿所述衬底的通孔；在所述半导体晶片上形成包覆所述金属层的抗腐蚀绝缘层；将所述半导体晶片浸没到腐蚀溶液中，以去除所述牺牲层，在所述衬底和所述结构薄膜层之间形成空腔；去除所述抗腐蚀绝缘层。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述半导体晶片上形成包覆所述金属层的抗腐蚀绝缘层，包括：采用旋涂或者喷涂的方法在所述金属层的表面和各侧壁涂覆所述抗腐蚀绝缘层。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述抗腐蚀绝缘层为光刻胶层或者聚酰亚胺层。4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述抗腐蚀绝缘层，包括：将所述半导体晶片浸没到抗腐蚀绝缘层去除溶液中，去除所述抗腐蚀绝缘层；其中，所述抗腐蚀绝缘层溶液为N
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甲基吡咯烷酮、四甲基氢氧化铵或者光阻去除剂。5.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王飞飞，
申请(专利权)人：赛莱克斯微系统科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：