一种高密度集成多路合成的威尔金森功分器制造技术

技术编号:38694076 阅读:14 留言:0更新日期:2023-09-07 15:32
本实用新型专利技术涉及射频无源器件技术领域,具体涉及一种高密度集成多路合成的威尔金森功分器,所述功分器将威尔金森功分器2通道作为扩展单元,采用多层混压结构,集成为1分多功分器的架构。本实用新型专利技术通过将威尔金森功分器2通道作为扩展单元,采用多层混压结构,集成为1分多功分器的架构,形成一个多通道的功率分配器,该设计方案可以实现极端紧凑的间距,可达到高度集成的目的,并且可以有效降低威尔金森功分器的体积和重量,提高测试系统的集成度和性能。性能。性能。

【技术实现步骤摘要】
一种高密度集成多路合成的威尔金森功分器


[0001]本技术涉及射频无源器件
,具体而言,涉及一种高密度集成多路合成的威尔金森功分器。

技术介绍

[0002]现代测试系统经常要求集成度、重量和性能做到极致。在测试信号的功率分配中,威尔金森功分器是一种被广泛应用的被动器件。这种器件通常被用于将入射信号分配到多个输出端口上,通常分两个或四个输出端口。使用威尔金森功分器进行功率分配时,需要使用腔体作为载体,腔体的尺寸和重量通常较大,这限制了威尔金森功分器在测试系统中的应用。对于集成度、重量和性能要求较高的测试系统而言,传统的威尔金森功分器因体积大、不宜高度集成等缺点而无法满足要求。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种高密度集成多路合成的威尔金森功分器,以解决现有威尔金森功分器在测试系统中的应用有许多限制,包括腔体尺寸大、不易高度集成等问题。
[0004]本技术的实施例通过以下技术方案实现:一种高密度集成多路合成的威尔金森功分器,所述功分器将威尔金森功分器2通道作为扩展单元,采用多层混压结构,集成为1分多功分器的架构。
[0005]根据一种优选实施方式,所述功分器采用4层混压板组成。
[0006]根据一种优选实施方式,所述4层混压板上两层为一组1分4功分器,下两层为4组1分4功分器。
[0007]根据一种优选实施方式,上两层所述混压板从上往下依次为第一射频介质层以及第一参考地层,所述第一射频介质层上表面印刷有第一微带层,下两层所述混压板从上往下依次为第二参考地层以及第二射频介质层,所述第二射频介质层下表面印刷有第二微带层。
[0008]根据一种优选实施方式,第一微带层与第二微带层采用同轴过孔连接。
[0009]根据一种优选实施方式,所述第一参考地层与第二参考地层之间采用胶层黏合。
[0010]根据一种优选实施方式,所述第一射频介质层、第一参考地层、第二参考地层以及第二射频介质层所采用的材料厚度为0.508mm。
[0011]根据一种优选实施方式,所述第一射频介质层、第一参考地层、第二参考地层以及第二射频介质层所采用的材料为F4B

2,相对介电常数为2.65。
[0012]本技术实施例一种高密度集成多路合成的威尔金森功分器的技术方案至少具有如下优点和有益效果:本技术通过将威尔金森功分器2通道作为扩展单元,采用多层混压结构,集成为1分多功分器的架构,形成一个多通道的功率分配器,该设计方案可以实现极端紧凑的间距,可达到高度集成的目的,并且可以有效降低威尔金森功分器的体积
和重量,提高测试系统的集成度和性能。
附图说明
[0013]图1为本技术实施例1提供的一种高密度集成多路合成的威尔金森功分器的结构示意图;
[0014]图2为本技术实施例1提供的射频链路示意图;
[0015]图标:1

第一微带层,2

第一射频介质层,3

第一参考地层,4

胶层,5

第二参考地层,6

第二射频介质层,7

第二微带层,8

射频过孔。
具体实施方式
[0016]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0017]实施例1
[0018]参见图1所示,本技术实施例提供一种高密度集成多路合成的威尔金森功分器。
[0019]具体地,为了实现一个能够将一个输入信号分配到多个输出端口的功分器,在本实施例中,将威尔金森功分器2通道作为扩展单元,然后用多个这样的扩展单元组成一个多层的混压结构,这个混压结构就构成了一个1分多功分器的架构。
[0020]在实现过程中,每个威尔金森功分器单元将一个输入信号平均分配到两个输出端口,而多层混压结构则将每个威尔金森功分器单元的输出端口作为输入端口连接到下一层的威尔金森功分器单元,从而实现将一个输入信号平均分配到多个输出端口。最终的分配比例取决于混压结构中威尔金森功分器单元的数量和连接方式。
[0021]在本实施例的一种优选实施方式中,提供的一种高密度集成多路合成的威尔金森功分器采用4层混压板组成;参考图2所示,其中上两层为一组1分4功分器,下两层为4组1分4功分器;本实施例通过上下布局功分器,在空间上得到极致的利用,打破了常规功分器必须用腔体作为载体的设计思路。
[0022]具体地,上两层所述混压板从上往下依次为第一射频介质层2以及第一参考地层3,所述第一射频介质层2上表面印刷有第一微带层1,下两层所述混压板从上往下依次为第二参考地层5以及第二射频介质层6,所述第二射频介质层6下表面印刷有第二微带层7。
[0023]在上层和下层信号传输处理方面,本实施例第一微带层1与第二微带层7采用同轴过孔连接,经过同轴结构的射频仿真,匹配优化,降低接传输结构的回波损耗,仿真模型在0.4GHz~8GHz频率范围内,仿真达到了S11<

28dB。进一步地,所述第一参考地层3与第二参考地层5之间采用胶层4黏合。
[0024]此外,本实施例所提供的功分器的介质参数如下:所述第一射频介质层2、第一参考地层3、第二参考地层5以及第二射频介质层6所采用的材料厚度为0.508mm;所述第一射频介质层2、第一参考地层3、第二参考地层5以及第二射频介质层6所采用的材料为F4B

2,相对介电常数为2.65,对应标准50Ω微带线宽度1.32mm。
[0025]综上所述,本技术通过将威尔金森功分器2通道作为扩展单元,采用多层混压结构,集成为1分多功分器的架构,形成一个多通道的功率分配器,该设计方案可以实现极端紧凑的间距,可达到高度集成的目的,并且可以有效降低威尔金森功分器的体积和重量,提高测试系统的集成度和性能。
[0026]以上仅为本技术的优选实施例而已,并不用于限制本技术,对于本领域的技术人员来说,本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高密度集成多路合成的威尔金森功分器,其特征在于,所述功分器将威尔金森功分器2通道作为扩展单元,采用4层混压板结构,集成为1分多功分器的架构,其中,所述4层混压板上两层为一组1分4功分器,下两层为4组1分4功分器。2.如权利要求1所述的高密度集成多路合成的威尔金森功分器,其特征在于,上两层所述混压板从上往下依次为第一射频介质层(2)以及第一参考地层(3),所述第一射频介质层(2)上表面印刷有第一微带层(1),下两层所述混压板从上往下依次为第二参考地层(5)以及第二射频介质层(6),所述第二射频介质层(6)下表面印刷有第二微带层(7)。3.如权利要求2所述的高密度集成多路合成的威尔金森功分器,其特征在于,第一微带层(...

【专利技术属性】
技术研发人员:何亮何谦
申请(专利权)人:成都中微普业科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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