一种Cu4O3薄膜及其制备方法、应用技术

本发明专利技术涉及一种Cu4O3薄膜及其制备方法、应用，属于吸光材料技术领域。本发明专利技术的制备方法，包括以下步骤：以铜靶作为金属靶材，以O2作为反应气体进行射频反应磁控溅射在基底上沉积铜氧化物薄膜；射频反应磁控溅射过程中，控制靶材工作面对应的射频功率为xW/cm2，反应气体体积流量占反应气体和工作气体总体积流量的比例为y％，其中3.74x

【技术实现步骤摘要】
一种Cu4O3薄膜及其制备方法、应用


[0001]本专利技术涉及一种Cu4O3薄膜及其制备方法、应用，属于吸光材料


技术介绍

[0002]两次革命工业革命以后，煤、石油、天然气、等化石燃料相继被广泛应用到生产生活的各个方面。随着社会经济地生产生活地各个方面。随着社会经济的不断发展和人类文明的不断进步，人类对能源的需求量不断飞速增长。然而，这些曾经被人们广泛应用并且现在还在被使用的基本需求都是不可再生能源。其有限的储量与人类无限的需求之间构成了不可调和的矛盾。其次，煤、石油、天然气等化学燃料等储量有限，估计最多还能使用一个多世纪，且燃烧后还会产生大量的二氧化碳气体，造成温室效应，加速全球变暖，给人类及其他动植物的生存构成巨大挑战。
[0003]太阳能是来自太阳的辐射能量，是太阳内部连续不断的核聚变反应过程产生的能量，而太阳内部的核聚变反应可以维持几十亿至上百亿年的时间。在化石能源逐渐减少的情况下，太阳能已经成为人类使用能源的主要部分，并不断地得到发展。太阳能电池是半导体pn结的光生伏特效应，有稳定性好、使用寿命长、操作与维护方便本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Cu4O3薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：以铜靶作为金属靶材，以O2作为反应气体进行射频反应磁控溅射在基底上沉积铜氧化物薄膜；射频反应磁控溅射过程中，控制靶材工作面对应的射频功率为xW/cm2，反应气体体积流量占反应气体和工作气体总体积流量的比例为y％，其中3.74x
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0.98≤y≤9.09x
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9.29。2.根据权利要求1所述的Cu4O3薄膜的制备方法，其特征在于：射频反应磁控溅射过程中，控制靶材工作面对应的功率为1.75～1.76W/cm2，反应气体与工作气体的体积流量之比为2:30；或控制靶材工作面对应的功率为1.97～1.98W/cm2，反应气体与工作气体的流量之比为2.2～2.5:30；或控制靶材工作面对应的功率为2.63～2.64W/cm2，反应气体与工作气体的流量之比为3～3.5:30。3.根据权利要求1所述的Cu4O3薄膜的制备方法，其特征在于：5.29x
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3.23≤y≤0.86x
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【专利技术属性】
技术研发人员：沈永龙，楚旭柯，张辰晗，李珍珍，邵国胜，
申请(专利权)人：郑州大学，
类型：发明
国别省市：