一种基于wordline分布提升NAND读次数的方法技术

本发明专利技术本发明专利技术涉及存储器领域，具体涉及一种基于wordline分布提升NAND读次数的方法，包括以下步骤，S1）获取block的失败比特数；S2）比较每个wordline的失败比特数，并确定在读次数增多过程中产生一致性偏离的wordline部分；S3）对与读次数产生一致性偏离的wordline获取较差wordline；S4）判断所获取的较差wordline是否使用wordline分组；S5）若是，则对使用了wordline分组中的wordline分布依据特性进行重新分组；若否，则无须操作；S6）对Bad组的wordline进行随机数据写入NAND，对Normal组进行用户数据顺序写入NAND，对未使用wordline分组的wordline进行顺序写入NAND；本发明专利技术解决了NAND因PR及BR次数阈值较低而性能下降的问题，本发明专利技术消除NAND自身wordline差异性导致的错误，从而提升PR及BR次数，进而提升NAND的性能。进而提升NAND的性能。进而提升NAND的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种基于wordline分布提升NAND读次数的方法


[0001]本专利技术涉及存储器领域，具体涉及一种基于wordline分布提升NAND读次数的方法。

技术介绍

[0002]NAND Flash是基于浮栅（Floating Gate）晶体管设计，并通过浮栅来锁存电荷的存储器。每个浮栅晶体管对应一个存储单元（cell），每个cell的漏极对应位线（bitline），栅极对应字线（wordline，简称WL），源极相互连接。每个页(page)对应着一个字线，多个字线组成一个块（block）。由于block内部的拓扑结构的不同，进而导致在同一环境条件下不同位置的字线表现出的特性有所差异。
[0003]NAND Flash在使用过程中会产生一种read disturb（读干扰）现象，read disturb现象会导致NAND Flash的性能降低。为了避免read disturb现象的产生，目前常在NAND厂家所提供的读干扰（page read，简称PR）或块干扰（block read，简称BR）次数阈值到达前，进行数据转移等操作。然而，为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于wordline分布提升NAND读次数的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1）以若干个NAND为样本，根据不同生命周期、不同数据保持时间条件下的读次数极限值，获取block的失败比特数；S2）比较每个wordline的失败比特数，并确定在读次数增多过程中产生一致性偏离的wordline部分；S3）依据所有wordline的失败比特数分布对与读次数产生一致性偏离的wordline获取较差wordline；S4）判断所获取的较差wordline是否使用wordline分组；S5）若是，则对使用了wordline分组中的wordline分布依据特性进行重新分组；所述分组包括Normal组和Bad组；若否，则无须操作；S6）对Bad组的wordline进行随机数据写入NAND，对Normal组进行用户数据顺序写入NAND，对未使用wordline分组的wordline进行顺序写入NAND。2.如权利要求1所述的一种基于wordline分布提升NAND读次数的方法，其特征在于，所述读次数为page read或block read。3.如权利要求1所述的一种基于wordline分布提升NAND读次数的方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙义，王璞，李瑞东，
申请(专利权)人：山东华芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：