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本发明本发明涉及存储器领域，具体涉及一种基于wordline分布提升NAND读次数的方法，包括以下步骤，S1）获取block的失败比特数；S2）比较每个wordline的失败比特数，并确定在读次数增多过程中产生一致性偏离的wordline部...
该专利属于山东华芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东华芯半导体有限公司授权不得商用。

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