抗菌键盘壳体的生产方法及抗菌键盘技术

本发明专利技术提供一种抗菌键盘壳体的生产方法及抗菌键盘，抗菌键盘壳体的生产方法包括以下步骤：步骤S1、提供铝合金，冲压成型形成键盘上盖与键盘下盖；步骤S2、将键盘上盖与键盘下盖表面浸入电解液中进行阳极氧化反应，在键盘上盖与键盘下盖表面分别形成上多孔氧化铝膜与下多孔氧化铝膜；步骤S3、将具有上多孔氧化铝膜的键盘上盖与具有下多孔氧化铝膜的键盘下盖浸入包含抗菌金属离子的沉积液中进行电解沉积，在上多孔氧化铝膜的上孔与下多孔氧化铝膜的下孔中沉积抗菌金属，在键盘上盖的上多孔氧化铝膜的上孔内表面与键盘下盖的下多孔氧化铝膜的下孔内表面分别形成上抗菌金属层与下抗菌金属层；步骤S4、将步骤S3制得的键盘上盖及键盘下盖进行组装得到抗菌键盘壳体。盖及键盘下盖进行组装得到抗菌键盘壳体。盖及键盘下盖进行组装得到抗菌键盘壳体。

【技术实现步骤摘要】
抗菌键盘壳体的生产方法及抗菌键盘


[0001]本专利技术涉及键盘
，尤其涉及一种抗菌键盘壳体的生产方法及抗菌键盘。

技术介绍

[0002]随着信息化的发展，电脑(包括台式机、笔记本电脑等)迅速普及，市场调查发现，在一些人流动量大的公用场合，如网吧、图书馆、医院等场所，电脑作为一种公共设备，使用率非常高，键盘使用时需要用户不断点击键盘的按键，此过程有人体手指与键盘进行大量的接触，留下的汗液或者一些人体分泌物都蕴含有细菌等微生物。但相关单位却大多缺乏有效的清洁消毒措施，使用者在此方面的卫生预防意识也非常薄弱，因此，电脑的键盘成为藏污纳垢之所和细菌传染的源头，而且使用过久不清理的键盘也容易滋生细菌、病毒和一些有害微生物，此时用户继续使用会对人体产生负面的影响，不利于人体的身体健康；同时，长时间使用后的按键色泽暗淡、甚至表面磨损严重、印字不清晰。
[0003]公开号为CN115746519A，公开日期为2023年03月07日的中国专利申请文件公开了一种键盘壳体，将包含抗菌聚乳酸、聚丁二酸丁二醇酯及凹凸棒石粘土的复合材料颗粒与ABS颗粒、TPR颗粒注塑成型得到键盘的上盖和下盖，形成键盘壳体，从而使得键盘壳体具备抗菌性能。
[0004]公开号为CN215599656U，公开日期为2022年01月21日的中国专利申请文件公开了一种抗菌键盘，通过在键盘壳体外覆盖一碳包覆金属纳米抗菌涂层，提升键盘的抗菌能力。
[0005]以上现有技术通过使用抗菌塑料制作键盘或在键盘表面增加抗菌涂层以使键盘具备抗菌性能，在提高键盘的抗菌性能时需要考虑键盘的寿命及抗菌性能的持久高效。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种抗菌键盘壳体的生产方法，制造方法工艺简单、操作方便、成本低，生产出的抗菌键盘壳体使用寿命长，具备高效持久的抗菌性能、良好的力学性能，可应用于各种工作环境，尤其是对抗菌和耐腐蚀有较高标准的领域，能够带给用户舒适、安全的体验。
[0007]本专利技术的目的还在于提供一种抗菌键盘，其抗菌键盘壳体使用寿命长，具备高效持久的抗菌性能、良好的力学性能，可应用于各种工作环境，尤其是对抗菌和耐腐蚀有较高标准的领域，能够带给用户舒适、安全的体验。
[0008]为了实现上述目的，本专利技术提供一种抗菌键盘壳体的生产方法，包括以下步骤：
[0009]步骤S1、提供铝合金，冲压成型形成键盘上盖与键盘下盖；
[0010]步骤S2、将键盘上盖与键盘下盖表面浸入电解液中进行阳极氧化反应，在键盘上盖与键盘下盖表面分别形成上多孔氧化铝膜与下多孔氧化铝膜；
[0011]步骤S3、将具有上多孔氧化铝膜的键盘上盖与具有下多孔氧化铝膜的键盘下盖浸入包含抗菌金属离子的沉积液中进行电解沉积，在上多孔氧化铝膜的上孔与下多孔氧化铝膜的下孔中沉积抗菌金属，在键盘上盖的上多孔氧化铝膜的上孔内表面与键盘下盖的下多
孔氧化铝膜的下孔内表面分别形成上抗菌金属层与下抗菌金属层；
[0012]步骤S4、将步骤S3制得的键盘上盖及键盘下盖进行组装得到抗菌键盘壳体。
[0013]所述步骤S1还包括步骤S12、对冲压形成的键盘上盖与键盘下盖进行预处理，所述预处理包括碱性化学除油、氢氧化钠溶液去除氧化膜、稀硝酸除灰、水洗。
[0014]所述步骤S2具体包括：将键盘上盖与键盘下盖作为阳极，将石墨、铝或铅作为阴极，共同组成两电极,在电解液中进行阳极氧化反应以在键盘上盖与键盘下盖表面分别制备上多孔氧化铝膜与下多孔氧化铝膜；所述电解液包括：125
‑
205g/L的硫酸30
‑
50份,氧化锌10
‑
30份,草甘膦15
‑
25份,以及6～25g/L的Al2(SO4)3·
18H2O 0
‑
10份；阳极氧化反应的条件为：温度5℃
‑
40℃,直流电(DC)电压为6
‑
25V,阳极氧化反应的时间为15min～70min。
[0015]所述步骤S2形成的上多孔氧化铝膜与下多孔氧化铝膜的单位面积上的孔道单元胞数量为70
‑
100
×
109/cm2,单元胞中的孔道参数为：孔深度为1
‑
100微米,孔径为10
‑
50微米。
[0016]所述步骤S2还包括步骤S22、将阳极氧化完成的键盘上盖与键盘下盖在清水中浸泡以去除表面的电解液。
[0017]所述步骤S3具体包括：将具有上多孔氧化铝膜的键盘上盖与具有下多孔氧化铝膜的键盘下盖作为阴极，将石墨、铝、铅或不锈钢作为阳极，共同组成两电极,在沉积液中进行电解沉积,其中沉积液的体积掺混比为：8
‑
26g/L的硝酸银4
‑
10份,1.6
‑
5g/L的铜绿2
‑
8份,5
‑
35g/L的十水硫酸镁3
‑
6份，3
‑
10g/L的络合剂4
‑
10份，所述络合剂选用甘氨酸或葡萄糖酸中的一种；电解沉积的条件为:温度5℃
‑
35℃,交直流(AC/DC)电压为5
‑
35V,电解沉积时间4
‑
30min；其中电解沉积可以采用锯齿状的波形电流,波形电流的峰值为10
‑
50A,波形电流的周期为0.02
‑
3秒；或者采用平滑的波形电压,波形电压的正负峰值为12
‑
24V,波形电压的周期为0.02
‑
3秒；或者采用叠加的平滑的波形电压和脉冲电流,其中电压的峰值为12
‑
25V,电流的峰值为15
‑
60A,叠加电压电流脉冲的周期为0.02
‑
7秒。
[0018]所述步骤S3形成的上抗菌金属层与下抗菌金属层分别包括金属颗粒，所述金属颗粒粒径为1
‑
100纳米,所述金属颗粒包括银、氧化银、铜及氧化铜颗粒，其中银元素和铜元素的质量比为6
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7:2
‑
3。
[0019]所述步骤S3还包括步骤S32、将电解沉积完成的键盘上盖与键盘下盖在清水中浸泡以去除表面的电解液。
[0020]所述步骤S3还包括步骤S33、将电解沉积完成的键盘上盖与键盘下盖浸入封孔液中进行封孔，所述封孔液为含有纳米二氧化钛的水溶液,封孔温度70～100℃,封孔时间1～20min；所述步骤S3还包括步骤S34、将封孔后的铝合金键盘上盖与键盘下盖进行清洗以除去表面残余附着物。
[0021]本专利技术还提供一种抗菌键盘，包括抗菌键盘壳体及设于抗菌键盘壳体内的按键模组，所述抗菌键盘壳体包括相对设置的键盘上盖与键盘下盖，所述按键模组设于键盘上盖与键盘下盖之间；所述键盘上盖表面设有上多孔氧化铝膜，所述上多孔氧化铝膜的上孔内表面设有上抗菌金属层；所述键盘下盖表面设有下多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗菌键盘壳体的生产方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供铝合金，通过冲压成型形成键盘上盖(21)与键盘下盖(22)；步骤S2、将键盘上盖(21)与键盘下盖(22)表面浸入电解液中进行阳极氧化反应，在键盘上盖(21)与键盘下盖(22)表面分别形成上多孔氧化铝膜(211)与下多孔氧化铝膜(221)；步骤S3、将具有上多孔氧化铝膜(211)的键盘上盖(21)与具有下多孔氧化铝膜(221)的键盘下盖(22)浸入包含抗菌金属离子的沉积液中进行电解沉积，在上多孔氧化铝膜(211)的上孔(2111)与下多孔氧化铝膜(221)的下孔(2211)中沉积抗菌金属，在所述上孔(2111)的内表面与所述下孔(2211)的内表面分别形成上抗菌金属层(212)与下抗菌金属层(222)；步骤S4、将步骤S3制得的键盘上盖(21)及键盘下盖(22)进行组装得到抗菌键盘壳体(2)。2.如权利要求1所述的抗菌键盘壳体的生产方法，其特征在于，所述步骤S1还包括步骤S12、对冲压形成的键盘上盖(21)与键盘下盖(22)进行预处理，所述预处理包括碱性化学除油、氢氧化钠溶液去除氧化膜、稀硝酸除灰、水洗。3.如权利要求1所述的抗菌键盘壳体的生产方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：将铝合金材质的键盘上盖(21)与键盘下盖(22)作为阳极，将石墨、铝或铅作为阴极，共同组成两电极,在电解液中进行阳极氧化反应以在键盘上盖(21)与键盘下盖(22)表面分别制备上多孔氧化铝膜(211)与下多孔氧化铝膜(221)；所述电解液包括：125
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205g/L的硫酸30
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50份,氧化锌10
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30份,草甘膦15
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25份,以及6～25g/L的Al2(SO4)3·
18H2O0
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10份；所述阳极氧化反应的条件为：温度5℃
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40℃,直流电电压为6
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25V,阳极氧化反应时间为15min～70min。4.如权利要求1所述的抗菌键盘壳体的生产方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括：将具有上多孔氧化铝膜(211)的键盘上盖(21)与具有下多孔氧化铝膜(221)的键盘下盖(22)作为阴极，将石墨、铝、铅或不锈钢作为阳极，共同组成两电极,在沉积液中进行电解沉积,其中沉积液的体积掺混比为：8
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26g/L的硝酸银4
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10份,1.6
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5g/L的铜绿2
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8份,5
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35g/L的十水硫酸镁3
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6份，3
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10g/L的络合剂4
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10份,所述络合剂选用甘氨酸或葡萄糖酸中的一种。5.如权利要求1所述的抗菌键盘壳体的生产方法，其特征在于，所述步骤S3电解沉积的条件为：温度5℃
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35℃,交直流电压为5
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35V,电解沉积...

【专利技术属性】
技术研发人员：范卫刚，余思蒸，段天福，
申请(专利权)人：深圳市优彩佳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：