一种介质滤波双工器及无线通信基站制造技术

本申请公开了一种介质滤波双工器及无线通信基站，涉及射频滤波器技术领域；该双工器包括陶瓷滤波器本体，设于所述陶瓷滤波器本体上的公共端和总输出端；所述陶瓷滤波器本体至少包括两个分体设置的陶瓷滤波器基体；所有的所述陶瓷滤波器基体的输入基端并接后连接所述公共端，所有的所述陶瓷滤波器基体的输出基端为自由端以形成所述总输出端；至少一个所述输出基端上设有低通滤波结构；所述低通滤波结构设于所述陶瓷滤波器本体内部。本申请不但可以有效降低滤波器的调试难度，提升生产效率，减少频率相差较远时存在高低孔深结构的问题，压制成型容易，成型变形量小，而且可以有效抑制远端谐波。制远端谐波。制远端谐波。

【技术实现步骤摘要】
一种介质滤波双工器及无线通信基站


[0001]本申请涉及射频滤波器
，尤其涉及一种介质滤波双工器，以及应用该介质滤波双工器的无线通信基站。

技术介绍

[0002]现有介质滤波双工器，如图1所示，包括陶瓷介质本体4，该陶瓷滤波器本体上设有一个输入端1,两个输出端(分别为第一输出端2和第二输出端3)；由于其基本在一个陶瓷介质本体上整体合路，实现双工功能，所以存在调试难度大，频率相差较远时存在高低孔深结构，压制成型难度大，成型变形量大等工艺问题，大大地影响了产品良率。
[0003]而现有技术还公开了一种介质滤波双工器，如图2所示，包括陶瓷滤波器本体6，设于所述陶瓷滤波器本体上的公共端1和总输出端；所述陶瓷滤波器本体包括两个分体设置的陶瓷滤波器基体4和5；第一个所述陶瓷滤波器基体的输入基端(即第一输入基端7)和第二个所述陶瓷滤波器基体的输入基端(即第二输入基端8)并接后连接所述公共端，第一个所述陶瓷滤波器基体的输出基端(即第一输出基端2)和第二个所述陶瓷滤波器基体的输出基端(即第二输出基端3)均为自由端并形成所述总输出端。通过该介质滤波双工器，由于对单个陶瓷基体的滤波器压制相对整体陶瓷滤波器本体更容易成型，所以可以解决图1所示的现有介质滤波双工器所存在的调试难度大，频率相差较远时存在高低孔深结构，压制成型难度大，成型变形量大等工艺问题，但是，该介质滤波双工器仍然存在远端谐波抑制性较差，如图3所示，例如，第一输出基端与公共端(1,2)在7GHZ至9GHZ时，远端谐波抑制范围为[
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52dB，r/>‑
8dB]，其中在8.9GHZ远端谐波抑制能力最强，为
‑
52dB。

技术实现思路

[0004]为此，本申请所解决的技术问题在于提供一种介质滤波双工器及无线通信基站，其不但可以有效降低滤波器的调试难度，提升生产效率，减少频率相差较远时存在高低孔深结构的问题，压制成型容易，成型变形量小，而且可以有效抑制远端谐波。
[0005]为了解决上述技术问题，本申请采用的技术方案内容具体如下：
[0006]一方面，本申请实施例提供一种介质滤波双工器，包括陶瓷滤波器本体，设于所述陶瓷滤波器本体上的公共端和总输出端；所述陶瓷滤波器本体至少包括两个分体设置的陶瓷滤波器基体；所有的所述陶瓷滤波器基体的输入基端并接后连接所述公共端，所有的所述陶瓷滤波器基体的输出基端为自由端以形成所述总输出端；至少一个所述输出基端上设有低通滤波结构；所述低通滤波结构设于所述陶瓷滤波器本体内部。
[0007]进一步地，每个所述陶瓷滤波基体沿其长度方向上分布有若干个谐振腔，所述谐振腔沿着相对陶瓷滤波基体长度方向垂直的方向贯穿所述陶瓷滤波基体。
[0008]优选地，每个所述谐振腔的横截面为圆形，或者，每个所述谐振腔的横截面为方形。
[0009]优选地，相邻的两个所述谐振腔之间凹陷连通有盲槽，所述盲槽呈条形或T形。
[0010]优选地，相邻的两个所述谐振腔之间还设有盲孔。
[0011]更优选地，所述盲孔的中心位于所述相邻两个谐振腔的中心连线的1/2长度处。
[0012]进一步地，所述陶瓷滤波器基体的数量为3个或4个。
[0013]进一步地，所述陶瓷滤波器本体包括两个分体设置且相互隔开的陶瓷滤波器基体，所述两个陶瓷滤波器基体的输入基端分别通过信号线连接所述公共端；第一个所述陶瓷滤波器基体平行于第二个所述陶瓷滤波器基体，或者，第一个所述陶瓷滤波器基体与第二个所述陶瓷滤波器基体设置在同一直线上。
[0014]更进一步地，所述低通滤波结构包括由上至下层叠的第一接地金属层、第一介质层、第一电路层、第二介质层、第二电路层、第三介质层和第二接地金属层。
[0015]第二方面，本申请实施例提供一种无线通信基站，包括上述任意一种结构所述介质滤波双工器。
[0016]综上所述，与现有技术相比，本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0017]1.本申请实施例由于其陶瓷滤波器本体至少包括两个分体设置的陶瓷滤波器基体，由于对单个陶瓷滤波器基体压制相对整体陶瓷滤波器本体更容易成型，所以可以解决图现有介质滤波双工器所存在的调试难度大，频率相差较远时存在高低孔深结构，压制成型难度大，成型变形量大等工艺问题。
[0018]2.本申请实施例由于在至少一个所述输出基端上设有低通滤波结构，所以通过该低通滤波结构，可以大大地有效抑制远端谐波。
[0019]3.本申请实施例的低通滤波结构由于设于所述陶瓷滤波器本体内部，所以避免了低通滤波结构的外置，从而可以减少输出基端与低通滤波结构之间出现接触不良的情况，有效地确保了本申请实施例远端谐波的抑制性能。
附图说明
[0020]图1是现有的介质滤波双工器的内部结构示意图；
[0021]图2是现有另一种介质滤波双工器的结构示意图；
[0022]图3是图2所示的介质滤波双工器的S参数响应特性曲线图；
[0023]图4是本申请实施例的提供一种介质滤波双工器的结构示意图；
[0024]图5是本图4所示的介质滤波双工器的S参数响应特性曲线图；
[0025]图6是本申请另一实施例提供的介质滤波双工器的S参数响应特性曲线图。
[0026]其中，图1附图标记说明如下：
[0027]1、公共端；2、第一输出端；3、第二输出端；4、陶瓷介质本体。
[0028]图2附图标记说明如下：
[0029]1、公共端；2、第一输出基端；3、第二输出基端；4、陶瓷滤波器基体；5、陶瓷滤波器基体；6、陶瓷滤波器本体；7、第一输入基端；8、第二输入基端。
[0030]图4附图标记说明如下：
[0031]1、公共端；2、第一输出基端；3、第二输出基端；4、陶瓷滤波器基体；5、陶瓷滤波器基体；6、陶瓷滤波器本体；7、第一输入基端；8、第二输入基端；9、低通滤波结构。
[0032]图3、图5和图6的线型说明如下：
[0033]————表示公共端与公共端(1,1)之间的S参数响应特性曲线；
[0034]………
表示第一输出基端与公共端(2,1)之间的S参数响应特性曲线；
[0035]‑‑‑‑‑‑‑
表示第二输出基端与公共端(3,1)之间的S参数响应特性曲线。
具体实施方式
[0036]本具体实施例仅仅是对本申请的解释，其并不是对本申请的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本申请的权利要求范围内都受到专利法的保护。
[0037]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种介质滤波双工器，其特征在于：包括陶瓷滤波器本体，设于所述陶瓷滤波器本体上的公共端和总输出端；所述陶瓷滤波器本体至少包括两个分体设置的陶瓷滤波器基体；所有的所述陶瓷滤波器基体的输入基端并接后连接所述公共端，所有的所述陶瓷滤波器基体的输出基端为自由端以形成所述总输出端；至少一个所述输出基端上设有低通滤波结构；所述低通滤波结构设于所述陶瓷滤波器本体内部。2.根据权利要求1所述的介质滤波双工器，其特征在于：每个所述陶瓷滤波器基体沿其长度方向上分布有若干个谐振腔，所述谐振腔沿着相对陶瓷滤波基体长度方向垂直的方向贯穿所述陶瓷滤波基体。3.根据权利要求2所述的介质滤波双工器，其特征在于：每个所述谐振腔的横截面为圆形，或者，每个所述谐振腔的横截面为方形。4.根据权利要求2所述的介质滤波双工器，其特征在于：相邻的两个所述谐振腔之间凹陷连通有盲槽，所述盲槽呈条形或T形。5.根据权利要求2所述的介质滤波双工器，其特征在于：相邻的两个所述谐振腔之间还设有盲孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍隽，闵祥会，欧阳洲，阳应雪，潘彦龙，陈威宇，
申请(专利权)人：深圳顺络电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：