镀膜承载组件、PECVD镀膜机构及太阳电池制备系统技术方案

本实用新型专利技术涉及一种镀膜承载组件、PECVD镀膜机构及太阳电池制备系统。镀膜承载组件包括承载框，承载框上形成有多个载片槽，单个载片槽的内侧壁倾斜设置，载片槽由底壁至载片槽的开口的方向的尺寸趋于增大，硅片能够与载片槽倾斜设置的内侧壁抵接，能够满足多种不同尺寸大小的硅片。镀膜时，镀膜承载组件设置于气体反应腔内，气体发生装置向镀膜承载组件喷反应气体。由于位于外侧的第二槽的内侧壁的斜率与位于中间的第一槽的内侧壁的斜率不同，当硅片放置于载片槽内后，使得位于第一槽内与第二槽内的硅片的高度不同，进而便于适应不同位置处的气体浓度，从而便于提高硅片的镀膜要求。从而便于提高硅片的镀膜要求。从而便于提高硅片的镀膜要求。

【技术实现步骤摘要】
镀膜承载组件、PECVD镀膜机构及太阳电池制备系统


[0001]本技术涉及镀膜
，特别是涉及镀膜承载组件、PECVD镀膜机构及太阳电池制备系统。

技术介绍

[0002]在PECVD镀膜工艺中，PECVD承载框是硅片镀膜的关键工装治具，主要用于承载硅片，对硅片进行限位。在镀膜的过程中，将装有多个硅片的承载框设置于反应腔内，使得反应气流喷向承载框上的硅片进行镀膜。然而，由于反应腔内气体不均匀，进而易造成承载框上的多个硅片存在镀膜色差，影响硅片的镀膜效果。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对上述问题，提供一种能够有效保证硅片的镀膜效果的镀膜承载组件、PECVD镀膜机构及太阳电池制备系统。
[0004]一种镀膜承载组件，所述镀膜承载组件包括承载框，所述承载框上形成有多个载片槽，多个所述载片槽依次排列布置，所述载片槽的内侧壁倾斜设置，以使所述载片槽由底壁至所述载片槽开口方向的横截面尺寸趋于增大；其中，位于所述承载框中间的所述载片槽为第一槽，位于外侧的所述载片槽为第二槽，所述第二槽的内侧壁的斜率与所述第一槽的内侧壁的斜率不同。
[0005]在其中一个实施例中，所述第二槽的内侧壁的斜率大于所述第一槽的内侧壁的斜率，其中，所述斜率为所述载片槽的内侧壁与所述载片槽的底壁所在的平面之间的夹角。
[0006]在其中一个实施例中，所述第一槽与所述第二槽之间还设置有至少一个所述载片槽，位于所述第一槽与所述第二槽之间的所述载片槽为第三槽，所述第三槽的内侧壁的斜率介于所述第一槽的斜率与所述第二槽的斜率之间。
[0007]在其中一个实施例中，所述载片槽的内侧壁包括第一斜面及第二斜面，所述第二斜面位于所述第一斜面朝向所述载片槽开口侧的一侧，所述第二斜面的斜率与所述第一斜面的斜率不一致。
[0008]在其中一个实施例中，所述第二斜面的斜率大于所述第一斜面的斜率。
[0009]在其中一个实施例中，所述第二斜面的斜率为20
°‑
40
°
，所述第一斜面的斜率为5
°‑
20
°
。
[0010]在其中一个实施例中，所述第二斜面朝向所述载片槽底壁的侧边与所述第一斜面背向所述载片槽底壁的侧边相连接；或者
[0011]所述载片槽的内侧壁还包括过渡面，所述过渡面与所述载片槽的底壁平行，所述第二斜面与所述第一斜面通过所述过渡面连接。
[0012]在其中一个实施例中，所述的镀膜承载组件还包括两个档条，其中两个所述档条相对间隔设置于所述承载框上，多个所述载片槽沿着一所述档条至另一所述档条的方向依次排列布置在两个所述档条之间，其中，靠近所述档条的所述载片槽为所述第二槽。
[0013]在其中一个实施例中，多个沿着一所述档条至另一所述档条的方向依次排列布置的所述载片槽形成为一组，所述载片槽设置为多组，多组所述载片槽沿着所述档条的长度方向间隔设置。
[0014]一种PECVD镀膜机构，所述PECVD镀膜机构包括如上所述的镀膜承载组件及机台，所述机台内形成有气体反应腔，所述机台上设置有气体发生装置，所述镀膜承载组件设置于所述气体反应腔内，所述气体发生装置用于向所述镀膜承载组件喷反应气体。
[0015]上述镀膜承载组件及PECVD镀膜机构，由于载片槽的内侧壁倾斜设置，使得载片槽由底壁至载片槽的开口的方向的横截面尺寸趋于增大，进而当硅片由载片槽的开口侧放置于载片槽内时，避免硅片与载片槽的底壁接触，使得硅片与载片槽倾斜设置的内侧壁抵接，实现对硅片的线接触的支撑，减少对硅片的支撑面积以减少摩擦，还能够避免硅片在载片槽内朝载片槽的内侧壁的方向抖动，保证硅片设置的稳定性。且由于载片槽的内侧壁倾斜设置，进而能够满足多种不同尺寸大小的硅片，适应性更好。
[0016]在镀膜的过程中，镀膜承载组件设置于气体反应腔内，气体发生装置用于向镀膜承载组件喷反应气体。由于位于外侧的第二槽的内侧壁的斜率与位于中间的第一槽的内侧壁的斜率不同，当硅片放置于载片槽内后，使得位于第一槽内与第二槽内的硅片的高度不同，进而便于适应不同位置处的气体浓度，从而便于提高硅片的镀膜要求。
[0017]一种太阳电池制备系统，所述太阳电池制备系统包括如上所述的PECVD镀膜机构。
附图说明
[0018]构成本申请的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。
[0019]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]此外，附图并不是1:1的比例绘制，并且各个元件的相对尺寸在附图中仅示例地绘制，而不一定按照真实比例绘制。在附图中：
[0021]图1为一实施例中的镀膜承载组件的结构示意图；
[0022]图2为图1所示的镀膜承载组件俯视图；
[0023]图3为图1所示的镀膜承载组件的局部剖视图；
[0024]图4为图3中的A处的放大图。
[0025]附图标记说明：
[0026]10、镀膜承载组件；100、承载框；110、载片槽；111、内侧壁；112、第一斜面；113、第二斜面；120、第一槽；130、第二槽；140、第三槽；200、档条。
具体实施方式
[0027]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域
技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0028]参阅图1及图2，本技术一实施例中的PECVD镀膜机构，能够实现对硅片的镀膜，且至少能够保证硅片镀膜的效果。具体地，PECVD镀膜机构包括镀膜承载组件10及机台，机台内形成有气体反应腔，机台上设置有气体发生装置，镀膜承载组件10设置于气体反应腔内，气体发生装置用于向镀膜承载组件10喷反应气体。镀膜承载组件10用于承载硅片。
[0029]一并参阅图3及图4，一实施例中，镀膜承载组件10包括承载框100，承载框100上形成有多个载片槽110，多个载片槽110依次排列布置，载片槽110的内侧壁111倾斜设置，以使载片槽110由底壁至载片槽110的开口方向的横截面尺寸趋于增大。
[0030]由于载片槽110的内侧壁111倾斜设置，使得载片槽110由底壁至载片槽110的开口方向的横截面尺寸趋于增大，进而当硅片由载片槽110的开口侧放置于载片槽110内时，避免硅片与载片槽110的底壁接触，使得硅片与载片槽110倾斜设置的内侧壁111抵接，实现对硅片的线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种镀膜承载组件，其特征在于，所述镀膜承载组件(10)包括承载框(100)，所述承载框(100)上形成有多个载片槽(110)，多个所述载片槽(110)依次排列布置，所述载片槽(110)的内侧壁(111)倾斜设置，以使所述载片槽(110)由底壁至所述载片槽(110)开口方向的横截面尺寸趋于增大；其中，位于所述承载框(100)中间的所述载片槽(110)为第一槽(120)，位于外侧的所述载片槽(110)为第二槽(130)，所述第二槽(130)的内侧壁的斜率与所述第一槽(120)的内侧壁的斜率不同。2.根据权利要求1所述的镀膜承载组件，其特征在于，所述第二槽(130)的内侧壁(111)的斜率大于所述第一槽(120)的内侧壁(111)的斜率，其中，所述斜率为所述载片槽(110)的内侧壁(111)与所述载片槽(110)的底壁所在的平面之间的夹角。3.根据权利要求2所述的镀膜承载组件，其特征在于，所述第一槽(120)与所述第二槽(130)之间还设置有至少一个所述载片槽(110)，位于所述第一槽(120)与所述第二槽(130)之间的所述载片槽(110)为第三槽(140)，所述第三槽(140)的内侧壁(111)的斜率介于所述第一槽(120)的斜率与所述第二槽(130)的斜率之间。4.根据权利要求1所述的镀膜承载组件，其特征在于，所述载片槽(110)的内侧壁(111)包括第一斜面(112)及第二斜面(113)，所述第二斜面(113)位于所述第一斜面(112)朝向所述载片槽(110)开口侧的一侧，所述第二斜面(113)的斜率与所述第一斜面(112)的斜率不一致。5.根据权利要求4所述的镀膜承载组件，其特征在于，所述第二斜面(113)的斜率大于所述第一斜面(112)的斜率。6.根据权利要求5所述的镀膜承载组件，其特征在于，所述第二斜面...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉克超，
申请(专利权)人：通威太阳能安徽有限公司，
类型：新型
国别省市：