封装胶膜组合物、封装胶膜和光伏组件制造技术

本发明专利技术提供了一种封装胶膜组合物、封装胶膜和光伏组件。该封装胶膜组合物包括基体树脂和高介电材料，其中，高介电材料的介电常数≥10；高介电材料包括有机高分子材料、碳无机材料和金属无机材料中的任意一种或者多种。应用本发明专利技术的技术方案，封装胶膜组合物中由于加入高介电的材料分布于基体树脂中，能够极大增强封装胶膜的电容效应，在存在电势差的情况下，能储存一定量的电荷，从而减少电荷迁移至电池片表面，有效抑制光伏组件的PID问题。有效抑制光伏组件的PID问题。

【技术实现步骤摘要】
封装胶膜组合物、封装胶膜和光伏组件


[0001]本专利技术涉及光伏
，具体而言，涉及一种封装胶膜组合物、封装胶膜和光伏组件。

技术介绍

[0002]光伏组件的电势诱导衰减(PID)问题一直是困扰光伏行业多年的痛点，当光伏电站中组件阵列发生该问题时，会导致电站输出功率大幅下降，造成极大损失。对于光伏组件PID效应的成因，业内深入研究多年，对其形成机理有PID
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s、PID
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p、PID
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c等不同阐释，其中PID
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p即电池表面极化导致的衰减，表现为组件开路电压(Voc)和短路电流(Ish)严重下降，而填充因子(FF)并无明显下降，且一定程度上可恢复，不同于PID
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s的FF严重下降及PID
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c的衰减不可恢复。造成PID
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p的主要原因为在电池片及边框之间存在高电势差，系统中存在漏电流，正电荷逐渐在电池表面富集，中和钝化层中的固定负电荷，造成钝化作用消失，继而界面负荷大幅增加，输出功率/电流/电压大幅下降。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装胶膜组合物，其特征在于，包括基体树脂和高介电材料，所述高介电材料的介电常数≥10；所述高介电材料包括有机高分子材料、碳无机材料和金属无机材料中的任意一种或者多种。2.根据权利要求1所述的封装胶膜组合物，其特征在于，所述金属无机材料的介电常数≥100；优选的，所述金属无机材料的粒径D50为0.01～10μm；优选的，所述金属无机材料选自铌镁酸铅
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钛酸铅、锆钛酸铅镧、锆钛酸铅、钛酸钡、钛酸锶、铌酸钾钠、铌酸钠和二氧化钛中的任意一种或者多种。3.根据权利要求2所述的封装胶膜组合物，其特征在于，所述金属无机材料和碳无机材料经过有机物改性处理；优选的，所述有机物包括聚烯烃、环氧树脂和硅烷偶联剂中的任意一种或者多种。4.根据权利要求1所述的封装胶膜组合物，其特征在于，所述有机高分子材料和所述碳无机材料的介电常数为10～3000；优选的，所述有机高分子材料和碳无机材料的粒径D50为0.01～10μm；优选的，所述碳无机材料包括碳纳米管、石墨...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯宏兵，唐国栋，胡晓波，魏梦娟，
申请(专利权)人：杭州福斯特应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：