一种高性能RTF铜箔表面处理方法技术

技术编号:38643060 阅读:18 留言:0更新日期:2023-08-31 18:35
本发明专利技术公开了一种高性能RTF铜箔表面处理方法,属于铜箔表面处理技术领域,包括如下步骤:S1、交替电脉冲酸洗;S2、粗化;S3、固化;S4、重复步骤S2

【技术实现步骤摘要】
(比表面积),2

3秒,温度25

40℃。
[0020]进一步地,镀锌镍过程中:锌镍合金镀液:Zn
2+2‑
4g/L,Ni
2+
0.5

1g/L,焦磷酸根50

80g/L,柠檬酸钠5

10g/L,pH10

13。
[0021]进一步地,防氧化镀过程中:防氧化镀液:CrO
42

(Cr
6+
计)0.4

1.0g/L,pH10

13。
[0022]进一步地,硅烷偶联剂液为环氧基硅烷偶联剂,环氧基硅烷偶联剂的浓度为2

4g/L。
[0023]本专利技术的有益效果:
[0024]经过本专利技术中的方法处理后的RTF铜箔,压合面峰值Rz2.0

3.0,Tg150树脂体系胶片压板,35μm铜箔的抗剥离强度1.25

1.5kgf/cm,5%盐酸浸泡10min底蚀量≤0.15mm。经线宽纤细蚀刻分析,满足10GHz通频要求。
[0025]对铜箔表面采用脉冲电源进行酸洗,降低峰值,表面粒径细化,增加粗化时铜沉积点位;在粗化液中加入支晶助剂钨钼盐类,使粗化生成的铜瘤细长。
具体实施方式
[0026]下面将结合本专利技术实施例,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本专利技术保护的范围。
[0027]实施例1
[0028]本实施例提供一种高性能RTF铜箔表面处理方法,包括如下步骤:
[0029]S1、模拟交替脉冲震荡电源,交替电脉冲酸洗:铜箔接正相,电流密度300A/m2,温度30℃,处理时间3秒,正相时长:反相时长≥2,处理完后不水洗,直接进行粗化;
[0030]S2、粗化:4000A/m2镀3秒、3000A/m2镀3秒,温度30℃;
[0031]S3、固化:4000A/m2镀3秒、4000A/m2镀3秒,温度30℃;固化液:Cu
2+
45g/L,H
+
(H2SO4计)90g/L;
[0032]S4、重复步骤S2

S3;
[0033]S5、弱粗化:1000A/m2镀3秒、500A/m2镀3秒,温度30℃;
[0034]酸洗、粗化和弱粗化的电解液中:Cu
2+
12g/L,H
+
(H2SO4计)110g/L,钨酸钠20ppm,Cl

15ppm。
[0035]S6、洗净铜箔表面,进行镀锌镍:压合面电流20A/m2,4秒,非压合面电流40A/m2(比表面积),2秒,温度25℃;锌镍合金镀液:Zn
2+
2g/L,Ni
2+
0.5g/L,焦磷酸根50g/L,柠檬酸钠5g/L,pH10;
[0036]S7、洗净铜箔表面,进行防氧化镀:压合面电流60A/m2,4秒,非压合面电流100A/m2(比表面积),2秒,温度25℃;防氧化镀液:CrO
42

(Cr
6+
计)0.4g/L,pH10;
[0037]S8、洗净铜箔表面,吹干;压合面(光面)喷上硅烷偶联剂液KBM403(信越化学),浓度为2g/L,沥掉表面多余的液,100℃烘干。
[0038]实施例2
[0039]本实施例提供一种高性能RTF铜箔表面处理方法,包括如下步骤:
[0040]S1、模拟交替脉冲震荡电源,交替电脉冲酸洗:铜箔接正相,电流密度500A/m2,温
度35℃,处理时间4秒,正相时长:反相时长≥2,处理完后不水洗,直接进行粗化;
[0041]S2、粗化:4500A/m2镀3秒、3500A/m2镀3秒,温度40℃;
[0042]S3、固化:4500A/m2镀3秒、4500A/m2镀3秒,温度40℃;固化液:Cu
2+
50g/L,H
+
(H2SO4计)110g/L;
[0043]S4、重复步骤S2

S3;
[0044]S5、弱粗化:1500A/m2镀3秒、1000A/m2镀3秒,温度40℃;
[0045]酸洗、粗化和弱粗化的电解液中:Cu
2+
15g/L,H
+
(H2SO4计)130g/L,钨酸钠30ppm,Cl

30ppm。
[0046]S6、洗净铜箔表面,进行镀锌镍:压合面电流30A/m2,5秒,非压合面电流50A/m2(比表面积),3秒,温度30℃;锌镍合金镀液:Zn
2+
3g/L,Ni
2+
1g/L,焦磷酸根70g/L,柠檬酸钠8g/L,pH11;
[0047]S7、洗净铜箔表面,进行防氧化镀:压合面电流80A/m2,5秒,非压合面电流150A/m2(比表面积),3秒,温度30℃;防氧化镀液:CrO
42

(Cr
6+
计)0.8g/L,pH12;
[0048]S8、洗净铜箔表面,吹干;压合面(光面)喷上硅烷偶联剂液KBM403(信越化学),浓度为3g/L,沥掉表面多余的液,130℃烘干。
[0049]实施例3
[0050]本实施例提供一种高性能RTF铜箔表面处理方法,包括如下步骤:
[0051]S1、模拟交替脉冲震荡电源,交替电脉冲酸洗:铜箔接正相,电流密度600A/m2,温度40℃,处理时间6秒,正相时长:反相时长≥2,处理完后不水洗,直接进行粗化;
[0052]S2、粗化:5000A/m2镀3秒、4000A/m2镀3秒,温度45℃;
[0053]S3、固化:5000A/m2镀3秒、5000A/m2镀3秒,温度45℃;固化液:Cu
2+
60g/L,H
+
(H2SO4计)130g/L;
[0054]S4、重复步骤S2

S3;
[0055]S5、弱粗化:2000A/m2镀3秒、1500A/m2镀3秒,温度45℃;
[0056]酸洗、粗化和弱粗化的电解液中:Cu
2+
20g/L,H
+
(H2SO4计)150g/L,钼酸钠40ppm,Cl

40ppm。
[0057]S6、洗净铜箔表面,进行镀锌镍:压合面电流50A/m2,6秒,非压合面电流60A/m2(比表面积),3秒,温度40℃;锌镍合金镀液:Zn
2+
4g/L,Ni
2+
1g/L,焦磷酸根80g/L,柠檬酸钠10g本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高性能RTF铜箔表面处理方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、模拟交替脉冲震荡电源,交替电脉冲酸洗:铜箔接正相,电流密度300

600A/m2,温度30

40℃,处理时间3

6秒;S2、粗化:4000

5000A/m2镀3秒、3000

4000A/m2镀3秒,温度30

45℃;S3、固化:4000

5000A/m2镀3秒、4000

5000A/m2镀3秒,温度30

45℃;S4、重复步骤S2

S3;S5、弱粗化:1000

2000A/m2镀3秒、500

1500A/m2镀3秒,温度30

45℃;S6、镀锌镍;S7、防氧化镀;S8、洗净铜箔表面,吹干;压合面喷上硅烷偶联剂液,沥掉表面多余的液,烘干。2.根据权利要求1所述的一种高性能RTF铜箔表面处理方法,其特征在于,模拟交替脉冲震荡电源:正相时长:反相时长≥2。3.根据权利要求1所述的一种高性能RTF铜箔表面处理方法,其特征在于,酸洗、粗化和弱粗化的电解液中:Cu
2+
12

20g/L,H
+
110

150g/L,支晶助剂A20

40ppm,Cl

15

40ppm。4.根据权利要求3所述的一种高性能RTF铜箔表面处理方法,其特征在于,支晶助剂A包括钨酸钠、钼酸钠。5.根据权利要求1所述的一种高性能RTF铜箔表面处理方法...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄文荣周盛夫殷勇黄国平徐龙
申请(专利权)人:安徽华创新材料股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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