一种双面导电薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术涉及导电材料技术领域，具体为一种双面导电薄膜及其制备方法，所述导电薄膜组件包括有基材、光刻胶层、沟槽、化学镀催化剂、金属导电层与保护层，其中光刻胶层设置在基材的上侧，一种双面导电薄膜，包括以下制备步骤：步骤一：选材；步骤二：形成胶层；步骤三：开槽；步骤四：填入催化剂；步骤五：镀导电层；步骤六：形成保护；步骤七：重复操作；通过激光直写或者光刻或者纳米压印等方式在基底材料上的光学胶层形成图案化的沟槽；通过化学镀在沟槽中形成导电性能优异的导电层，方块电阻低于1Ω；沟槽里的导电层无离子迁移问题且与基底有良好的结合力。结合力。结合力。

【技术实现步骤摘要】
一种双面导电薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及导电材料
，具体为一种双面导电薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]电极材料是电子器件的重要组成部分之一。一些特殊的电极材料通过特有的器件结构，甚至可以形成电子传感器，例如电容式触控传感器。制备导电性能优异且具有特殊导电结构的电极材料对发展高性能的电子器件具有重要意义。
[0003]在基底材料上形成电极的方法主要有减法工艺和加法工艺。减法工艺是通过对基底材料上的导电层(ITO、铜膜、纳米银线)进行处理，形成特殊的导电网络结构。加法工艺是通过在基底材料上形成沟槽，然后在沟槽中填充不同的导电材料如碳纳米管、纳米银、石墨烯等。专利文献CN102063951B提出了一种在透明基底材料上利用纳米压印技术压制出用于填埋导电金属颗粒的凹槽以及形成特殊的导电网络结构和透明导电薄膜。其中填埋导电金属颗粒的方法为湿法涂布工艺：采用连续涂布方法，在透明基底表面涂布掺有疏水溶剂的纳米银浆，然后根据自流平效应使得银浆沉积于凹槽中，最后通过加热烘烤，使得银浆凝结并在凹槽中形成金属线栅；
[0004]专利文献CN102222538B公开了一种基于压印和刮涂导电墨水来制备图案化的柔性透明导电薄膜及其制法。其中图案化的沟槽是通过压印光学胶形成的。填充导电墨水的方法包括刮涂和气溶胶打印。
[0005]通过在沟槽中填埋导电材料来制备的电极材料，其导电性能严重受制于导电颗粒之间的接触电阻和烧结致密性。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种双面导电薄膜及其制备方法，以解决上述过程中所提到的问题。
[0007]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种双面导电薄膜，所述导电薄膜组件包括有基材、光刻胶层、沟槽、化学镀催化剂、金属导电层与保护层，其中光刻胶层设置在基材的上侧，所述沟槽均匀开设在光刻胶层上，其中化学镀催化剂设置在沟槽的内部，所述金属导电层处于化学镀催化剂的上侧，其中保护层设置在光刻胶层的上侧。
[0008]优选的，所述基材可采用导体、绝缘体、半导体、刚性材料、柔性材料或可拉伸材料。
[0009]优选的，所述沟槽的形状为任意形状。
[0010]优选的，所述化学镀催化剂是胶体钯等任何能进行化学镀的催化剂。
[0011]优选的，所述金属导电层可为合金层。
[0012]一种双面导电薄膜，包括以下制备步骤：
[0013]步骤一：选材；对基材进行选材，基材可是任何材料,导体或半导体或者绝缘体；刚性材料或柔性材料或可拉伸材料；透明材料或者不透明材料；
[0014]步骤二：形成胶层；通过涂布、流延、刮余等方式在基材上形成一层光刻胶层。
[0015]步骤三：开槽；通过激光直写、光刻或纳米压印等方式在光刻胶层上形成带有任意图案的沟槽；
[0016]步骤四：填入催化剂；通过流延刮涂等方式将化学镀催化剂填入沟槽中，同时对光刻胶层顶层表面进行等离子处理，去除上面残留的化学镀催化剂；
[0017]步骤五：镀导电层；通过化学镀在沟槽中渡上金属导电层；
[0018]步骤六：形成保护；然后在光刻胶层的表面通过涂布、流廷或刮涂等方式施加光学跤形成保护层；
[0019]步骤七：重复操作；继续重复上述步骡,形成多层导电网络结构。
[0020]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0021]1、通过激光直写或者光刻或者纳米压印等方式在基底材料上的光学胶层形成图案化的沟槽；
[0022]2、通过化学镀在沟槽中形成导电性能优异的导电层，方块电阻低于1Ω；
[0023]3、沟槽里的导电层无离子迁移问题且与基底有良好的结合力。
附图说明
[0024]图1为本专利技术导电薄膜示意图。
[0025]图中：基材1、光刻胶层11、沟槽12、化学镀催化剂13、金属导电层14、保护层15。
具体实施方式
[0026]下面将详细描述本专利技术的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本专利技术的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本专利技术可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本专利技术的示例来提供对本专利技术的更好的理解。本专利技术决不限于下面所提出的任何具体配置和算法，而是在不脱离本专利技术的精神的前提下覆盖了元素、部件和算法的任何修改、替换和改进。在附图和下面的描述中，没有示出公知的结构和技术，以便避免对本专利技术造成不必要的模糊。
[0027]请参阅图1，本专利技术提供一种技术方案：导电薄膜组件包括有基材1、光刻胶层11、沟槽12、化学镀催化剂13、金属导电层14与保护层15，其中光刻胶层11设置在基材1的上侧，沟槽12均匀开设在光刻胶层11上，其中化学镀催化剂13设置在沟槽12的内部，金属导电层14处于化学镀催化剂13的上侧，其中保护层15设置在光刻胶层11的上侧。
[0028]优选的，基材可采用导体、绝缘体、半导体、刚性材料、柔性材料或可拉伸材料。
[0029]优选的，沟槽12的形状为任意形状。
[0030]优选的，化学镀催化剂13是胶体钯等任何能进行化学镀的催化剂。
[0031]优选的，金属导电层14可为合金层。
[0032]一种双面导电薄膜，包括以下制备步骤：
[0033]步骤一：选材；对基材1进行选材，基材1可是任何材料,导体或半导体或者绝缘体；刚性材料或柔性材料或可拉伸材料；透明材料或者不透明材料；
[0034]步骤二：形成胶层；通过涂布、流延、刮余等方式在基材1上形成一层光刻胶层11。
[0035]步骤三：开槽；通过激光直写、光刻或纳米压印等方式在光刻胶层11上形成带有任意图案的沟槽12；
[0036]步骤四：填入催化剂；通过流延刮涂等方式将化学镀催化剂13填入沟槽中，同时对光刻胶层11顶层表面进行等离子处理，去除上面残留的化学镀催化剂13；
[0037]步骤五：镀导电层；通过化学镀在沟槽12中渡上金属导电层14；
[0038]步骤六：形成保护；然后在光刻胶层11的表面通过涂布、流廷或刮涂等方式施加光学跤形成保护层15；
[0039]步骤七：重复操作；继续重复上述步骡,形成多层导电网络结构。
[0040]此外步骤七也不可进行重复操作，形成单层导电网络结构。
[0041]在不同实施例中出现的不同技术特征可以进行组合，以取得有益效果。本领域技术人员在研究附图、说明书及权利要求书的基础上，应能理解并实现所揭示的实施例的其他变化的实施例。在权利要求书中，术语“包括”并不排除其他装置或步骤；不定冠词“一个”不排除多个；术语“第一”、“第二”用于标示名称而非用于表示任何特定的顺序。权利要求中的任何附图标记均不应被理解为对保护范围的限制。权利要求中出现的多个部分的功能可以由一个单独的硬件或软件模块来实现。某些技术特征出现在不同的从属权利要求中并不意味着不能将这些技术特本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双面导电薄膜，包括导电薄膜组件，其特征在于：所述导电薄膜组件包括有基材(1)、光刻胶层(11)、沟槽(12)、化学镀催化剂(13)、金属导电层(14)与保护层(15)，其中光刻胶层(11)设置在基材(1)的上侧，所述沟槽(12)均匀开设在光刻胶层(11)上，其中化学镀催化剂(13)设置在沟槽(12)的内部，所述金属导电层(14)处于化学镀催化剂(13)的上侧，其中保护层(15)设置在光刻胶层(11)的上侧。2.根据权利要求1所述的一种双面导电薄膜，其特征在于：所述基材(1)可采用导体、绝缘体、半导体、刚性材料、柔性材料或可拉伸材料。3.根据权利要求1所述的一种双面导电薄膜，其特征在于：所述沟槽(12)的形状为任意形状。4.根据权利要求1所述的一种双面导电薄膜，其特征在于：所述化学镀催化剂(13)是胶体钯等任何能进行化学镀的催化剂。5.根据权利要求1所述的一种双面导电薄膜，其特征在于：所述金属导...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏伟，王飞，
申请(专利权)人：淄博松柏电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：