一种吸收带边尖锐的四足状HgTe量子点合成方法技术

本申请提供一种吸收带边尖锐的四足状HgTe量子点合成方法，该吸收带边尖锐的四足状HgTe量子点合成方法，包括：制备第一预设浓度的碲源溶液；制备第二预设浓度的汞前驱体溶液；利用注射泵向汞前驱体溶液按照预设注射速率注入预设体积的碲源溶液，得到量子点溶液；将量子点溶液反应生长预设时长后获得四足状HgTe量子点。本申请通过简单的注射泵泵入的方式合成HgTe量子点，注入速率、注入时间等工艺条件可控、合成工艺重复性高。合成工艺重复性高。合成工艺重复性高。

【技术实现步骤摘要】
一种吸收带边尖锐的四足状HgTe量子点合成方法


[0001]本申请涉及红外光电材料及制备
，具体为一种吸收带边尖锐的四足状HgTe量子点合成方法。

技术介绍

[0002]量子点是通过化学法合成的半导体纳米晶材料，特征尺寸为几纳米到几十纳米范围。与传统的半导体材料相比，量子点材料的独特优势在于可借助于量子尺寸效应，其带隙可以通过颗粒尺寸大小予以调控，因此可以满足不同的光谱响应、光谱应用及光电探测需求。
[0003]碲化汞(HgTe)是一种特殊的半金属材料，其激子波尔半径较大(～40nm)。通过尺寸调节，HgTe量子点的光响应可以覆盖至红外波段(图2)。更为重要的是，HgTe量子点为二元组分材料，且借助于低温胶体化学合成，所以没有HgCdTe材料所存在的成分偏析问题，因此被认为是制备红外光探测器的理想材料。
[0004]当前，HgTe量子点主要采取两种方法，一种是三正辛基碲膦(TOPTe)注入到氯化汞的油胺溶液中，另外一种是双(三甲基硅基)碲醚(TMSTe)注入到氯化汞的油胺溶液。使用TOPTe为碲源时，合成的HgTe量子点激本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种吸收带边尖锐的四足状HgTe量子点合成方法，其特征在于，包括：制备第一预设浓度的碲源溶液；制备第二预设浓度的汞前驱体溶液；利用注射泵向所述汞前驱体溶液按照预设注射速率注入预设体积的碲源溶液，得到量子点溶液；将量子点溶液反应生长预设时长后获得四足状HgTe量子点。2.如权利要求1所述的吸收带边尖锐的四足状HgTe量子点合成方法，其特征在于，所述制备第二预设浓度的汞前驱体溶液，包括：将汞的卤族化合物溶解在油胺溶液中形成混合物；在惰性气氛下，将所述混合物在80℃至150℃下保温20min～40min后，降温至35℃至145℃得到所述第二预设浓度的汞前驱体溶液，所述第二预设浓度为20mmol/L～90mmol/L。3.如权利要求2所述的吸收带边尖锐的四足状HgTe量子点合成方法，其特征在于，所述汞的卤族化合物为氯化汞、溴化汞或碘化汞中的任意一种。4.如权利要求1所述的吸收带边尖锐的四足状HgTe量子点合成方法，其特征在于，所述制备第一预设浓度的碲源溶液，包括：将0.127g至2.54g的碲料溶于10mL有机膦溶液中；在惰性气氛下加热至150℃并维持8个小时至碲料完全溶解；自然降至室温，得到第一预设浓度的碲源溶液。5.如权利要求4所述的吸收带边尖锐的四足状HgTe量子点合成方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：蓝新正，王彬彬，胡慧成，唐江，张建兵，高亮，浦世亮，毛慧，蔡宏，朱镇峰，张世峰，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：