大压力的高稳硅差压传感器制造技术

本实用新型专利技术涉及工业测量技术领域，具体涉及一种大压力的高稳硅差压传感器。本实用新型专利技术包括差压传感器的本体、位于本体顶部的差压组件，以及位于差压组件上的连接件，其中：本体，其顶部设置有凹槽，凹槽内放置有差压组件；本体两侧分别设置有本体油路和垫体油路；差压组件，包括位于凹槽底部的垫体、位于垫体上的烧结座，以及套接于烧结座外缘的环形套件；连接件，其底部设置有与环形套件相配合的卡口。本实用新型专利技术生产方便，省去很多焊接步骤，减少漏点，提高效率；大压力不用通过过多缓冲，直接作用在芯片本身，性能好。性能好。性能好。

【技术实现步骤摘要】
大压力的高稳硅差压传感器


[0001]本技术涉及工业测量
，具体涉及一种大压力的高稳硅差压传感器。

技术介绍

[0002]现有的差压传感器利用正负压差，作用在芯片上形成不同程度的谐振器形变，利用谐振器谐振频率变化从而检测出外界压力值的变化。而现有的差压传感器采用较为复杂的结构，各个组件之间配合使用多级缓冲，压力作用在芯片上的力很小，形变程度也较小，因此检测效果不突出；另外，由于组装过程中需要较多焊点进行固定，存在较多漏点，一旦焊接组装完毕，后期维护更换成本较高。

技术实现思路

[0003]本技术要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，旨在提供一种大压力差压传感器，生产方便，省去很多焊接步骤，减少漏点，提高效率；大压力不用通过过多缓冲，直接作用在芯片本身，性能好。
[0004]本技术的技术方案为：
[0005]一种大压力的高稳硅差压传感器，包括差压传感器的本体、位于本体顶部的差压组件，以及位于差压组件上的连接件，其中：
[0006]本体，其顶部设置有凹槽，凹槽内放置有差压组件；本体两侧分别设置有本体油路和垫体油路；
[0007]差压组件，包括位于凹槽底部的垫体、位于垫体上的烧结座，以及套接于烧结座外缘的环形套件；其中垫体中部开设有与垫体油路相配合的贯通孔，垫体的顶部设置有与烧结座相配合的卡槽；烧结座的底部向上凹陷形成正压腔，正压腔的顶部设置有若干导压孔，中间导压孔处安装有高稳硅芯片；环形套件的底部开设有与本体油路相配合的豁口，环形套件内缘还设置有与豁口相配合的台肩，豁口与台肩构成的负压腔与烧结座、垫体均存在一定距离；
[0008]连接件，其底部设置有与环形套件相配合的卡口。
[0009]优选地，所述高稳硅芯片的下方为正压端，高稳硅芯片的上方为负压端，正压端与负压端的油量相对平衡，保证静压平衡。
[0010]优选地，所述正压腔通过垫体油路将力作用到高稳硅芯片的正压端。
[0011]优选地，所述负压腔通过本体油路将力作用在高稳硅芯片的负压端。
[0012]优选地，所述高稳硅芯片通过胶水粘接在烧结座上，粘接时不能将导压孔封死。
[0013]优选地，所述连接件外部连接有传感器的壳体，连接件根据壳体螺纹不同更改螺纹尺寸。
[0014]本技术与现有技术相比，具有以下有益效果：
[0015](1)整个传感器的生产方便，省去很多焊接步骤，减少漏点，提高效率；
[0016](2)传感器的大压力不用通过过多缓冲，直接作用在芯片本身，性能好。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1是本技术的结构示意图。
[0019]图2是传感器的本体的结构示意图。
[0020]图3是垫体的结构示意图。
[0021]图4是烧结座的结构示意图。
[0022]图5是环形套件的结构示意图之一。
[0023]图6是环形套件的结构示意图之二。
[0024]图7是连接件的结构示意图。
[0025]图中：1、本体；11、垫体油路；12、本体油路；13、凹槽；2、垫体；21、贯通孔；22、卡槽；3、烧结座；31、正压腔；32、导压孔；4、环形套件；41、豁口；42、台肩；5、连接件；51、卡口；52、螺纹；6、高稳硅芯片。
具体实施方式
[0026]为了使本
的人员更好地理解本技术中的技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。
[0027]实施例1
[0028]如图1所示，本实施例提供了一种大压力的高稳硅差压传感器，包括差压传感器的本体1、位于本体1顶部的差压组件，以及位于差压组件上的连接件5。差压组件，包括位于凹槽13底部的垫体2、位于垫体2上的烧结座3，以及套接于烧结座3外缘的环形套件4。
[0029]如图2所示，本体1，其顶部设置有凹槽13，凹槽13内放置有差压组件；本体1两侧分别设置有本体油路12和垫体2油路。其中本体油路12与负压腔相连，垫体2油路与正压腔31相连，本体油路12和垫体2油路分别提供不同的压力给烧结座3上的高稳硅芯片6，从而实现差压检测。
[0030]如图3所示，垫体2中部开设有与垫体2油路相配合的贯通孔21，垫体2的顶部设置有与烧结座3相配合的卡槽22。垫体2用于间隔烧结座3与本体1，起到对烧结座3保护的作用，减少晃动。
[0031]如图4所示，烧结座3的底部向上凹陷形成正压腔31，正压腔31的顶部设置有若干导压孔32，中间导压孔32处安装有高稳硅芯片6。
[0032]如图5和图6所示，环形套件4的底部开设有与本体油路12相配合的豁口41，环形套件4内缘还设置有与豁口41相配合的台肩42，豁口41与台肩42构成的负压腔与烧结座3、垫体2均存在一定距离。
[0033]如图7所示，连接件5，其底部设置有与环形套件4相配合的卡口51。
[0034]工作原理：
[0035]传感器在生产过程中，省去很多焊接步骤，采用装配式进行组装。首先，将环形套件4放置在传感器的本体1顶部，使其顶部的本体油路12出口与环形套件4的豁口41相匹配；然后在环形套件4内放置有垫体2，垫体2落入本体1顶部的凹槽13内，并距离环形套件4一定距离；继续在垫体2上的卡槽22内放置烧结座3，烧结座3下部与台肩42一定距离，而烧结座3与台肩42紧密相连；然后将连接件5的卡口51套接在环形套件4的顶部；通过上述装配式结构，可以减少漏点，提高效率。
[0036]实施例2
[0037]在实施例1的基础上，如图1所示，传感器在使用过程中，传感器的大压力不用通过过多缓冲，直接作用在芯片本身上。负压腔由垫体2、烧结座3与环形套件4三者之间的缝隙共同构成，正压腔31由垫体2、烧结座3之间的密封空间共同构成。高稳硅芯片6的下方为正压端，高稳硅芯片6的上方为负压端，正压端与负压端的油量相对平衡，保证静压平衡。正压腔31通过垫体2油路将力作用到高稳硅芯片6的正压端；负压腔通过本体油路12将力作用在高稳硅芯片6的负压端。高稳硅芯片6通过胶水粘接在烧结座3上，粘接时不能将导压孔32封死。因此通过上述简化后的缓冲结构，传感器的差压检测直接作用在芯片本身上，检测性能好。
[0038]实施例3
[0039]在实施例2的基础上，如图7所示，所述连接件5外部连接有传感器的壳体，连接件5根据壳体螺纹不同更改螺纹52的尺寸。采用连接件5与环形套本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大压力的高稳硅差压传感器，其特征在于，包括差压传感器的本体(1)、位于本体(1)顶部的差压组件，以及位于差压组件上的连接件(5)，其中：本体(1)，其顶部设置有凹槽(13)，凹槽(13)内放置有差压组件；本体(1)两侧分别设置有本体油路(12)和垫体油路(11)；差压组件，包括位于凹槽(13)底部的垫体(2)、位于垫体(2)上的烧结座(3)，以及套接于烧结座(3)外缘的环形套件(4)；其中垫体(2)中部开设有与垫体油路(11)相配合的贯通孔(21)，垫体(2)的顶部设置有与烧结座(3)相配合的卡槽(22)；烧结座(3)的底部向上凹陷形成正压腔(31)，正压腔(31)的顶部设置有若干导压孔(32)，中间导压孔(32)处安装有高稳硅芯片(6)；环形套件(4)的底部开设有与本体油路(12)相配合的豁口(41)，环形套件(4)内缘还设置有与豁口(41)相配合的台肩(42)，豁口(41)与台肩(42)构成的负压腔与烧结座(3)...

【专利技术属性】
技术研发人员：李哲，李明，张光起，张立新，高亮，魏慧琳，
申请(专利权)人：汉斯韦尔山东物联技术有限公司，
类型：新型
国别省市：