原子室、原子室的制造方法以及量子干涉装置制造方法及图纸

技术编号:38636232 阅读:31 留言:0更新日期:2023-08-31 18:32
本发明专利技术提供一种对碱金属的电子自旋状态发生弛豫的情况进行抑制的效果较高的原子室及其制造方法、以及具备所述原子室的量子干涉装置。本发明专利技术的原子室为,在内部被填充有碱金属的原子室,其包括:基材;第一涂层,其被设置在所述基材的内壁上,并源自第一分子;第二涂层,其被设置在所述第一涂层上,并源自具有与所述第一分子发生消去反应的反应基团以及非极性基团的第二分子;第三涂层,其被设置在所述第二涂层上,并源自非极性的第三分子,所述第三涂层的结晶度为70%以上。第三涂层的结晶度为70%以上。第三涂层的结晶度为70%以上。

【技术实现步骤摘要】
原子室、原子室的制造方法以及量子干涉装置


[0001]本专利技术涉及一种原子室、原子室的制造方法以及量子干涉装置。

技术介绍

[0002]虽然原子振荡器的工作原理被大致分为利用了由光与微波产生的双重共振现象的方式、和利用了由波长不同的两种光产生的量子干涉效应(CPT:Coherent Population Trapping)的方式,但是任意一种原子振荡器均具备封入了碱金属的气室。在气室的内壁上,为了抑制碱金属的电子自旋状态发生弛豫的情况,从而设置有涂层。
[0003]在专利文献1中,公开了一种包括在内壁上涂敷的第一涂层、在第一涂层上涂敷的第二涂层、和在第二涂层上涂敷的第三涂层的原子室。此外,在专利文献1中,公开了如下内容,即:第一涂层由与碱金属不发生置换反应的金属氧化物所形成;第二涂层由与金属氧化物发生反应的烷基硅烷所形成;以及第三涂层由作为第三分子的聚丙烯、聚乙烯或者聚甲基戊烯所形成。
[0004]根据包括这样的三层涂层的原子室,即使碱金属进入到涂层中,也能够抑制涂层的剥离。由此,能够得到对碱金属的电子自旋状态发生弛豫的情况进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种原子室,其特征在于,其为在内部被填充有碱金属的原子室,所述原子室包括:基材;第一涂层,其被设置在所述基材的内壁上,并源自第一分子;第二涂层,其被设置在所述第一涂层上,并源自具有与所述第一分子发生消去反应的反应基团以及非极性基团的第二分子;第三涂层,其被设置在所述第二涂层上,并源自非极性的第三分子,所述第三涂层的结晶度为70%以上。2.如权利要求1所述的原子室,其中,所述第三分子为石蜡或者联乙炔。3.如权利要求1或2所述的原子室,其中,所述第一分子为钽氧化物、锆氧化物、铪氧化物或者钛氧化物。4.如权利要求1所述的原子室,其中,所述第二分子为偶联剂。5.如权利要求4所述的原子室,其中,所述非极性基团为直链烷基。6.如权利要求4所述的原子室,其中,所述非极性基团为乙烯基。7.如权利要求4所述的原子室,其中,所述非极性基团为苯基。8.一种原子室的制造方法,其特征在于,其为在内部被填充有碱金属的原子室的制造方法,所述原子室的制造...

【专利技术属性】
技术研发人员:宫川拓也土屋泰
申请(专利权)人:精工爱普生株式会社
类型:发明
国别省市:

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