天线和电子设备制造技术

本发明专利技术提供了一种天线。所述天线包括：接地板；位于所述接地板上的介质层；以及位于所述介质层的远离所述接地板的一侧的辐射贴片和微带馈线。辐射贴片为平行四边形，所述平行四边形具有连接到微带馈线的第一边、与第一边相对设置的第二边、连接第一边和第二边的第三边、以及连接第一边和第二边的第四边，第三边与第四边相对设置。所述天线还包括在第二边、第三边或第四边中的至少之一上的增益增强结构。构。构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】天线和电子设备


[0001]本专利技术涉及天线和电子设备。

技术介绍

[0002]在相关技术中，磁偶极子天线包括响应于循环通过环路的电流而辐射电磁波的环形天线。天线包含一个或多个元件。元件是天线系统的确定天线的电磁特性的导电部分。磁偶极子天线的元件被设计成使得该元件在其被使用的应用所要求的预定频率处谐振。

技术实现思路

[0003]一方面，本公开提供了一种天线，包括：接地板；位于所述接地板上的介质层；以及位于所述介质层的远离所述接地板的一侧的辐射贴片和微带馈线；其中，所述辐射贴片为平行四边形，所述平行四边形具有连接到所述微带馈线的第一边、与所述第一边相对设置的第二边、连接所述第一边和所述第二边的第三边、以及连接所述第一边和所述第二边的第四边，所述第三边与所述第四边相对设置；以及所述天线还包括位于所述第二边、所述第三边或所述第四边中的至少之一上的增益增强结构。
[0004]可选地，增益增强结构位于所述第二边、所述第三边和所述第四边中上。
[0005]可选地，所述辐射贴片和所述微带馈线相对于一平面镜像对称设置，该平面与所述接地板所在的表面垂直，并且穿过与所述微带馈线的中心点和所述辐射贴片的中心点均相交的中心线。
[0006]可选地，所述增益增强结构被配置为：通过在所述辐射贴片的所述第一边上的外围区域中增加电流分布，而在所述外围区域中产生一个或多个驻波。
[0007]可选地，所述增益增强结构被配置为：相对于所述辐射贴片的中心区域的至少一部分中的电流分布，所述辐射贴片在所述第一边上的外围区域的至少一部分中的电流分布是增加的。
[0008]可选地，增益增强结构包括多个齿状结构，所述多个齿状结构分别连接于所述辐射贴片的所述第二边、所述第三边和所述第四边，且分别向远离所述辐射贴片的所述第二边、所述第三边和所述第四边的方向延伸。
[0009]可选地，在所述辐射贴片的所述第二边、所述第三边和所述第四边中的每一者上，所述多个齿状结构分别由多个狭缝间隔开；所述多个齿状结构等间隔设置；以及所述多个狭缝等间隔设置。
[0010]可选地，所述多个齿状结构中的各个齿状结构具有沿着跨越所述多个齿状结构和所述多个狭缝的方向的第一宽度；所述多个狭缝中的各个狭缝具有沿着跨越所述多个齿和所述多个狭缝的方向具有第二宽度；以及所述第一宽度与所述第二宽度的比值在1:2到2:1的范围内。
[0011]可选地，所述多个齿状结构中的各个齿状结构具有沿着跨越所述多个齿状结构和所述多个狭缝的方向的第一宽度，所述第一宽度在1mm至4mm的范围内。
[0012]可选地，所述多个狭缝中的各个狭缝具有沿着跨越所述多个齿状结构和所述多个狭缝的方向的第二宽度，所述第二宽度在2mm至6mm的范围内。
[0013]可选地，多个齿状结构被配置为：相对于所述辐射贴片的中心区域的至少一部分中的电流分布，所述辐射贴片在所述第一边上的外围区域的至少一部分中和在所述多个齿状结构的至少一部分中的电流分布是增加的。
[0014]可选地，所述第二边上的齿状结构的数量与所述第三边上的齿状结构的数量或与所述第四边上的齿状结构的数量的比值在5:1至25:1的范围内。
[0015]可选地，所述第二边的宽度与所述第三边的宽度或与所述第四边的宽度的比值在5:1至20:1的范围内。
[0016]可选地，所述增益增强结构包括将所述辐射贴片的所述第二边、所述第三边和所述第四边分别连接到所述接地板的短路壁。
[0017]可选地，所述介质层包括空气。
[0018]可选地，所述介质层包括有损耗介质材料。
[0019]可选地，所述天线还包括被配置为进行阻抗匹配的阻抗变换线；其中，所述阻抗变换线将所述微带馈线连接到所述辐射贴片。
[0020]可选地，所述天线被配置为磁偶极子天线。
[0021]可选地，在所述第一边上不包括所述增益增强结构。
[0022]另一方面，本公开提供了一种电子设备，包括本公开中所述的天线。
附图说明
[0023]根据各种公开的实施例，以下附图仅是用于说明目的的示例，并且不旨在限制本专利技术的范围。
[0024]图1A是根据本公开的一些实施例中的天线的平面图。
[0025]图1B示出了图1A中描绘的天线中的接地板的结构。
[0026]图1C示出了图1A中描绘的天线中的介质层的结构。
[0027]图1D示出了图1A中描绘的天线中的微带馈线和辐射贴片的结构。
[0028]图2A是根据本公开的一些实施例中的天线的截面图。
[0029]图2B是沿图1A中的B
‑
B
’
线的截面图。
[0030]图3A示出了图1A中描绘的天线的S11图。
[0031]图3B示出了图1A中描绘的天线的峰值实际增益曲线(peak realized gain curve)。
[0032]图3C示出了图1A中描绘的天线中的电流分布。
[0033]图4A是根据本公开的一些实施例中的天线的平面图。
[0034]图4B示出了图4A中描绘的天线中的接地板的结构。
[0035]图4C示出了图4A中描绘的天线中的介质层的结构。
[0036]图4D示出了图4A中描绘的天线中的微带馈线和辐射贴片的结构。
[0037]图5是根据本公开的一些实施例中的天线的截面图。
[0038]图6A示出了图4A中描绘的天线的S11图。
[0039]图6B示出了图4A中描绘的天线的峰值实际增益曲线。
[0040]图6C示出了图4A中描绘的天线中的电流分布。
[0041]图7A是根据本公开的一些实施例中的天线的平面图。
[0042]图7B示出了图7A中描绘的天线中的接地板的结构。
[0043]图7C示出了图7A中描绘的天线中的介质层的结构。
[0044]图7D示出了图7A中描绘的天线中的微带馈线和辐射贴片的结构。
[0045]图8是沿图7A中的E
‑
E
’
线的截面图。
[0046]图9A示出了图7A中描绘的天线的S11图。
[0047]图9B示出了图7A中描绘的天线的峰值实际增益曲线。
[0048]图9C示出了图7A中描绘的天线中的电流分布。
[0049]图10是根据本公开的一些实施例中的天线的平面图。
[0050]图11A示出了图10中描绘的天线的S11图。
[0051]图11B示出了图10中描绘的天线的峰值实际增益曲线。
[0052]图11C示出了图10中描绘的天线中的电流分布。
[0053]图12A是根据本公开的一些实施例中的天线的平面图。
[0054]图12B示出了图12A中描绘的天线中的接地板的结构。
[0055]图12C示出了图12A中描绘的天线中的介质层的结构。
[0056]图12D示出了图12A中描本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种天线，包括：接地板；位于所述接地板上的介质层；以及位于所述介质层的远离所述接地板的一侧的辐射贴片和微带馈线；其中，所述辐射贴片为平行四边形，所述平行四边形具有连接到所述微带馈线的第一边、与所述第一边相对设置的第二边、连接所述第一边和所述第二边的第三边、以及连接所述第一边和所述第二边的第四边，所述第三边与所述第四边相对设置；以及所述天线还包括位于所述第二边、所述第三边或所述第四边中的至少之一上的增益增强结构。2.根据权利要求1所述的天线，其中，所述增益增强结构位于所述第二边、所述第三边和所述第四边上。3.根据权利要求1所述的天线，其中，所述辐射贴片和所述微带馈线相对于一平面镜像对称设置，该平面与所述接地板所在的表面垂直，并且穿过与所述微带馈线的中心点和所述辐射贴片的中心点均相交的中心线。4.根据权利要求1所述的天线，其中，所述增益增强结构被配置为：通过在所述辐射贴片的所述第一边上的外围区域中增加电流分布，而在所述外围区域中产生一个或多个驻波。5.根据权利要求1所述的天线，其中，所述增益增强结构被配置为：相对于所述辐射贴片的中心区域的至少一部分中的电流分布，所述辐射贴片在所述第一边上的外围区域的至少一部分中的电流分布是增加的。6.根据权利要求1至5中任一项所述的天线，其中，所述增益增强结构包括多个齿状结构，所述多个齿状结构分别连接于所述辐射贴片的所述第二边、所述第三边和所述第四边，且分别向远离所述辐射贴片的所述第二边、所述第三边和所述第四边的方向延伸。7.根据权利要求6所述的天线，其中，在所述辐射贴片的所述第二边、所述第三边和所述第四边中的每一者上，所述多个齿状结构分别由多个狭缝间隔开；所述多个齿状结构等间隔设置；以及所述多个狭缝等间隔设置。8.根据权利要求7所述的天线，其中，所述多个齿状结构中的各个齿状结构具有沿着跨越所述多个齿状结构和所述多个狭缝的方向的第一宽度；所述多个狭缝中的各个狭缝具有沿着跨越所述多个齿状结构和所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭亮，刘鹤，唐国强，曲峰，王亚丽，
申请(专利权)人：北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：