提供一种能够将电信号稳定地施加到栅极电极的显示设备。所述显示设备包括：基底；氧化物半导体层，在所述基底上方，并且包括第一沟道区域和与所述第一沟道区域间隔开的第二沟道区域；第一导电层，在所述基底和所述氧化物半导体层之间，并且包括与所述第一沟道区域重叠的第一栅极电极；以及第二导电层，在所述氧化物半导体层上方，并且包括与所述第一沟道区域重叠的屏蔽层以及与所述第二沟道区域重叠的第二栅极电极。的第二栅极电极。的第二栅极电极。
【技术实现步骤摘要】
显示设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年2月24日在韩国知识产权局提交的第10
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2022
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0024572号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
[0003]一个或多个实施例涉及一种能够将电信号稳定地施加到栅极电极的显示设备。
技术介绍
[0004]显示设备视觉地显示数据。显示设备被用作诸如移动电话的小型产品的显示器或用作诸如电视机的大型产品的显示器。
[0005]显示设备包括显示元件和包括晶体管和存储电容器的像素电路，并且显示元件由像素电路驱动。
技术实现思路
[0006]传统的显示设备可能具有的问题在于：由于寄生电容，与预设电压不同的电压被施加到栅极电极，或者在于：由于寄生电容，被施加到栅极电极的电压可能无法持续保持。
[0007]一个或多个实施例包括能够将电信号稳定地施加到栅极电极的显示设备。然而，根据本公开的实施例的各个方面并不限于此，并且上述特征不限制根据本公开的实施例的范围。
[0008]其它方面将在接下来的描述中部分地阐述，并且部分地从描述中显而易见，或者可以通过所提出的本公开的实施例的实践来了解。
[0009]根据一个或多个实施例，一种显示设备包括：基底；氧化物半导体层，在所述基底上方，并且包括第一沟道区域和与所述第一沟道区域间隔开的第二沟道区域；第一导电层，在所述基底和所述氧化物半导体层之间，并且包括与所述第一沟道区域重叠的第一栅极电极；以及第二导电层，在所述氧化物半导体层上方，并且包括与所述第一沟道区域重叠的屏蔽层以及与所述第二沟道区域重叠的第二栅极电极。
[0010]所述屏蔽层和所述第二栅极电极可以包括相同的材料并且可以具有相同的层结构。
[0011]所述显示设备还可以包括：第一绝缘层，覆盖所述第一导电层，并且在所述第一导电层和所述氧化物半导体层之间；和第二绝缘层，覆盖所述氧化物半导体层，并且在所述氧化物半导体层和所述第二导电层之间，其中，所述氧化物半导体层还包括：第一连接区域，与所述第一沟道区域接触，并且至少部分地具有与所述第一沟道区域的电性能不同的电性能；和第二连接区域，与所述第二沟道区域接触，并且至少部分地具有与所述第二沟道区域的电性能不同的电性能，并且其中，所述第二导电层还包括：第一连接电极，经由通过所述第二绝缘层限定的第一接触孔电连接到所述第一连接区域；和第二连接电极，与所述第一连接电极间隔开，并且经由通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层限定的第二接触孔电连
接到所述第二连接区域。
[0012]所述第一绝缘层可以覆盖所述第一导电层以与所述基底的整个表面相对应，其中，所述第二绝缘层在所述氧化物半导体层外部位于所述第一绝缘层和所述第二导电层之间。
[0013]所述第二绝缘层可以在所述第二导电层下方。
[0014]所述第一连接电极可以与所述屏蔽层一体地形成。
[0015]所述第一导电层还可以包括在第一方向上延伸的扫描线。
[0016]所述第二导电层还可以包括在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线。
[0017]所述第一导电层还可以包括用于电连接所述数据线和所述第二连接电极的连接线。
[0018]所述第一导电层可以包括第一电容器电极，其中，所述氧化物半导体层包括与所述第一电容器电极重叠的第二电容器电极，并且其中，所述第二电容器电极具有与所述第一沟道区域的电性能不同的电性能。
[0019]所述显示设备还可以包括电连接到所述第二电容器电极并且包括像素电极、发射层和对电极的显示元件。
[0020]所述第二电容器电极可以与所述像素电极直接接触。
[0021]根据一个或多个实施例，一种显示设备包括：基底；氧化物半导体层，在所述基底上方，并且包括第一沟道区域和与所述第一沟道区域间隔开的第二沟道区域；第一导电层，在所述基底和所述氧化物半导体层之间，并且包括与所述第一沟道区域重叠的第一栅极电极以及与所述第二沟道区域重叠的第二栅极电极；以及第二导电层，在所述氧化物半导体层上方，并且包括与所述第一沟道区域重叠的屏蔽层。
[0022]所述第一栅极电极和所述第二栅极电极可以包括相同的材料并且具有相同的层结构。
[0023]所述显示设备还可以包括：第一绝缘层，覆盖所述第一导电层，并且在所述第一导电层和所述氧化物半导体层之间；和第二绝缘层，覆盖所述氧化物半导体层，并且在所述氧化物半导体层和所述第二导电层之间，其中，所述氧化物半导体层还包括与所述第一沟道区域接触的第一连接区域以及与所述第二沟道区域接触的第二连接区域，并且其中，所述第二导电层还包括：第一连接电极，经由通过所述第二绝缘层限定的第一接触孔电连接到所述第一连接区域；和第二连接电极，与所述第一连接电极间隔开，并且经由通过所述第二绝缘层限定的第二接触孔电连接到所述第二连接区域。
[0024]所述第一连接电极可以与所述屏蔽层一体地形成。
[0025]所述第二导电层还可以包括在第一方向上延伸的扫描线。
[0026]所述第一导电层还可以包括在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线。
[0027]所述第二导电层还可以包括与所述第二连接电极一体地形成并且电连接到所述数据线的连接线。
[0028]所述显示设备还可以包括：第一连接金属层，在所述第一连接区域上方，并且与所述第一连接区域相对应；和第二连接金属层，在所述第二连接区域上方，并且与所述第二连接区域相对应。
[0029]所述第一导电层可以包括第一电容器电极，其中，所述氧化物半导体层包括与所
述第一电容器电极重叠的第二电容器电极，并且其中，所述显示设备还包括在所述第二电容器电极上方并且与所述第二电容器电极相对应的电容器金属层。
[0030]所述显示设备还可以包括电连接到所述第二电容器电极并且包括像素电极、发射层和对电极的显示元件。
[0031]所述电容器金属层可以与所述像素电极直接接触。
[0032]这些和/或其它方面将从以下对实施例的描述、权利要求和附图中变得显而易见和更容易理解。
附图说明
[0033]从结合附图的以下描述中，本公开的实施例的上述和其它方面将更加显而易见，在附图中：
[0034]图1是根据一个或多个实施例的显示设备的一部分的示意性平面图；
[0035]图2是根据一个或多个实施例的显示设备的一部分的示意性截面图；
[0036]图3是根据一个或多个实施例的示出包括在图2的发光板中的显示元件和连接到显示元件的像素电路的等效电路图；
[0037]图4是示出根据一个或多个实施例的包括在显示设备中的像素中的晶体管和电容器的各自的位置的示意性布局图；
[0038]图5至图8是示出针对图4的显示设备的每一层的晶体管和电容器的各自的组件的示意性布局图；
[0039]图9A是沿着图4的显示设备的线I
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：基底；氧化物半导体层，在所述基底上方，并且包括第一沟道区域和与所述第一沟道区域间隔开的第二沟道区域；第一导电层，在所述基底和所述氧化物半导体层之间，并且包括与所述第一沟道区域重叠的第一栅极电极；以及第二导电层，在所述氧化物半导体层上方，并且包括与所述第一沟道区域重叠的屏蔽层以及与所述第二沟道区域重叠的第二栅极电极。2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述屏蔽层和所述第二栅极电极包括相同的材料并且具有相同的层结构。3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：第一绝缘层，覆盖所述第一导电层，并且在所述第一导电层和所述氧化物半导体层之间；和第二绝缘层，覆盖所述氧化物半导体层，并且在所述氧化物半导体层和所述第二导电层之间，其中，所述氧化物半导体层还包括：第一连接区域，与所述第一沟道区域接触，并且至少部分地具有与所述第一沟道区域的电性能不同的电性能；和第二连接区域，与所述第二沟道区域接触，并且至少部分地具有与所述第二沟道区域的电性能不同的电性能，并且其中，所述第二导电层还包括：第一连接电极，经由通过所述第二绝缘层限定的第一接触孔电连接到所述第一连接区域；和第二连接电极，与所述第一连接电极间隔开，并且经由通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层限定的第二接触孔电连接到所述第二连接区域。4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第一绝缘层覆盖所述第一导电层以与所述基底的整个表面相对应，并且其中，所述第二绝缘层在所述氧化物半导体层外部位于所述第一绝缘层和所述第二导电层之间。5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第二绝缘层在所述第二导电层下方。6.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第一连接电极与所述屏蔽层一体地形成。7.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第一导电层还包括在第一方向上延伸的扫描线。8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述第二导电层还包括在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线。9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述第一导电层还包括用于电连接所述数据线和所述第二连接电极的连接线。10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一导电层包括第一电容器电极，
其中，所述氧化物半导体层包括与所述第一电容器电极重叠的第二电容器电极，并且其中，所述第二电容器电极具有与所述第一沟道区域的电性能不同的电性能。11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括电连接到所述第二电容器电极并且包括像素电极、发射层和对电极的显示元件。12.根据权利要求11所述的显...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵康文，高訚馠，金巢云，李成荣，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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