具有减小的温度亮度敏感性的显示器制造技术

显示器可包括像素阵列。该阵列中的每个像素包括耦接到驱动晶体管的有机发光二极管、数据加载晶体管、用于存储数据电荷的第一电容器，和第二电容器。在数据编程阶段期间，可激活该数据加载晶体管以将数据值加载到该第一电容器上。在该数据编程阶段之后，该第二电容器可被配置为接收较低电压，该较低电压延长了该像素的阈值电压采样时间。以这种方式进行配置和操作，可减小该显示器的温度亮度敏感性。可减小该显示器的温度亮度敏感性。可减小该显示器的温度亮度敏感性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有减小的温度亮度敏感性的显示器
[0001]本申请要求2021年10月14日提交的美国专利申请17/501,530号以及2020年12月9日提交的美国临时专利申请63/123,385号的优先权，这些专利申请据此全文以引用方式并入本文。

技术介绍

[0002]本公开整体涉及具有显示器的电子设备，并且更具体地涉及用于显示器诸如有机发光二极管(OLED)显示器的显示驱动器电路。
[0003]电子设备通常包括显示器。例如，蜂窝电话和便携式计算机典型地包括用于向用户呈现图像内容的显示器。OLED显示器具有基于发光二极管的显示器像素阵列。在这种类型的显示器中，每个显示器像素包括发光二极管和用于控制向发光二极管施加数据信号以产生光的相关联的薄膜晶体管。为电子设备设计令人满意的OLED显示器可能具有挑战性。

技术实现思路

[0004]电子设备可包括具有显示器像素阵列的显示器。显示器像素可以是有机发光二极管显示器像素。每个显示器像素可至少包括发射光的有机发光二极管(OLED)和用于控制该像素的操作的相关联的薄膜晶体管。
[0005]根据一些实施方案，提供一种显示器，其包括栅极驱动器电路和耦接到该栅极驱动器电路的多个像素。该像素中的至少一者可包括：驱动晶体管，该驱动晶体管具有栅极端子、第一源极
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漏极端子和第二源极
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漏极端子；发光二极管，该发光二极管具有耦接到该驱动晶体管的该第二源极
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漏极端子的阳极；第一电容器，该第一电容器具有耦接到该驱动晶体管的该栅极端子的第一端子并且具有耦接到该阳极的第二端子；和第二电容器，该第二电容器具有耦接到该驱动晶体管的该第二源极
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漏极端子的第一端子并且具有被配置为从该栅极驱动器电路接收控制信号的第二端子。该栅极驱动器电路可在数据编程操作时或之后将该控制信号驱动低以延长该像素的阈值电压采样时间。
[0006]该像素还可包括：栅极到漏极晶体管，该栅极到漏极晶体管跨该驱动晶体管的该栅极端子和该第一源极
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漏极端子耦接；数据加载晶体管，该数据加载晶体管具有耦接到该驱动晶体管的该第二源极
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漏极端子的第一源极
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漏极端子并且具有耦接到数据线的第二源极
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漏极端子；第一发射晶体管，该第一发射晶体管具有耦接到正电源线的第一源极
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漏极端子并且具有耦接到该驱动晶体管的该第一源极
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漏极端子的第二源极
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漏极端子；第二发射晶体管，该第二发射晶体管具有耦接到该驱动晶体管的该第二源极
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漏极端子的第一源极
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漏极端子并且具有耦接到该阳极的第二源极
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漏极端子；和初始化晶体管，该初始化晶体管具有耦接到该阳极的第一源极
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漏极端子并且具有耦接到电压线的第二源极
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漏极端子。
[0007]根据一些实施方案，提供了一种操作显示器像素的方法。该显示器像素可包括发光二极管、与该发光二极管串联耦接的驱动晶体管、跨该驱动晶体管的栅极和漏极端子耦接的栅极到漏极晶体管、数据加载晶体管、耦接到该驱动晶体管的该栅极端子的第一电容
器，和耦接到该驱动晶体管的源极端子的第二电容器。该方法可包括：在数据编程和阈值电压采样阶段期间，当该栅极到漏极晶体管被激活时，使用该数据加载晶体管以将数据加载到该显示器像素中；去激活该数据加载晶体管；以及将控制信号施加到该第二电容器以在去激活该数据加载晶体管之后使该第一电容器放电。可使用形成在该像素阵列的外围中的栅极驱动器来生成该控制信号。该控制信号可任选地被路由到该数据加载晶体管的该栅极端子。该方法还可包括在该数据编程和阈值电压采样阶段之前，通过在该栅极到漏极晶体管被去激活时激活该数据加载晶体管来执行导通偏压应力操作。
[0008]根据一些实施方案，提供了一种显示器像素，包括：衬底；半导体氧化物层，该半导体氧化物层形成在该衬底上方并且形成针对驱动晶体管的活动区域，该驱动晶体管具有第一源极
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漏极端子、第二源极
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漏极端子和栅极端子；第一金属层，该第一金属层形成在该半导体氧化物层上方，该第一金属层具有形成该驱动晶体管的该栅极端子和第一电容器的底部端子的部分；和第二金属层，该第二金属层形成在该第一金属层上方，该第二金属层具有形成该第一电容器的顶部端子的部分，其中该驱动晶体管的该第二源极
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漏极端子耦接到第二电容器，并且其中该第二电容器被配置为接收栅极驱动器信号。
[0009]该第二电容器可具有由该第一金属层的另一个部分形成的底部端子并且可具有由该第二金属层的另一个部分形成的顶部端子。该显示器像素还可包括形成在该第二金属层上方的源极
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漏极金属布线层并且任选地包括形成在该衬底和该半导体氧化物层之间的第三金属层。该第三金属层可耦接到该驱动晶体管的该第二源极
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漏极端子。该第二电容器可具有由该第三金属层、该第一金属层或该第二金属层的一部分形成的底部端子，并且可具有由该第一金属层、该第二金属层或该源极
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漏极金属布线层的一部分形成的顶部端子。
附图说明
[0010]图1是根据一些实施方案的具有显示器的例示性电子设备的图示。
[0011]图2是根据一些实施方案的具有有机发光二极管显示器像素阵列的例示性显示器的图示。
[0012]图3是示出根据一些实施方案的在阈值电压采样阶段期间的采样电流路径的图示。
[0013]图4A是示出根据一些实施方案的显示器像素驱动晶体管的栅极到源极电压可如何变化的时序图。
[0014]图4B是示出根据一些实施方案的采样电流可如何变化的时序图。
[0015]图5是示出根据一些实施方案的在不同采样电流电平下的温度亮度敏感性分布的图示。
[0016]图6A是根据一些实施方案的被配置为减小温度亮度敏感性的例示性显示器像素的电路图。
[0017]图6B是示出根据一些实施方案的数据编程和阈值电压采样阶段以及扩展阈值电压采样阶段的时序图。
[0018]图7A是根据一些实施方案的具有使用单独外围栅极驱动器来驱动的数据加载晶体管和阈值电压采样延长电容器的例示性显示器像素的电路图。
[0019]图7B是根据一些实施方案的具有使用共享外围栅极驱动器来驱动的数据加载晶
体管和阈值电压采样延长电容器的例示性显示器像素的电路图。
[0020]图7C是根据一些实施方案的具有连接在像素内并且使用外围栅极驱动器来驱动的数据加载晶体管和阈值电压采样延长电容器的例示性显示器像素的电路图。
[0021]图8A是根据一些实施方案的具有至少三个半导体氧化物晶体管的例示性显示器像素的电路图。
[0022]图8B是示出根据一些实施方案的涉及操作图8A的显示器像素的例示性波形的时序图。
[0023]图9A是根据一些实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示器，包括：栅极驱动器电路；和多个像素，所述多个像素耦接到所述栅极驱动器电路，其中所述多个像素中的至少一个像素包括：驱动晶体管，所述驱动晶体管具有栅极端子、第一源极
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漏极端子和第二源极
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漏极端子；栅极到漏极晶体管，所述栅极到漏极晶体管具有耦接到所述驱动晶体管的所述第一源极
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漏极端子的第一源极
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漏极端子、耦接到所述驱动晶体管的所述栅极端子的第二源极
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漏极端子，和被配置为从所述栅极驱动器电路接收第一扫描信号的栅极端子；发光二极管，所述发光二极管具有耦接到所述驱动晶体管的所述第二源极
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漏极端子的第一电极并且具有耦接到电源线的第二电极；存储电容器，所述存储电容器具有耦接到所述驱动晶体管的所述栅极端子的第一端子并且具有耦接到所述发光二极管的所述第一电极的第二端子；和数据加载晶体管，所述数据加载晶体管具有耦接到数据线的第一源极
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漏极端子、耦接到所述驱动晶体管的所述第二源极
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漏极端子的第二源极
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漏极端子，和被配置为从所述栅极驱动器电路接收第二扫描信号的栅极端子，其中所述栅极驱动器电路被配置为在所述第一扫描信号被断言时解除断言所述第二扫描信号，并且其中在所述第二扫描信号的解除断言之后通过使所述存储电容器放电来减少所述驱动晶体管的栅极到源极电压。2.根据权利要求1所述的显示器，其中所述至少一个像素还包括：第一发射晶体管，所述第一发射晶体管具有耦接到附加电源线的第一源极
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漏极端子并且具有耦接到所述驱动晶体管的所述第一源极
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漏极端子的第二源极
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漏极端子；第二发射晶体管，所述第二发射晶体管具有耦接到所述驱动晶体管的所述第二源极
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漏极端子的第一源极
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漏极端子并且具有耦接到所述发光二极管的所述第一电极的第二源极
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漏极端子；和初始化晶体管，所述初始化晶体管具有耦接到所述第一电容器的所述第二端子的第一源极
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漏极端子并且具有耦接到电压线的第二源极
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漏极端子。3.根据权利要求1所述的显示器，其中所述至少一个像素还包括：附加电容器，所述附加电容器具有耦接到所述驱动晶体管的所述第二源极
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漏极端子的第一端子并且具有被配置为从所述栅极驱动器电路接收控制信号的第二端子。4.根据权利要求3所述的显示器，其中：在所述电源线上提供第一电源电压；并且在所述附加电源线上提供大于所述第一电源电压的第二电源电压。5.根据权利要求3所述的显示器，其中：使用所述栅极驱动器电路中的第一栅极驱动器来生成所述第二扫描信号；并且使用所述栅极驱动器电路中的与所述第一栅极驱动器不同的第二栅极驱动器来生成所述控制信号。6.根据权利要求1所述的显示器，其中所述至少一个像素还包括：附加电容器，所述附加电容器具有耦接到所述驱动晶体管的所述第二源极
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漏极端子
的第一端子并且具有被配置为接收所述第二扫描信号的第二端子。7.根据权利要求6所述的显示器，其中所述数据加载晶体管和所述驱动晶体管具有相同沟道类型。8.根据权利要求6所述的显示器，其中：所述数据加载晶体管被配置为经由第一行线接收所述第二扫描信号；并且所述附加电容器被配置为经由与所述第一行线不同的第二行线接收所述第二扫描信号。9.根据权利要求8所述的显示器，其中所述第一行线和所述第二行线在所述多个像素的外围区域处连接。10.根据权利要求6所述的显示器，其中：所述数据加载晶体管被配置为经由行线接收所述第二扫描信号；并且所述附加电容器被配置为经由所述行线接收所述第二扫描信号。11.根据权利要求1所述的显示器，其中所述至少一个像素包括至少三个半导体氧化物晶体管和三个p型硅晶体管。12.根据权利要求1所述的显示器，其中所述至少一个像素包括至少四个半导体氧化物晶体管和两个p型硅晶体管。13.根据权利要求1所述的显示器，其中所述至少一个像素包括至少五个半导体氧化物晶体管和一个p型硅晶体管。14.根据权利要求1所述的显示器，其中所述至少一个像素包括至少六个半导体氧化物晶体管并且不包括硅晶体管。15.根据权利要求1所述的显示器，其中所述至少一个像素仅包括半导体氧化物晶体管并且不包括硅晶体管。16.根据权利要求1所述的显示器...

【专利技术属性】
技术研发人员：小野晋也，林敬伟，李志瑙，林俊杰，陈振铭，
申请(专利权)人：苹果公司，
类型：发明
国别省市：