半导体工艺制程设备及气体置换方法技术

本发明专利技术提出了一种半导体工艺制程设备及气体置换方法，该设备包括：晶圆传输区域，其外壁的前端面开设一用于连通晶圆盒的第一窗口，气体交换区域，用于防止晶圆盒内非工艺气体进入晶圆传输区域，并置换出晶圆盒内的非工艺气体，其固定于晶圆传输区域的内壁上；气体交换区域横跨第一窗口，围成气体交换区域的外壁上，开设第二窗口，第二窗口位于第一窗口的后侧；气体交换区域的外壁上开设用于气体排气口、用于通入惰性气体的气体进气口；前封板和后封板，前封板用于密封第一窗口，后封板用于密封第二窗口，均位于气体交换区域内；气缸一、气缸二和气缸三。本发明专利技术可防止晶圆盒内非工艺气体进入晶圆传输区域，并能置换晶圆盒内的非工艺气体。工艺气体。工艺气体。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺制程设备及气体置换方法


[0001]本专利技术属于半导体设备
，尤其涉及一种半导体工艺制程设备及气体置换方法。

技术介绍

[0002]立式炉热处理设备是半导体制造工艺制程中的重要的工艺处理设备，需要将晶圆盒内的晶圆搬运至晶舟内，并将晶舟送入反应管。晶圆传输阶段，晶圆盒与晶圆传输区域是连通的，而大部分晶圆盒内为空气，含有非工艺气体，如氧气，水蒸气等，每次开启晶圆盒时，晶圆盒内的非工艺气体，如氧气，水蒸气等将扩散至进晶圆传输区域。当工艺完成，晶舟离开从反应管，进入晶圆传输区域时。这些非工艺气体将对仍然处于高温状态下的晶圆产生影响。
[0003]现有技术中，设定一个阈值，如O2浓度，当晶圆传输区域的O2浓度达到某个阈值时，启动吹扫功能，充入大量N2，置换晶圆传输区域内的气体，稀释O2浓度，由于晶圆传输区域容积较大，且有很多死角区域，这个过程往往需要很长时间且很难达到理想效果。当设定值过低，将导致频繁吹扫，影响产能。当设定值过高，O2、水蒸气等非工艺气体浓度越高，对晶圆制程影响越大。
[0004]因此需要一种防止晶圆盒内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺制程设备，其特征在于，包括：晶圆传输区域，其外壁的前端面开设一用于连通晶圆盒的第一窗口；气体交换区域，用于防止晶圆盒内非工艺气体进入晶圆传输区域，并置换出晶圆盒内的非工艺气体，其固定于所述晶圆传输区域的内壁上；所述气体交换区域横跨所述第一窗口，围成所述气体交换区域的外壁上，开设第二窗口，所述第二窗口位于所述第一窗口的后侧；所述气体交换区域的外壁上开设用于气体排气口、用于通入惰性气体的气体进气口；前封板和后封板，所述前封板用于密封所述第一窗口，后封板用于密封第二窗口，均位于所述气体交换区域内；气缸一、气缸二和气缸三，用于移动前封板和后封板，均位于所述气体交换区域内，所述气缸一的缸体固定于前封板，其输出轴固定于后封板；所述气缸三的缸体固定于晶圆传输区域的左壁和右壁之间；所述气缸三的滑台固定于所述气缸二的缸体上，所述气缸二的输出轴固定于所述前封板。2.根据权利要求1所述的半导体工艺制程设备，其特征在于，所述晶圆传输区域连接一反应管。3.根据权利要求1所述的半导体工艺制程设备，其特征在于，所述气体排气口上设置气体浓度检测单元。4.根据权利要求1所述的半导体工艺制程设备，其特征在于，所述气体排气口和气体进气口上分别设置一控制其启闭的电磁阀。5.一种半导体工艺制程设备的气体置换方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、当晶圆盒加载时，晶圆盒与气体交换区域通过第一窗口连通，后封板在气缸二的驱动下，从位置三移动到位置四，与气体交换区域的第二窗口接触并将其密封，此时晶圆盒与气体交换区域连通，气体交换区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘强，杨平，
申请(专利权)人：上海稷以科技有限公司，
类型：发明
国别省市：