【技术实现步骤摘要】
一种通用型比较法真空校准装置和方法
[0001]本申请涉及真空校准
,尤其涉及一种通用型比较法真空校准装置和方法。
技术介绍
[0002]比较法真空校准装置大量使用在国防科技工业二级计量站和各个省级计量院中,如何提高比较法真空校准装置的校准效率来满足日益增长的校准任务量,已经摆在各个国防科技工业二级计量站和省级计量院真空计量专业面前;原有比较法真空校准装置存若高真空和低真空在同一个罐体内,造成高真空抽气时间太长,极限真空度仅刚低于1.0
×
10
‑4Pa却需要接近1个工作日,烘烤之后,真空度低于1.0
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10
‑5Pa也需要1个工作日,此严重影响真空校准的效率;若高真空和低真空各一套装置,现在有大量的复合真空计和进口复合真空规管,校准过程从一套校准装置上移到另一套校准装置上,整个过程麻烦,此也严重影响真空校准的效率。高真空微调阀在罐体顶部,在此调节高真空示值时,操作不方便;原有装置检测口过少,造成校准效率低下。
技术实现思路
[0003]有鉴于此,本申 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种通用型比较法真空校准装置,其特征在于,包括机械泵、分子泵、高真空校准室、低真空校准室和气源,所述机械泵的一端通过第二阀门与所述分子泵连接,所述机械泵的另一端通过第三阀门与所述低真空校准室连接;所述分子泵通过三通管分别连接有步进式插板阀和第一阀门,所述步进式插板阀与所述高真空校准室连接,所述第一阀门与所述第三阀门并接,并接后与所述低真空校准室连接;所述高真空校准室上还连接有高真空校准真空规、第一电容薄膜规和多个被校真空规,所述高真空校准室通过高真空微调阀与所述气源连接;所述低真空校准室上还连接有第二电容薄膜规、第三电容薄膜规、第四电容薄膜规和多个被校真空规,所述低真空校准室通过低真空微调阀与所述气源连接,所述第二电容薄膜规、所述第三电容薄膜规和所述第四电容薄膜规分别采用不同量程;其中,所述高真空校准室的压力检测范围为1.0
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10
‑4Pa
‑
1.0
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100Pa,所述低真空校准室的压力检测范围为1.0
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10
‑1Pa
‑
1.0
×
105Pa。2.根据权利要求1所述的通用型比较法真空校准装置,其特征在于,所述高真空校准室上设有三个第一被检接口,每个所述第一被检接口各连接有一个所述被校真空规;所述低真空校准室上设有三个第二被检接口,每个所述第二被检接口各连接有三个所述被校真空规。3.根据权利要求2所述的通用型比较法真空校准装置,其特征在于,所述第一被检接口采用CF35接口,所述第二被检接口采用KF16接口。4.根据权利要求1所述的通用型比较法真空校准装置,其特征在于,所述第二电容薄膜规为0.1Torr电容薄膜规,用于检测压力范围为1.0
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10
‑1Pa
‑
1.0
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101Pa的被校真空规;所述第三电容薄膜规为10Torr电容薄膜规,用于检测压力范围为1.0
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101Pa
‑
1.0
×
103Pa的被校真空规;所述第四电容薄膜规为1000Torr电容薄膜规,用于检测压力范围为1.0
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103Pa
‑
1.0
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105Pa的被校真...
【专利技术属性】
技术研发人员:张旭,曾翔,李明,查永康,张峰瑞,
申请(专利权)人:中国航发航空科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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