动态随机存取存储器阵列电路制造技术

本公开提供了一种动态随机存取存储器(DRAM)阵列电路。根据本公开的DRAM阵列电路包括N行M列动态随机存取存储器单元电路，M和N是大于零的自然数，其中动态随机存取存储器单元电路中的每一个包括：写入晶体管，其栅极连接到写入字线，其第一源/漏极连接到写入位线，并且其第二源/漏极连接到存储节点；和存储晶体管，其栅极连接到存储节点，其第一源/漏极连接到读取字线，并且其第二源/漏极连接到读取位线，其中在写入操作中，写入字线在低于地电压的第一电压和高于或等于电源电压的第二电压操作。根据本公开的DRAM阵列电路可以延长数据存储时间，进而减少由于刷新操作而中断的频率，降低整体电路的功耗。降低整体电路的功耗。降低整体电路的功耗。

【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器阵列电路


[0001]本公开涉及半导体技术的领域，具体地，本公开涉及一种动态随机存取存储器阵列电路。

技术介绍

[0002]从二十世纪七十年代英特尔公司(Intel Corporation)专利技术动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)以来，DRAM被广泛应用于各类计算或控制电子电路系统中。随着半导体制造工艺的发展，DRAM的制造从使用逻辑工艺逐渐演变为使用专用DRAM制造工艺，这使得DRAM脱离逻辑芯片，成为片外存储器。
[0003]DRAM单元电路通常由一个晶体管和一个电容器构成(1T1C结构)，具有存储密度高的优点。然而，与其他片外存储器相似，该DRAM单元电路具有带宽有限、能耗高的缺点。因此，目前的片上存储器主要采用静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)。单口SRAM单元电路由六个晶体管构成，具有高速、稳定的优点，然而也具有面积和功耗较大的缺点。
[0004]针对片外DRAM和片上SRAM的缺点，现有技术中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器阵列电路，包括N行M列动态随机存取存储器单元电路，其中，M和N是大于零的自然数，其中，所述动态随机存取存储器单元电路中的每一个包括：写入晶体管，其栅极连接到写入字线，其第一源/漏极连接到写入位线，并且其第二源/漏极连接到存储节点；以及存储晶体管，其栅极连接到所述存储节点，其第一源/漏极连接到读取字线，并且其第二源/漏极连接到读取位线，其中，在写入操作中，所述写入字线在低于地电压的第一电压和高于或等于电源电压的第二电压操作。2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器阵列电路，其中，在写入操作中，所述写入字线在所述第一电压、所述第二电压以及所述第一电压和所述第二电压之间的第三电压操作。3.根据权利要求1或2所述的动态随机存取存储器阵列电路，其中，在所述动态随机存取存储器单元电路中的每一个中，所述写入晶体管是P型晶体管，并且所述存储晶体管是N型晶体管。4.根据权利要求3所述的动态随机存取存储器阵列电路，其中，所述第一电压低于所述写入晶体管的阈值电压并且高于所述写入晶体管的阈值电压的两倍，以及其中，所述第二电压低于或等于所述电源电压的两倍。5.根据权利要求3所述的动态随机存取存...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘立阳，谢翔，黄焘，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：