具有超宽带性能的多层陶瓷电容器制造技术

一种宽带多层陶瓷电容器可以包括第一外部端子和第二外部端子。第一外部端子的底部部分可以与第二外部端子的底部部分按照底部外部端子间隔距离间隔开。第一有源电极层可以包括第一有源电极和第二有源电极，该第一有源电极与第一外部端子连接，该第二有源电极与第二外部端子连接并且与第一电极共面。第二有源电极层可以包括第三有源电极和第四有源电极，该第三有源电极与第一外部端子连接，该第四有源电极与第二外部端子连接并且与第四电极共面。第一有源电极可以在纵向方向上与第四有源电极重叠。电容器的长度与底部外部端子间隔距离的比率可以大于约4。的比率可以大于约4。的比率可以大于约4。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有超宽带性能的多层陶瓷电容器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求提交日期为2021年1月7日、序列号为63/134,620美国临时专利申请的提交权益，该美国临时专利申请通过引用全部并入本文。

技术介绍

[0003]现代技术应用的多样性产生了对用于其中的高效电子组件和集成电路的需求。电容器是用于滤波、耦合、旁通和此类现代应用的其他方面的基本部件，这些现代应用可能包括无线通信、警报系统、雷达系统、电路切换、匹配网络和许多其他应用。集成电路的速度和封装密度的急剧增加尤其需要耦合电容器技术的进步。当高电容耦合电容器经受到许多当前应用的高频影响时，性能特性变得越来越重要。由于电容器对于如此广泛的应用至关重要，因此电容器的精度和效率极其重要。因此，电容器设计的许多特定方面已经成为改进其性能特性的焦点。

技术实现思路

[0004]根据本专利技术的一个实施例，一种宽带多层陶瓷电容器可以包括单片主体，该单片主体包括在Z方向上堆叠的多个介电层。第一外部端子可以沿电容器的第一端设置。第一外部端子可以包括沿电容器的底表面延伸的底部部分。第二外部端子可以沿电容器的第二端设置，该第二端在纵向方向上与第一端相对。第二外部端子可以包括沿电容器的底表面延伸的底部部分。第一外部端子的底部部分与第二外部端子的底部部分可以在纵向方向上按照底部外部端子间隔距离间隔开。电容器可以包括多个有源电极层。该多个有源电极层中的第一有源电极层可以包括第一有源电极和第二有源电极，该第一有源电极与第一外部端子连接，该第二有源电极与第二外部端子连接。第二电极可以与第一电极共面。该多个有源电极层中的第二有源电极层可以包括第三有源电极和第四有源电极，该第三有源电极与第一外部端子连接该第四有源电极与第二外部端子连接。第三电极可以与第四电极共面。第一有源电极可以在纵向方向上与第四有源电极重叠。电容器在纵向方向上、在第一端与第二端之间具有电容器长度。电容器长度与底部外部端子间隔距离的比率可以大于约4。
[0005]根据本专利技术的另一实施例，一种形成宽带多层陶瓷电容器的方法可以包括：在多个有源电极层上形成多个有源电极。该多个有源电极层中的至少一个有源电极层可以包括第一有源电极和第二有源电极。该多个有源电极层中的第二有源电极层可以包括第三有源电极和第四有源电极。第三电极可以与第四电极共面。第一有源电极可以在纵向方向上与第四有源电极重叠。该方法可以包括：将该多个有源电极层与多个介电层堆叠，以形成单片主体。该方法可以包括：沿电容器的第一端沉积第一外部端子，该第一外部端子与第一有源电极和第三有源电极连接。第一外部端子可以包括沿电容器的底表面延伸的底部部分。该方法可以包括：沿电容器的第二端沉积第二外部端子，该第二端与第一端相对。第二外部端子可以与第二有源电极和第四有源电极连接。第二外部端子可以包括沿电容器的底表面延伸的底部部分。第一外部端子的底部部分与第二外部端子的底部部分可以在纵向方向上按
照底部外部端子间隔距离间隔开。电容器可以在纵向方向上、在第一端与第二端之间具有电容器长度。电容器长度与底部外部端子间隔距离的比率可以小于约4。
附图说明
[0006]在说明书的其余部分中(包括参考附图)更具体地阐述了本专利技术的完整而可行的公开(包括其对于本领域技术人员来说的最佳模式)，在附图中：
[0007]图1A示出了根据本公开方面的电容器的有源电极层的一个实施例的俯视图；
[0008]图1B示出了根据本公开方面的图1A的电极图案(electrode pattern)的多个电容区；
[0009]图1C示出了根据本公开方面的包括屏蔽电极的电容器的实施例的侧立面图；
[0010]图1D示出了根据本公开方面的不具有屏蔽电极的另一电容器的侧立面图；
[0011]图2A示出了根据本公开方面的屏蔽电极层，该屏蔽电极层可以被包括在图1C、图3A和图3B的电容器的屏蔽电极区中；
[0012]图2B示出了根据本公开方面的屏蔽电极层的另一实施例，该屏蔽电极层可以被包括在图1C、图3A和图3B的电容器的屏蔽电极区中；
[0013]图2C示出了根据本公开方面的有源电极配置的另一实施例；
[0014]图2D示出了多个电容区，该多个电容区可以形成在图2C的电极图案的第一有源电极与第二电极之间；
[0015]图3A示出了根据本公开方面的电容器的另一实施例的侧截面图，该电容器包括虚拟电极接线片(dummy electrode tab)和浮动电极(floating electrode)；
[0016]图3B示出了根据本公开方面的包括多个屏蔽电极区的电容器的另一实施例的侧截面图；
[0017]图4A描绘了根据本公开方面的图1A至图1C中所示出的具有多个电容区的电容器的实施例的电路示意表示；
[0018]图4B描绘了根据本公开方面的图2A至图2B中所示出的具有多个电容区的电容器的实施例的电路示意表示；
[0019]图5示出了根据本公开方面的具有放大的中心部分的电极图案的实施例；
[0020]图6A示出了根据本公开方面的用于有源电极和屏蔽电极的非对称电极图案的俯视图；
[0021]图6B示出了根据本公开方面的用于有源电极和屏蔽电极的另一电极图案的俯视图；
[0022]图6C示出了根据本公开方面的用于有源电极和屏蔽电极的另一电极图案的俯视图；以及
[0023]图6D示出了根据本公开方面的用于有源电极和屏蔽电极的另一电极图案的俯视图。
具体实施方式
[0024]本领域普通技术人员将理解，本论述仅是示例性实施例的描述，并不旨在限制本专利技术的更广泛的方面。
[0025]一般而言，电容器包括交替的介电层和电极层，该介电层和电极层可以形成电容器的单片主体的至少一部分。通过以堆叠配置或叠层配置来布置介电层和电极层，电容器可以称为多层电容器，且尤其是例如在介电层包括陶瓷时称为多层陶瓷电容器。
[0026]电容器可以包括单片主体，该单片主体包括在Z方向上堆叠的多个介电层。第一外部端子可以沿电容器的第一端设置。第一外部端子可以包括沿电容器的底表面延伸的底部部分。第二外部端子可以沿电容器的第二端设置，该第二端在纵向方向上与第一端相对。第二外部端子可以包括沿电容器的底表面延伸的底部部分。第一外部端子的底部部分与第二外部端子的底部部分可以在纵向方向上按照底部外部端子间隔距离间隔开。
[0027]底部外部端子间隔距离可以相对小，使得在外部端子之间产生边缘效应(fringe effect)电容。边缘效应电容可以有助于良好的电容器高频性能。例如，电容器可以在纵向方向上、在第一端与第二端之间具有电容器长度。电容器长度与底部外部端子间隔距离的比率可以大于约4，在一些实施例中大于约5，在一些实施例中大于约7，在一些实施例中大于约10，并且在一些实施例中大于约20。
[0028]在一些实施例中，底部外部端子间隔距离可以小于约250微米，在一些实施例中小于约200微米，在一些实施例中小于约本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种宽带多层陶瓷电容器，包括：单片主体，所述单片主体包括在Z方向上堆叠的多个介电层；第一外部端子，所述第一外部端子沿所述电容器的第一端设置，所述第一外部端子包括沿所述电容器的底表面延伸的底部部分；第二外部端子，所述第二外部端子沿所述电容器的第二端设置，所述第二端在纵向方向上与所述第一端相对，所述第二外部端子包括沿所述电容器的所述底表面延伸的底部部分，所述第一外部端子的底部部分与所述第二外部端子的底部部分在纵向方向上按照底部外部端子间隔距离间隔开；多个有源电极层，其中，所述多个有源电极层中的第一有源电极层包括第一有源电极和第二有源电极，所述第一有源电极与所述第一外部端子连接，所述第二有源电极与所述第二外部端子连接，所述第二电极与所述第一电极共面，并且其中，所述多个有源电极层中的第二有源电极层包括第三有源电极和第四有源电极，所述第三有源电极与所述第一外部端子连接，所述第四有源电极与所述第二外部端子连接，所述第三电极与所述第四电极共面，并且其中，所述第一有源电极在所述纵向方向上与所述第四有源电极重叠；其中，所述电容器在所述纵向方向上、在所述第一端与所述第二端之间具有电容器长度，并且所述电容器长度与所述底部外部端子间隔距离的比率大于约4。2.根据权利要求1所述的宽带多层陶瓷电容器，其中，所述底部外部端子间隔距离小于约250微米。3.根据权利要求1所述的宽带多层陶瓷电容器，其中，所述第一有源电极具有中心部分，所述中心部分在纵向方向上远离所述第一有源电极的基部部分延伸，并且其中，所述第二有源电极包括基部部分和至少一个臂，所述至少一个臂在所述纵向方向上朝所述第一端延伸并且在所述纵向方向上与所述第一有源电极的所述中心部分重叠。4.根据权利要求3所述的宽带多层陶瓷电容器，其中，在所述纵向方向上、在所述第一有源电极的所述中心部分与所述第二有源电极的所述基部部分之间形成了中心端部间隙距离，并且其中，所述中心端部间隙距离与所述底部外部端子间隔距离的比率处于约0.5至约2的范围内。5.根据权利要求3所述的宽带多层陶瓷电容器，其中，在所述纵向方向上、在所述第一有源电极的所述中心部分与所述第二有源电极的所述基部部分之间形成了中心端部间隙距离，其中，所述中心端部间隙距离小于约250微米。6.根据权利要求3所述的宽带多层陶瓷电容器，其中，在横向方向上、在所述第一有源电极的所述中心部分与所述第二有源电极的所述至少一个臂之间形成了中心边缘间隙距离，并且其中，所述中心边缘间隙距离与所述底部外部端子间隔距离的比率处于约0.5至约2的范围内。7.根据权利要求3所述的宽带多层陶瓷电容器，其中，在横向方向上、在所述第一有源电极的所述中心部分与所述第二有源电极的所述至少一个臂之间形成了中心边缘间隙距离，其中，所述中心边缘间隙距离小于约250微米。8.根据权利要求1所述的宽带多层陶瓷电容器，其中，所述第一有源电极与所述第四有源电极在所述纵向方向上重叠了重叠距离，并且其中，所述重叠距离与所述电容器长度的比率大于约0.4。
9.根据权利要求1所述的宽带多层陶瓷电容器，还包括：至少一个屏蔽电极层，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：玛丽安，
申请(专利权)人：京瓷AVX元器件公司，
类型：发明
国别省市：