射频消融碳化硅电极及射频消融装置制造方法及图纸

本申请提供了一种射频消融碳化硅电极及射频消融装置，包括电极主体和碳化硅半导体器件，所述电极主体的端部设有内镜，碳化硅半导体器件与所述内镜位于所述电极主体的同一端部并设置于所述内镜上，碳化硅半导体器件用于射频消融。在本申请中，碳化硅半导体器件作为消融电极，替代现有的金属射频电极或其它复合材料制备的电极，能够提高射频消融电极的精准性和设计性，降低手术并发症发生的概率。同时，本申请将碳化硅半导体器件与内镜镜头进行集成化/或单独安装在内镜镜头上，利用碳化硅半导体器件的高光学透明性及良好的生物相容性材料，在可视化下直接进行射频消融，实时控制消融面积并快速反馈消融情况，有效降低手术并发症，减少手术时间。减少手术时间。减少手术时间。

【技术实现步骤摘要】
射频消融碳化硅电极及射频消融装置


[0001]本申请涉及射频消融
，尤其涉及一种射频消融碳化硅电极及射频消融装置。

技术介绍

[0002]微创射频消融术，是指在内镜直视下或其他方式(如放射、B超、磁导航等)引导下,将不同类型射频消融电极放置于消化道扁平黏膜病变处/心肌电信号异常处/体内其他异常组织处(肿瘤、息肉等)，通过射频电流产生凝固坏死而消除病变的一种微创治疗技术。常用于消化道(胃肠镜)、呼吸道(喉镜、纤支镜)、骨椎间孔内镜/关节内镜微创手术、心血管微创介入手术、肿瘤微创消融治疗手术、妇科生殖道消融手术等。现有的射频消融手术多使用针状或圆柱状消融设备，存在很多手术并发症，如：损伤正常组织、感染、凝血性坏死、组织烧焦等。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请提供一种射频消融碳化硅电极及射频消融装置，用以解决以上问题。
[0004]本申请提供了一种射频消融碳化硅电极，包括电极主体和碳化硅半导体器件，所述电极主体的端部设有内镜，碳化硅半导体器件与所述内镜位于所述电极主体的同一端部并设置于所述内镜上，所述碳化硅半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频消融碳化硅电极，其特征在于，包括：电极主体，所述电极主体的端部设有内镜；碳化硅半导体器件，与所述内镜位于所述电极主体的同一端部并设置于所述内镜上，所述碳化硅半导体器件用于射频消融。2.如权利要求1所述的射频消融碳化硅电极，其特征在于，所述电极主体的外径为3～5mm。3.如权利要求2所述的射频消融碳化硅电极，其特征在于，所述碳化硅半导体器件为透明材质，所述碳化硅半导体器件作为所述内镜的物镜。4.如权利要求1所述的射频消融碳化硅电极，其特征在于，所述射频消融...

【专利技术属性】
技术研发人员：李碧波，蔡雄飞，汪之涵，
申请(专利权)人：深圳基本半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：