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本申请提供了一种射频消融碳化硅电极及射频消融装置，包括电极主体和碳化硅半导体器件，所述电极主体的端部设有内镜，碳化硅半导体器件与所述内镜位于所述电极主体的同一端部并设置于所述内镜上，碳化硅半导体器件用于射频消融。在本申请中，碳化硅半导体器件...
该专利属于深圳基本半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳基本半导体有限公司授权不得商用。

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