一种显示面板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板包括衬底以及多个子像素；子像素包括第一电极，第一电极包括叠层设置的底部电极和透明电极；显示面板包括多个像素限定结构和多个分离结构，像素限定结构位于相邻两个子像素之间，分离结构位于像素限定结构远离衬底的一侧，分离结构包括多层绝缘层；沿显示面板的厚度方向，多层绝缘层在端部形成至少一个位于靠近衬底一侧的内缩部和至少一个位于内缩部上方的延伸部；相邻设置的延伸部的长度大于内缩部的长度；显示面板还包括多层有机膜层以及设置于多层有机膜层上层的第二电极，第二电极为公共电极，有机膜层包括多层公共有机膜层。通过调整分离结构的端部形状，提升显示面板的显示效果。示面板的显示效果。示面板的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及其制备方法、显示装置


[0001]本专利技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]现有的微型有机发光显示装置，如硅基微型有机发光显示装置，以单晶硅芯片为基底，像素尺寸为传统显示器件的1/10，精细度远远高于传统器件。
[0003]微型硅基OLED显示装置，因其像素尺寸特别小，会造成相邻像素单元串扰的问题，如何减小相邻像素单元之间的的串扰问题成为研究热点。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，通过对分离结构进行调整，进而保证显示面板的显示效果。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供的显示面板，包括衬底以及位于所述衬底一侧的多个子像素；
[0006]所述子像素包括第一电极，所述第一电极包括叠层设置的底部电极和透明电极，所述透明电极位于所述底部电极远离所述衬底的一侧；
[0007]所述显示面板包括多个像素限定结构和多个分离结构，所述像素限定结构位于相邻两个所述子像素之间，所述分离结构位于所述像素限定结构远离所述衬底的一侧，所述分离结构包括多层绝缘层；
[0008]在所述透明电极的顶面的边缘，所述分离结构包括朝向所述透明电极一侧的端部；沿所述显示面板的厚度方向，多层所述绝缘层在所述端部形成至少一个位于靠近所述衬底一侧的内缩部和至少一个位于所述内缩部上方的延伸部；相邻设置的所述延伸部和内缩部中，所述延伸部的长度大于所述内缩部的长度；
[0009]所述显示面板还包括多层有机膜层以及设置于多层所述有机膜层上层的第二电极，所述第二电极为公共电极，所述有机膜层包括多层公共有机膜层。
[0010]第二方面，本专利技术实施例提供的显示装置，包括第一方面所述的显示面板，所述显示装置为近眼显示装置。
[0011]第三方面，本专利技术实施例提供的一种显示面板的制备方法，用于制备如第一方面中所述的显示面板，所述制备方法包括：
[0012]提供衬底并在所述衬底一侧制备多个底部电极，相邻所述底部电极之间具有第一中心；
[0013]在不同的子像素区域，在所述底部电极上分别制备所述第一透明电极、所述第二透明电极和所述第三透明电极；
[0014]在相邻所述子像素之间制备像素限定结构；
[0015]沉积多层绝缘层材料；
[0016]使用第一掩膜版对多层所述绝缘层材料进行曝光显影，所述第一掩膜版包括对应所述第一分离结构的第一图形、对应所述第二分离结构第二图形和对应所述第三分离结构第三图形，所述第一图形、第二图形、第三图形分别具有第二中心；
[0017]对应所述第一分离结构，所述第一图形的第二中心和所述第一中心不重合，所述第二中心位于所述第一中心靠近所述第二透明电极一侧，所述第一中心与所述第二中心之间的差值等于所述第三部分在所述衬底上投影长度的一半；
[0018]对应所述第二分离结构，所述第二图形的第二中心和所述第一中心不重合，所述第二中心位于所述第一中心靠近所述第三透明电极一侧，所述第一中心与所述第二中心之间的差值等于所述第六部分在所述衬底上投影长度与所述第八部分在所述衬底上投影长度的差值的一半；
[0019]对应所述第三分离结构，所述第三图形的第二中心和所述第一中心不重合，所述第二中心位于所述第一中心靠近所述第三透明电极一侧，所述第一中心与所述第二中心之间的差值等于所述第十一部分在所述衬底上投影长度的一半；
[0020]刻蚀多层所述绝缘层材料形成所述多层绝缘层，多层所述绝缘层在靠近所述透明电极的端部形成至少一个位于靠近所述衬底一侧的内缩部和至少一个位于所述内缩部上方的延伸部；相邻设置的所述延伸部和所述内缩部中，所述延伸部的长度大于所述内缩部的长度；
[0021]形成多层有机膜层，多层所述有机膜层中至少有一层公共有机膜层在所述分离结构的端部处断开；
[0022]形成第二电极。
[0023]第四方面，本专利技术实施例提供的一种显示面板的制备方法，用于制备如第一方面所述的显示面板，所述制备方法包括：
[0024]提供衬底并在所述衬底一侧制备多个底部电极，相邻所述底部电极之间具有第一中心；
[0025]在不同的子像素区域，在所述底部电极上分别制备所述第一透明电极、所述第二透明电极和所述第三透明电极；
[0026]在相邻所述子像素之间制备像素限定结构；
[0027]沉积多层绝缘层材料；
[0028]使用第一掩膜版对多层所述绝缘层材料进行曝光显影，所述第一掩膜版包括对应所述第一分离结构的第一图形、对应所述第二分离结构第二图形和对应所述第三分离结构第三图形，所述第一图形、第二图形、第三图形分别具有第二中心；
[0029]对应所述第一分离结构，所述第一图形的第二中心和所述第一中心不重合，所述第二中心位于所述第一中心靠近所述第二透明电极一侧，所述第一中心与所述第二中心之间的差值等于所述第二部分在所述衬底上投影长度的一半；
[0030]对应所述第二分离结构，所述第二图形的第二中心和所述第一中心不重合，所述第二中心位于所述第一中心靠近所述第三透明电极一侧，所述第一中心与所述第二中心之间的差值等于所述第七部分在所述衬底上投影长度的一半
[0031]对应所述第三分离结构，所述第三图形的第二中心和所述第一中心不重合，所述第二中心位于所述第一中心靠近所述第三透明电极一侧，所述第一中心与所述第二中心之
间的差值等于所述第十部分在所述衬底上投影长度与所述第十二部分在所述衬底上投影长度的差值的一半；
[0032]刻蚀多层所述绝缘层材料形成所述多层绝缘层，多层所述绝缘层在靠近所述透明电极的端部形成至少一个位于靠近所述衬底一侧的内缩部和至少一个位于所述内缩部上方的延伸部；相邻设置的所述延伸部和所述内缩部中，所述延伸部的长度大于所述内缩部的长度；
[0033]形成多层有机膜层，所述多层有机膜层中至少有一层公共有机膜层在所述分离结构的端部处断开；
[0034]形成第二电极。
[0035]本专利技术实施例提供的显示面板，显示面板还包括多个像素限定结构和多个分离结构，像素限定结构位于相邻两个子像素之间，可以避免相邻第一电极之间存在短路等情况，保证显示面板的结构稳定；分离结构用于结构限定子像素的开口，且分离结构包括多层绝缘层，沿显示面板的厚度方向，分离结构中多层绝缘层的端部存在内缩部和延伸部，并且相邻设置的延伸部和内缩部中，延伸部的长度大于内缩部的长度。即对分离结构中绝缘层的调整，可以保证不同子像素之间多层有机膜层中至少一层有机膜层在分离结构的端部断开，通过断开的有机膜层阻断相邻两个子像素之间的漏电流，消除相邻两个子像素之间的串扰，保证显示面板的显示效果。
附图说明
[0036]为了更加清楚地说明本专利技术示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本专利技术所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底以及位于所述衬底一侧的多个子像素；所述子像素包括第一电极，所述第一电极包括叠层设置的底部电极和透明电极，所述透明电极位于所述底部电极远离所述衬底的一侧；所述显示面板包括多个像素限定结构和多个分离结构，所述像素限定结构位于相邻两个所述子像素之间，所述分离结构位于所述像素限定结构远离所述衬底的一侧，所述分离结构包括多层绝缘层；在所述透明电极的顶面的边缘，所述分离结构包括朝向所述透明电极一侧的端部；沿所述显示面板的厚度方向，多层所述绝缘层在所述端部包括至少一个位于靠近所述衬底一侧的内缩部和至少一个位于所述内缩部上方的延伸部；相邻设置的所述延伸部和所述内缩部中，所述延伸部的长度大于所述内缩部的长度；所述显示面板还包括多层有机膜层以及设置于所述多层有机膜层上层的第二电极，所述第二电极为公共电极，多层所述有机膜层包括多层公共有机膜层。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述延伸部包括上表面和下表面，所述上表面的长度小于所述下表面的长度，所述上表面和所述下表面之间的侧面与所述下表面形成的夹角小于60度。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述分离结构包括依次叠层设置的至少四层绝缘层，任意相邻三层所述绝缘层包括依次叠层设置的第i绝缘层，第i+1绝缘层和第i+2绝缘层，其中，所述第i绝缘层和所述第i+2绝缘层的端部均为所述延伸部，所述第i+1绝缘层的端部为所述内缩部；或者，所述第i绝缘层和所述第i+2绝缘层的端部均为所述内缩部，所述第i+1绝缘层的端部为所述延伸部；所述i为正整数。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述分离结构包括依次叠层设置的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层，所述第一绝缘层的端部和所述第三绝缘层的端部为所述内缩部，所述第二绝缘层的端部和所述第四绝缘层的端部为所述延伸部。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层的所述内缩部的长度大于所述第三绝缘层的所述内缩部的长度；所述第二绝缘层的所述延伸部的长度大于所述第四绝缘层的所述延伸部的长度。6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第三绝缘层为第一种材料，所述第二绝缘层和所述第四绝缘层为第二种材料，并且所述第一种材料和所述第二种材料不同。7.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第三绝缘层的厚度为10～100nm，所述第二绝缘层和所述第四绝缘层的厚度为20～100nm。8.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述分离结构包括依次叠层设置的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层，所述第一绝缘层的端部、所述第三绝缘层的端部和所述第五绝缘层的端部为所述延伸部，所述第二绝缘层的端部和所述第四绝缘层的端部为所述内缩部。9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层的所述延伸部的长度大于所述第三绝缘层的所述延伸部的长度，所述第三绝缘层的所述延伸部的长度大于所述第五绝缘层的所述延伸部的长度；所述第二绝缘层的所述内缩部的长度大于所述第四绝缘层的所述内缩部的长度。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层、所述第三绝缘层和所述第五绝缘层为第一种材料，所述第二绝缘层和所述第四绝缘层为第二种材料，并且所述第一种材料和所述第二种材料不同。11.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层、所述第三绝缘层和所述第五绝缘层的厚度为20～100nm，所述第二绝缘层和所述第四绝缘层的厚度为10～100nm。12.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素限定结构的材料为氧化硅或氮化硅。13.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，多个所述子像素包括显示不同颜色的第一子像素、第二子像素和第三子像素；所述透明电极包括设置于所述第一子像素的底部电极上的第一透明电极，设置于所述第二子像素的底部电极上的第二透明电极，设置于所述第三子像素的底部电极上的第三透明电极；所述第一透明电极、所述第二透明电极和所述第三透明电极的厚度不同。14.根据权利13所述的显示面板，所述透明电极包括透明电极侧面和透明电极顶面，所述分离结构与所述透明电极侧面存在第一交叠面积，所述分离结构与所述透明电极顶面边缘存在第二交叠面积；所述第一子像素和所述第二子像素之间的所述分离结构为第一分离结构，所述第二子像素和所述第三子像素之间的所述分离结构为第二分离结构，所述第一子像素和所述第三子像素之间的所述分离结构为第三分离结构；对于所述第一分离结构、所述第二分离结构和所述第三分离结构，其所述第一交叠面积不完全相同，所述第二交叠面积相同。15.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，沿所述显示面板的厚度方向，相邻所述底部电极之间具有第一中心，所述分离结构具有第二中心，所述第一中心和所述第二中心不重合。16.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，多个所述第一电极中，厚度最小的所述第一电极的厚度为D1；任意两个所述像素限定结构的厚度相同，且所述像素限定结构的厚度为d1；其中，0≤D1－d1≤50nm。17.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，任意相邻两个所述第一电极中，厚度较小的所述第一电极的厚度为D2；该相邻两个所述第一电极之间的所述像素限定结构的厚度为d2；其中，0≤D2－d2≤50nm。18.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，任意相邻两个所述第一电极中，厚度较大的所述第一电极的厚度为D3；该相邻两个所述第一电极之间的所述像素限定结构的厚度为d3；其中，0≤D3－d3≤50nm。19.如权利要求13所述的显示面板，其特征在于，所述第一透明电极的厚度小于所述第二透明电极的厚度，所述第二透明电极的厚度小于所述第三透明电极的厚度；在所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素中，所述像素限定结构的厚度和所述第一子像素
的第一电极的厚度差最小。20.如权利要求19所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素和所述第二子像素之间的所述分离结构为第一分离结构，所述第二子像素和所述第三子像素之间的所述分离结构为第二分离结构，所述第一子像素和所述第三子像素之间的所述分离结构为第三分离结构；所述第一分离结构、所述第二分离结构、所述第三分离结构的形状各不相同。21.如权利要求20所述的显示面板，其特征在于，所述第二透明电极包括高于所述像素限定结构的上部，所述第三透明电极包括和高于所述像素限定结构的上部；所述第一分离结构，包括覆盖所述第一透明电极顶面边缘的第一部分、覆盖所述像素限定结构顶面的第二部分、覆盖所述第二透明电极上部侧面的第三部分、覆盖第二透明电极顶面边缘的第四部分，所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分和所述第四部分依次连接；所述第二分离结构，包括覆盖所述第二透明电极顶面边缘第五部分、覆盖所述第二透明电极上部的侧面第六部分、覆盖所述像素限定结构顶面的第七部分、覆盖所述第三透明电极上部侧面的第八部分、覆盖所述第三透明电极顶面边缘的第九部分，所述第五部分、所述第六部分、所述第七部分、所述第八部分和所述第九部分依次连接；所述第三分离结构，包括覆盖所述第三透明电极顶面边缘的第十部分、覆盖所述第三透明电极上部侧面的第十一部分、覆盖所述像素限定结构顶面的第十二部分、覆盖所述第一透明电极顶面边缘的第十三部分，所述第十部分、所述第十一部分、所述第十二部分和所述第十三部分依次连接。22.如权利要求21所述的显示面板，其特征在于，所述第三部分和所述第六部分分别向所述第二透明电极一侧倾斜，并具有与所述衬底之间的夹角小于或者等于60度的倾斜度。23.如权利要求20所述的显示面板，其特征在于，所述第一分离结构的长度为h1，所述第二分离结构的长度为h2，所述第三分离结构的长度为h3，其中，h1＜h3＜h2。24.如权利要求19所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素的第一电极的厚度为D1，所述像素限定结构的厚度为d1，并且0≤D1－d1≤50nm。25.如权利要求19所述的显示面板，其特征在于，所述像素限定结构的厚度等于所述底部电极与所述第一透明电极的厚度和。26.如权利要求13所述的显示面板，其特征在于，所述第一透明电极的厚度小于所述第二透明电极的厚度，所述第二透明电极的厚度小于所述第三透明电极的厚度；在所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素中，所述像素限定结构的厚度和所述第二子像素的所述第一电极的厚度差最小。27.如权利要求26所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素和所述第二子像素之间的所述像素限定结构为第一像素限定结构，所述第二子像素和所述第三子像素之间的所述像素限定结构为第二像素限定结构，所述第一子像素和所述第三子像素之间的所述像素限定结构为第三像素限定结构，所述第一像素限定结构、所述第二像素限定结构和所述第三像素限定结构的形状各不相同；所述第一子像素和所述第二子像素之间的所述分离结构为第一分离结构，所述第二子像素和所述第三子像素之间的所述分离结构为第二分离结构，所述第一子像素和所述第三子像素之间的所述分离结构为第三分离结构，所述第一分离结构、所述第二分离结构、所述
第三分离结构的形状各不相同。28.如权利要求27所述的显示面板，其特征在于，所述第三透明电极包括高于所述第二透明电极的上部，所述第一像素限定结构包括高于所述第一透明电极的第一侧面，所述第三像素限定结构包括高于所述第一透明电极的第二侧面；所述第一分离结构，包括覆盖所述第一透明电极顶面边缘的第一部分、覆盖所述第一像素限定结构第一侧面的第二部分、覆盖所述第一像素限定结构顶面的第三部分、覆盖所述第二透明电极顶面边缘的第四部分，所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分和所述第四部分依次连接；所述第二分离结构，包括覆盖所述第二透明电极顶面边缘的第五部分、覆盖所述第二像素限定结构顶面的第六部分、覆盖所述第三透明电极上部的侧面的第七部分、覆盖所述第三透明电极顶面边缘的第八部分，所述第五部分、所述第六部分、所述第七部分和所述第八部分依次连接；所述第三分离结构，包括覆盖所述第三透明电极顶面边缘的第九部分、覆盖所述第三透明电极上部侧面的第十部分、覆盖所述第三像素限定结构顶面的第十一部分、覆盖所述第三像素限定结构的第二侧面的第十二部分、覆盖所述第一透明电极顶面边缘的第十三部分，所述第九部分、所述第十部分、所述第十一部分、所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：居宇涵，曾章和，高志扬，崔海峰，
申请(专利权)人：视涯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：