【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种掩膜版及其制作方法。
技术介绍
1、有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)显示面板是一种利用oled作为显示像素的面板。相比于传统的液晶显示面板，oled显示面板因具有自发光、功耗低、色彩效果好、可用于柔性显示等诸多优点，越来越受到市场的欢迎。
2、oled发光器件的制备一般采用将有机发光材料蒸镀到阵列基板上的方式。蒸镀有机发光材料通常需要使用掩膜版，现有掩膜版通常使用金属条并通过激光在金属条上进行打孔以形成通孔，由于激光打孔工艺的精度限制，现有精细金属掩膜版上的通孔的尺寸通常会比较大，已经越来越无法满足用户对显示面板的高分辨率需求。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种掩膜版及其制作方法，以减小掩膜版上的通孔尺寸，降低通孔尺寸对蒸镀工艺的限制，满足用户对显示面板的高分辨率需求。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种掩膜版的制作方法，所述制作方法包括如下步骤：
3、提供基底，所述基底包括相对设置的第一面和第二面，以及设置于所述第一面和所述第二面之间的侧面；在所述基底的所述第一面上形成第一无机材料层；刻蚀所述第一无机材料层，形成包括多个第一图形的第一图形层，所述第一图形包括远离所述基底的第一顶面，以及连接所述第一顶面的第一侧面，所述第一顶面和所述第一侧面之间具有第一夹角；在所述第一图形层上形成金属层，刻蚀所述金属层，形成包括多个金属图形的金属图形层，各所述金属图
4、根据本专利技术的另一方面，提供了一种掩膜版，所述掩膜版包括相对设置的第一侧和第二侧，所述掩膜版包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域；在所述第一区域，所述掩膜版包括多个金属图形，相邻所述金属图形之间设置有通孔；在所述掩膜版的所述第一侧，所述金属图形包括第二顶面，所述金属图形还包括与所述第二顶面连接的第二侧面，所述金属图形的所述第二顶面和所述第二侧面之间具有第二夹角；在所述第二区域，所述掩膜版具有第一框架层和第二框架层，所述第一框架层的材料为半导体材料，所述第二框架层的材料和所述金属图形的材料相同。
5、本专利技术实施例提供的掩膜版及其制作方法，通过半导体制程工艺将金属图形层形成于基底上，与传统精细金属掩膜版的制作工艺相比，有利于减小金属图形层上的通孔尺寸，降低通孔尺寸对蒸镀工艺的限制，进而满足用户对显示面板的高分辨率需求。此外，第二区域保留的基底能够对金属图形层起到支撑和固定作用，一方面，与传统精细金属掩膜版的制作工艺相比，可降低对金属图形层的刚性要求，有助于减小金属层的厚度，从而有利于缩小蒸镀时掩膜版与待蒸镀基板之间的距离，在蒸镀过程中减轻阴影效应，减小实际蒸镀的膜层图案尺寸与设计值之间的偏差，提高蒸镀工艺的精度；另一方面，与通过激光焊接方式将掩膜版焊接于掩膜版框架上的方案相比，能够防止金属图形层和基底之间产生移位，有利于提高蒸镀工艺的精准度。
6、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
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1.一种掩膜版的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述第三无机材料层还覆盖所述第二无机材料层；
3.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述第二无机材料层还覆盖所述基底的所述第二面；
4.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述基底的材料包括氮化硅、单晶硅、锗、锗化硅、碳化硅、砷化镓、镓化铟、绝缘体上的硅和绝缘体上的锗中的至少一种。
5.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述第一无机材料层和所述第二无机材料层的材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。
6.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述第三无机材料层包括氮化硅、氧化铝、氧化钛和氧化硅中的至少一种。
7.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述金属层的材料包括镍、铁、钛、钽、钨或者包含镍、铁、钛、钽和钨中至少一种材料的合金。
8.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述金属层的厚度小于或等于1μ
9.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述刻蚀所述金属层包括：从所述金属层背离所述基底的一侧表面进行通过化学机械研磨的方式刻蚀所述金属层，直至暴露出所述第一图形层。
10.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述去除所述第一图形层和所述第二无机材料层包括：通过稀氢氟酸刻蚀去除所述第一图形层和所述第二无机材料层。
11.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述从所述基底的所述第二面一侧刻蚀所述基底包括：用氢氧化钾溶液对所述基底进行刻蚀。
12.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，
13.如权利要求12所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，
14.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述第一夹角大于或等于130度，所述第二夹角小于或等于50度。
15.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述基底的形状为圆形或方形。
16.一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括相对设置的第一侧和第二侧，所述掩膜版包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域；
17.根据权利要求16所述的掩膜版，其特征在于，所述金属图形的厚度小于或等于1μm。
18.根据权利要求16所述的掩膜版，其特征在于，相邻所述金属图形之间的所述通孔的孔径小于或等于10μm，且大于或等于0.5μm。
19.根据权利要求16所述的掩膜版，其特征在于，所述第二夹角的度数小于或等于50度。
20.根据权利要求16所述的掩膜版，其特征在于，在使用所述掩膜版进行蒸镀时，将金属图形的第二顶面一侧朝向待蒸镀基板，蒸镀源与所述待蒸镀基板间隔所述掩膜版设置，所述第二夹角的度数小于等于蒸发角的度数；其中，所述蒸发角为气化的蒸镀材料从喷嘴喷出后经角度限制板限定后的最大发散角度。
21.根据权利要求16所述的掩膜版，其特征在于，朝向所述掩膜版的所述第二侧，所述第二框架层包括金属扩散层。
22.根据权利要求21所述的掩膜版，其特征在于，所述金属扩散层的厚度与所述第二框架层的厚度之间的比值大于或等于5％。
23.根据权利要求16所述的掩膜版，其特征在于，在所述第一框架层的侧面还设置有第三无机材料层。
24.根据权利要求16所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版的外形为圆形或方形。
25.根据权利要求16所述的掩膜版，其特征在于，所述第一框架层的材料包括氮化硅、单晶硅、锗、锗化硅、碳化硅、砷化镓、镓化铟、绝缘体上的硅和绝缘体上的锗中的至少一种。
26.根据权利要求16所述的掩膜版，其特征在于，所述多个金属图形和所述第二框架层的材料包括镍、铁、钛、钽、钨中至少一种材料，或者包含镍、铁、钛、钽和钨中至少一种材料的合金。
...【技术特征摘要】
1.一种掩膜版的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述第三无机材料层还覆盖所述第二无机材料层；
3.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述第二无机材料层还覆盖所述基底的所述第二面；
4.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述基底的材料包括氮化硅、单晶硅、锗、锗化硅、碳化硅、砷化镓、镓化铟、绝缘体上的硅和绝缘体上的锗中的至少一种。
5.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述第一无机材料层和所述第二无机材料层的材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。
6.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述第三无机材料层包括氮化硅、氧化铝、氧化钛和氧化硅中的至少一种。
7.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述金属层的材料包括镍、铁、钛、钽、钨或者包含镍、铁、钛、钽和钨中至少一种材料的合金。
8.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述金属层的厚度小于或等于1μm。
9.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述刻蚀所述金属层包括：从所述金属层背离所述基底的一侧表面进行通过化学机械研磨的方式刻蚀所述金属层，直至暴露出所述第一图形层。
10.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述去除所述第一图形层和所述第二无机材料层包括：通过稀氢氟酸刻蚀去除所述第一图形层和所述第二无机材料层。
11.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述从所述基底的所述第二面一侧刻蚀所述基底包括：用氢氧化钾溶液对所述基底进行刻蚀。
12.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，
13.如权利要求12所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，
14.如权利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述第一夹...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾章和，高志扬，章丰帆，罗丽媛，沈永财，
申请(专利权)人：视涯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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