一种纳米晶带压力喷带制备工艺制造技术

一种纳米晶带压力喷带制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、取纳米晶带，进行第一次固化处理：a.采用硅溶胶型固化剂对纳米晶带双面处理；b.进行两个阶段的加热处理，第一阶段温度为100~250℃，第二阶段温度为450~700℃；S2、取S1步骤处理得到的纳米晶带，进行第二次固化处理：a.对纳米晶带一侧表面贴附保护膜，另一侧表面采用聚氨酯型固化剂表面处理；b.在外力作用下进行加热处理，得到单面处理晶带；c.去除步骤b得到的单面处理晶带一侧表面上的保护膜，对该面采用聚氨酯型固化剂表面处理；d.重复步骤b。本发明专利技术提供的纳米晶磁片具有涡流损耗低，充电效率高，充电时的发热量低的优点。点。

【技术实现步骤摘要】
一种纳米晶带压力喷带制备工艺


[0001]本专利技术属于磁性材料
，具体涉及一种纳米晶带压力喷带制备工艺。

技术介绍

[0002]从手机、笔记本等便携式电子产品逐渐普及开始，“轻”薄的设计理念一直牵引着市场的发展方向，各大厂商也在不断加强技术研发，试图将便携电子产品做到更薄，无线充电模组想作为内置器件植入便携式电子产品中，起关键作用的隔磁片就必须做到“轻薄”。
[0003]非晶、纳米晶带材是由超急冷凝固形成厚度在15～35μm范围内的固体薄带，合金凝固时原子来不及有序排列结晶得到的固态合金。这种固态合金是长程无序结构，没有晶态合金的晶粒、晶界存在，具有优异的磁性，耐蚀性，耐磨性、高硬度、高强度、高电阻率等特性。性能方面，非晶、纳米晶隔磁片具有高的导磁率，高的饱和磁通密度，具有较大的性能优势。
[0004]非晶、纳米晶隔磁片用于无线充电时，未经处理的非晶或纳米晶带材的磁导率饱和磁通密度都能达到要求，但是损耗较高，纳米晶导磁片在高频下的损耗主要来自于涡流损耗，涡流损耗较大会导致品质因素Q值低，充电效率低，同时，充电时纳米晶的发热量较大，为了降低涡流损耗，目前常规的做法是将纳米晶带材碎化，相当于把纳米晶带材碎裂成微小的颗粒，颗粒之间使用绝缘胶层，这样单体小颗粒上的磁通量小，涡流小，就减少了大面积的涡流损耗。使得无线充电时，磁场耦合后的损耗降低，发热量减少。
[0005]目前行业中常规的破碎方式是采用机械压力的方式使带材碎碎。先是单层破碎，然后使用多双面胶带将多层纳米晶贴合到一起，来达到无线充电使用要求的厚度和磁性能。但是即使是破碎之后，在无线充电中，仍然存在充电磁片发热过高的问题。
[0006]CN104011814A提到了一种将整体非晶纳米晶带材分割成小单元的方法，其中提到了采用层压的方法使薄带片间绝缘，通过单层非晶纳米晶薄带上、下两面施加保护膜或胶带的方式，然后进行压碎制备无线充电用软磁片。
[0007]CN104900383A公开了一种无线充电用单/多层导磁片及其制备方法，该单层导磁片包括：一层磁性薄片，所述薄片上均匀分布有多条裂纹，且所述多条裂纹将所述薄片分割成多个碎片单元；所述多条裂纹的缝隙中填充有绝缘介质，以使所述裂纹两侧的碎片单元相互绝缘；双面胶，粘附于所述磁性薄片的其中一面，所述磁性薄片的另一面形成有由所述绝缘介质构成的防护薄膜。其制备方法包括：热处理、双面胶粘合、裂纹化处理、浸胶处理以及烘干固化处理步骤。
[0008]CN107979966A公开了一种应用于无线充电和NFC的隔磁片及其制备工艺，其制备工艺包括：构造隔磁单元：以具有两个裸露面的片材结构的软磁带材为基元，在所述软磁带材的其中一个裸露面贴合双面胶，并将所述软磁带材的另外一个裸露面被压制成网状纹路；构造隔磁片。
[0009]上述磁片制备方法都存在着充电磁片发热过高的问题。因此，开发一种能够解决磁片发热过高问题的制备工艺对于本领域有重要意义。

技术实现思路

[0010]针对上述存在的问题，本专利技术的目的是提供一种纳米晶带压力喷带制备工艺。本专利技术提供的纳米晶磁片具有涡流损耗低，充电效率高，充电时的发热量低的优点。
[0011]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：一种纳米晶带压力喷带制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、取纳米晶带，进行第一次固化处理：a.采用硅溶胶型固化剂对纳米晶带双面处理；b.进行两个阶段的加热处理，第一阶段温度为100~250℃，第二阶段温度为450~700℃；S2、取S1步骤处理得到的纳米晶带，进行第二次固化处理：a.对纳米晶带一侧表面贴附保护膜，另一侧表面采用聚氨酯型固化剂表面处理；b.在外力作用下进行加热处理，得到单面处理晶带；c.去除步骤b得到的单面处理晶带一侧表面上的保护膜，对该面采用聚氨酯型固化剂表面处理；d.重复步骤b。
[0012]本专利技术提供的制备方法中，第一阶段升温速度为2~4℃/min；第二阶段升温速度为3~5℃/min。
[0013]本专利技术提供的制备方法中，步骤S1中所述硅溶胶型固化剂中包括质量比为40%~50%的mSiO2·
nH2O。
[0014]本专利技术提供的制备方法中，步骤S2中外力作用采用对纳米晶带长度较长的两端进行拉伸。
[0015]本专利技术提供的制备方法中，步骤S2中应力大小为150~250MPa，加热处理温度为100~120℃。
[0016]本专利技术提供的制备方法中，所述保护膜为耐热离型膜。
[0017]作为本专利技术的进一步优选，还包括钝化处理，所述钝化处理包括将纳米晶带放入钝化剂中浸泡，然后清洗烘干；浸泡时间为1.5~2.5h，烘干温度为40~60℃。
[0018]作为本专利技术的进一步优选，对经固化处理和钝化处理后的纳米晶带进行切割处理，得到纳米晶单层磁片。
具体实施方式
[0019]专利技术人发现，采用特殊的固化处理工艺，可以降低纳米晶片涡流损耗，明显减缓充电磁片发热过高的问题，固化处理步骤具体包括：S1、取纳米晶带，进行第一次固化处理：a.采用硅溶胶型固化剂对纳米晶带双面处理；b.进行两个阶段的加热处理，第一阶段温度为100~250℃，第二阶段温度为250~550℃；S2、取S1步骤处理得到的纳米晶带，进行第二次固化处理：a.对纳米晶带一侧表面贴附保护膜，另一侧表面采用聚氨酯型固化剂表面处理；b.在外力作用下进行加热处理，得到单面处理晶带；c.去除步骤b得到的单面处理晶带一侧表面上的保护膜，对该面采用聚氨酯型固化剂表面处理；d.重复步骤b。
[0020]其中，所述纳米晶带，是指铁基纳米晶合金，其在晶化温度以上退火时，会形成非常细小的晶粒组织，晶粒尺寸仅有10~20纳米，因此命名为纳米晶带。
[0021]硅溶胶型固化剂是指纳米级的二氧化硅颗粒在水中或溶剂中的分散液，比表面积为50~400m2/g，粒径范围在5~100nm。
[0022]采用硅溶胶型固化剂对纳米晶带双面处理，是指：对纳米晶带面积最大的两个相
对面，采用硅溶胶型固化剂进行浸泡或涂布或任何可以对纳米晶带表面覆盖固化剂的操作。
[0023]对纳米晶带一侧表面贴附保护膜，另一侧表面采用聚氨酯型固化剂表面处理，是指：对纳米晶带面积最大的两个相对面中的一个表面贴附保护膜，另一个表面采用聚氨酯型固化剂进行浸泡或涂布或任何可以对纳米晶带表面覆盖固化剂的操作。
[0024]本专利技术提供的制备方法中，步骤S1中第一阶段升温速度为2~4℃/min；第二阶段升温速度为3~5℃/min。
[0025]本专利技术提供的制备方法中，步骤S1中所述硅溶胶型固化剂中包括质量比为40%~50%的mSiO2·
nH2O。
[0026]本专利技术提供的制备方法中，步骤S2中外力作用采用对纳米晶带长度较长的两端进行拉伸。
[0027]本专利技术提供的制备方法中，步骤S2中应力大小为150~250MPa，加热处理温度为100~120℃。
[0028]本专利技术采用的固化处理工艺，（1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米晶带压力喷带制备工艺，包括固化处理，其特征在于，所述固化处理包括以下步骤：S1、取纳米晶带，进行第一次固化处理：a.采用硅溶胶型固化剂对纳米晶带双面处理；b.进行两个阶段的加热处理，第一阶段温度为100~250℃，第二阶段温度为250~550℃；S2、取S1步骤处理得到的纳米晶带，进行第二次固化处理：a.对纳米晶带一侧表面贴附保护膜，另一侧表面采用聚氨酯型固化剂表面处理；b.在外力作用下进行加热处理，得到单面处理晶带；c.去除步骤b得到的单面处理晶带一侧表面上的保护膜，对该面采用聚氨酯型固化剂表面处理；d.重复步骤b。2.根据权利要求1所述一种纳米晶带压力喷带制备工艺，其特征在于，步骤S1中第一阶段升温速度为2~4℃/min；第二阶段升温速度为3~5℃/min。3.根据权利要求1所述一种纳米晶带压力喷带制备工艺，其特征在于，步骤S1中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈慧鹏，杨乐琪，周柔刚，邵惠锋，李文欣，
申请(专利权)人：浙江晶精新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：