用于谐振器感应相位门的多模谐振器制造技术

提供了关于使能RIP门的量子位耦合结构的技术。例如，在此描述的一个或多个实施例可以包括一种装置，该装置可包括耦合到第一量子位和第二量子位的耦合结构。耦合结构可具有多个耦合路径。多个耦合路径中的耦合路径可以是谐振器。而且，第一量子位可被耦合到谐振器的第一，并且第二量子位可被耦合到沿着谐振器的长度的点。度的点。度的点。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于谐振器感应相位门的多模谐振器

技术介绍

[0001]本主题公开涉及用于使能谐振器感应相位(“RIP”)门的多模谐振器，并且更具体地涉及量子位耦合结构，该量子位耦合结构包括多个耦合路径，这些耦合路径可以在RIP门不工作时共同地抑制量子位耦合相互作用。
[0002]量子位被耦合在量子计算机内以实施各种量子处理操作。常规地，量子位被分别耦合到公共的谐振器总线，其中量子位的频率与总线的频率被远解谐。例如，两个耦合的量子位可以电容性地耦合到共面波导的长度的相应端。由此，可以形成与耦合的量子位有关的全微波门。例如，共面波导可产生在量子位之间的相互作用，其中每个量子位的频率可取决于另一量子位的状态，并且用微波音调(tone)激发波导可改变频率变化程度。
[0003]在量子位是固定频率的超导量子位(例如，transmon)的情况下，可通过对谐振器总线施加非谐振音调来形成RIP门。谐振器中的信号以及因此量子位经历的斯塔克偏移(Stark shift)可取决于量子位的连接状态。为了实现可观的RIP纠缠率，期望实现大的量子位频移的量子位耦合结构。然而，对于常规的耦合结构，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种装置，包括：耦合结构，其被耦合到第一量子位和第二量子位，所述耦合结构具有多个耦合路径，其中，来自所述多个耦合路径的耦合路径是具有传输线分路的谐振器。2.根据前一权利要求所述的装置，其中，所述耦合路径在所述第一量子位与所述第二量子位之间建立谐振器感应相位门。3.根据前一权利要求所述的装置，其中，所述多个耦合路径共同地抑制在所述第一量子位与所述第二量子位之间的耦合相互作用。4.根据前三项权利要求中任一项所述的装置，其中，所述电路分路是所述传输线的具有超导接地连接的区段。5.根据前四项权利要求中任一项所述的装置，其中，所述耦合结构还包括驱动端口。6.根据前五项权利要求中任一项所述的装置，其中，所述第一量子位被耦合到所述谐振器的第一端，并且其中，所述第二量子位被耦合到沿着所述谐振器的长度的点。7.根据前六项权利要求中任一项所述的装置，其中，所述第一量子位和所述第二量子位经由从包括电容耦合和电感耦合的组中选择的至少一种耦合技术耦合到所述谐振器。8.根据前七项权利要求中任一项所述的装置，其中，所述谐振器包括具有多个阻抗的四分之一波长超导共面波导。9.一种装置，包括：耦合结构，其被耦合到第一量子位和第二量子位，所述耦合结构具有多个耦合路径，其中，来自所述多个耦合路径的耦合路径是谐振器，其中，所述第一量子位被耦合到所述谐振器的第一端，并且其中，所述第二量子位被耦合到沿着所述谐振器的长度的点。10.根据前一权利要求所述的装置，其中，所述耦合路径在所述第一量子位与所述第二量子位之间建立谐振器感应相位门。11.根据前两项权利要求中任一项所述的装置，其中，所述多个耦合路径共同地抑制在所述第一量子位与所述第二量子位之间的耦合相互作用。12.根据前三项权利要求中任一项所述的装置，其中，所述第一量子位和所述第二量子位经由从包括电容耦合和电感耦合的组中选择的至少一种耦合技术耦合到所述谐振器。13.根据前四项权利要求中任一项所述的装置，其中，所述耦合结构还包括驱动端口。14.一种装置，包括：四分之一波长超导波导，其电容性地耦合到第一量子位和第二量子位，其中，所述四分之一波长超导波导具有多个阻抗。15.根据前一权利要求所述的装置，其中，所述四分之一波长超导波导的基频谐振在所述第一量子位的频率和所述第二量子位的频率以下，并且其中，所述装置表现出多个谐振器模式，所述多个谐振器模式增加以抵消所述第一量子位与所述第二量子位之间的耦合相互作用。16.根据前一权利要求所述的装置，进一步包括：谐振器感应相位门，其以来自所述多个谐振器模式的第一谐振器模式来驱动所述四分之一波长超导波导。17.根据前一权利要求所述的装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：