用于ZnO电阻片电气性能优化的方法及装置制造方法及图纸

一种用于ZnO电阻片电气性能优化的方法及装置，该方法包括：测量ZnO电阻片的伏安特性曲线，得到未处理的击穿场强E

【技术实现步骤摘要】
用于ZnO电阻片电气性能优化的方法及装置


[0001]本专利技术涉及ZnO电阻片小电流区电气性能的提升
，具体而言，涉及一种用于ZnO电阻片电气性能优化的方法及装置。

技术介绍

[0002]ZnO电阻片是金属氧化物避雷器的核心部件，其击穿场强、非线性系数和泄漏电流(漏流)密度是小电流区主要电气参数。目前，国内外厂家通常通过调整配方和烧结工艺来提高上述电气参数。
[0003]虽然上述方法可以一定程度上提高ZnO电阻片的电气参数，但是仍存在许多不足，电气参数还有较大提高的空间。

技术实现思路

[0004]鉴于此，本专利技术提出了一种用于ZnO电阻片电气性能优化的方法及装置，旨在解决如何提高ZnO电阻片电气参数的问题。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种用于ZnO电阻片电气性能优化的方法，所述方法包括：测量ZnO电阻片的伏安特性曲线，得到未处理的伏安曲线；根据所述未处理的伏安曲线，得到未处理的击穿场强E
B(0)
和未处理的泄漏电流密度J
L(0)
；逐次对ZnO电阻片进行电热耦合处理直至ZnO电阻片中的电流或功耗不再逐渐增大，并对ZnO电阻片采用最后一次电热耦合处理的条件进行预设时长的处理；测量电热耦合处理后的ZnO电阻片的伏安特性曲线，得到处理后的伏安曲线；根据所述处理后的伏安曲线，得到处理后的击穿场强E
B(n)
和处理后的泄漏电流密度J
L(n)
，其中n为电热耦合处理的次数，为正整数；若E
B(n)
大于E
B(n
‑
1)
，且J
L(n)
小于J
L(n
‑
1)
，则按照最后一次电热耦合处理的条件，再次进行所述预设时长的电热耦合处理，并返回所述测量电热耦合处理后的ZnO电阻片的伏安特性曲线的步骤，直至不再满足E
B(n)
大于E
B(n
‑
1)
，且J
L(n)
小于J
L(n
‑
1)
为止，得到优化后的ZnO电阻片。
[0006]进一步地，所述测量ZnO电阻片的伏安特性曲线，得到未处理的伏安曲线，包括：在第一温度下，施加第一直流电压组，测量ZnO电阻片的伏安特性曲线，得到未处理的伏安曲线。
[0007]进一步地，所述测量电热耦合处理后的ZnO电阻片的伏安特性曲线，得到处理后的伏安曲线，包括：在所述第一温度下，施加所述第一直流电压组，测量电热耦合处理后的ZnO电阻片的伏安特性曲线，得到处理后的伏安曲线。
[0008]进一步地，逐次对ZnO电阻片进行电热耦合处理直至ZnO电阻片中的电流或功耗不再逐渐增大，包括：在第二温度下，对ZnO电阻片施加第一交流电场；若ZnO电阻片中的电流或功耗逐渐增大，则降低温度后对ZnO电阻片施加与前一次相同的交流电场，和/或，则保持与前一次相同温度对ZnO电阻片减小所施加的交流电场，直至ZnO电阻片中的电流或功耗不再逐渐增大。
[0009]进一步地，所述方法还包括：逐次对ZnO电阻片进行电热耦合处理直至达到电热耦
合处理的阈值。
[0010]进一步地，所述电热耦合处理的阈值包括：电热耦合处理的温度范围为100～135℃，且电热耦合处理的交流电场范围为0.5～0.9E
B(0)
、频率不高于50Hz。
[0011]进一步地，所述E
B(0)
和E
B(n)
分别为所述未处理的伏安曲线和处理后的伏安曲线中1mA/cm2对应的电场强度，所述J
L(0)
和J
L(n)
分别为所述未处理的伏安曲线和处理后的伏安曲线中0.75E
B(0)
和0.75E
B(n)
对应的电流密度。
[0012]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种用于ZnO电阻片电气性能优化的装置，所述装置包括：第一测量单元，用于测量ZnO电阻片的伏安特性曲线，得到未处理的伏安曲线；第一伏安曲线处理单元，用于根据所述未处理的伏安曲线，得到未处理的击穿场强E
B(0)
和未处理的泄漏电流密度J
L(0)
；电热耦合处理单元，用于逐次对ZnO电阻片进行电热耦合处理直至ZnO电阻片中的电流或功耗不再逐渐增大，并对ZnO电阻片采用最后一次电热耦合处理的条件进行预设时长的处理；第二测量单元，用于测量电热耦合处理后的ZnO电阻片的伏安特性曲线，得到处理后的伏安曲线；第二伏安曲线处理单元，用于根据所述处理后的伏安曲线，得到处理后的击穿场强E
B(n)
和处理后的泄漏电流密度J
L(n)
，其中n为电热耦合处理的次数，为正整数；判据单元，用于在E
B(n)
大于E
B(n
‑
1)
，且J
L(n)
小于J
L(n
‑
1)
时，则按照最后一次电热耦合处理的条件，再次进行所述预设时长的电热耦合处理，并返回所述第二测量单元，直至不再满足E
B(n)
大于E
B(n
‑
1)
，且J
L(n)
小于J
L(n
‑
1)
为止，得到优化后的ZnO电阻片。
[0013]第三方面，本专利技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时，实现上述各实施例提供的方法。
[0014]第四方面，本专利技术实施例还提供了一种电子设备，包括：处理器；用于存储所述处理器可执行指令的存储器；所述处理器，用于从所述存储器中读取所述可执行指令，并执行所述指令以实现上述各实施例提供的方法。
[0015]本专利技术实施例提供的用于ZnO电阻片电气性能优化的方法及装置，通过逐次对ZnO电阻片进行电热耦合处理直至ZnO电阻片中的电流或功耗不再逐渐增大，并对ZnO电阻片采用最后一次电热耦合处理的条件进行预设时长的处理，并将击穿场强和泄漏电流密度作为判据来衡量电热耦合处理的效果，从而得到优化后的ZnO电阻片，提供了一种全新的ZnO电阻片电气性能优化方法，大大提高了电阻片的电气参数，即击穿场强增大，泄漏电流密度降低。
附图说明
[0016]图1示出了根据本专利技术实施例的用于ZnO电阻片电气性能优化的方法的示例性流程图；
[0017]图2示出了根据本专利技术实施例的电热耦合优化处理不同阶段ZnO电阻片的伏安曲线数据图；
[0018]图3示出了根据本专利技术实施例的电热耦合优化处理过程中ZnO电阻片的功耗数据图；
[0019]图4示出了根据本专利技术实施例的用于ZnO电阻片电气性能优化的装置的结构示意图。
具体实施方式
[0020]现在参考附图介绍本专利技术的示例性实施方式，然而，本专利技术可以用许多不同的形式来实施，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于ZnO电阻片电气性能优化的方法，其特征在于，所述方法包括：测量ZnO电阻片的伏安特性曲线，得到未处理的伏安曲线；根据所述未处理的伏安曲线，得到未处理的击穿场强E
B(0)
和未处理的泄漏电流密度J
L(0)
；逐次对ZnO电阻片进行电热耦合处理直至ZnO电阻片中的电流或功耗不再逐渐增大，并对ZnO电阻片采用最后一次电热耦合处理的条件进行预设时长的处理；测量电热耦合处理后的ZnO电阻片的伏安特性曲线，得到处理后的伏安曲线；根据所述处理后的伏安曲线，得到处理后的击穿场强E
B(n)
和处理后的泄漏电流密度J
L(n)
，其中n为电热耦合处理的次数，为正整数；若E
B(n)
大于E
B(n
‑
1)
，且J
L(n)
小于J
L(n
‑
1)
，则按照最后一次电热耦合处理的条件，再次进行所述预设时长的电热耦合处理，并返回所述测量电热耦合处理后的ZnO电阻片的伏安特性曲线的步骤，直至不再满足E
B(n)
大于E
B(n
‑
1)
，且J
L(n)
小于J
L(n
‑
1)
为止，得到优化后的ZnO电阻片。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测量ZnO电阻片的伏安特性曲线，得到未处理的伏安曲线，包括：在第一温度下，施加第一直流电压组，测量ZnO电阻片的伏安特性曲线，得到未处理的伏安曲线。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述测量电热耦合处理后的ZnO电阻片的伏安特性曲线，得到处理后的伏安曲线，包括：在所述第一温度下，施加所述第一直流电压组，测量电热耦合处理后的ZnO电阻片的伏安特性曲线，得到处理后的伏安曲线。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，逐次对ZnO电阻片进行电热耦合处理直至ZnO电阻片中的电流或功耗不再逐渐增大，包括：在第二温度下，对ZnO电阻片施加第一交流电场；若ZnO电阻片中的电流或功耗逐渐增大，则降低温度后对ZnO电阻片施加与前一次相同的交流电场，和/或，则保持与前一次相同温度对ZnO电阻片减小所施加的交流电场，直至ZnO电阻片中的电流或功耗不再逐渐增大。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：逐次对ZnO电阻片进行电热耦合处理直至达到电热耦合处理的阈值。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述电热耦合处理的阈值包括：电热耦合处理的温度范围为100～135℃，且电热耦合...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵霞，雷挺，沈海滨，张搏宇，吕雪斌，郭子炘，
申请(专利权)人：中国电力科学研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：